专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]CMP研磨速率的精确测方法-CN201310391169.X在审
  • 范怡平 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2013-09-02 - 2015-03-18 - B24B49/00
  • 本发明是一种CMP研磨速率的精确测方法,涉及半导体生产,尤其是晶圆的CMP方法,是基于在线晶圆产品的多点测机方法,通过在晶圆表面设定量测极点作为APC系统的研磨速率测点,其特征在于,所述的测极点是等距离布置在穿过晶圆表面中心的任意直线上的多个点本发明可使OxideCMP在线测机的研磨速率测准确度大大提升,真实地反映OxideCMP的RR正常的升高、降低,从而提升APC自动下研磨时间的准确度,减少产品最终膜厚的不稳定影响,极大地改善在线产品的测良品率
  • cmp研磨速率精确方法
  • [发明专利]一种水力冲孔出煤实时测定装置及其使用方法-CN201811200305.1有效
  • 秦冰;孙维吉;石迎爽;郝建锋;房圣杰 - 辽宁工程技术大学
  • 2018-10-16 - 2022-06-24 - E21B47/00
  • 一种水力冲孔出煤实时测定装置,包括研磨装置、混合搅拌装置、监测装置和沉淀净化装置,研磨装置的顶部设置有进口管道,研磨装置的底部通过第一管道与混合搅拌装置连接,混合搅拌装置通过第二管道与沉淀净化装置连接,监测装置包括数据采集仪、浓度监测装置和流量监测装置,浓度监测装置设置于混合搅拌装置内部,流量监测装置设置在第二管道上,数据采集仪分别与浓度监测装置和流量监测装置电连接,本发明实现了对煤水混合物进行研磨、浓度及流量的测量及对冲出煤的实时监测的目的,通过采用浓度测试的方法,避免了水分对冲出煤的测定的影响,本发明可测试冲出煤的总量及实时,为水力冲孔参数的动态调整提供了参考,具有较好的实用性。
  • 一种水力冲孔出煤量实时测定装置及其使用方法
  • [发明专利]工件的双面研磨方法-CN202080067215.9在审
  • 野中英辅;平岩幸二郎 - 胜高股份有限公司
  • 2020-08-13 - 2022-04-26 - B24B37/24
  • 本发明的工件的双面研磨方法通过具有保持工件的1个以上的保持孔的载板在该保持孔中保持所述工件而进行该工件的双面研磨,该工件的双面研磨方法包括取得所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降的关系的工序;根据期待的边缘下降以及取得的所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降间的关系,决定所述保持孔的内周径的工序;以及使用具有已决定的内周径的所述保持孔的所述载板,进行所述工件的双面研磨的工序。
  • 工件双面研磨方法
  • [发明专利]一种可用于玻璃、瓷砖摩擦的组合物-CN202011262769.2在审
  • 曾梓城 - 曾梓城
  • 2020-11-12 - 2021-02-09 - C11D1/14
  • 本发明提供了一种可用于玻璃、瓷砖摩擦的组合物,包括原料如下:烷基硫酸盐50‑70重份、无机强碱2‑10重份、增稠剂10‑30重份、络合剂2‑7重份、pH缓冲剂1‑10重份、研磨剂3‑10重份,所述研磨剂为核桃砂。而卫浴产品表面由于常与人体的排泄物、死皮、毛发所接触,导致卫浴产品的表面极易产生污渍、滋生细菌、病毒等有害物,会在玻璃、瓷砖表面形成污渍,而现有的卫浴清洁剂虽具有清洗功能,但不具有研磨能力。本发明采用核桃砂结构,在对污渍进行有效研磨的同时,由于核桃砂本身硬度低于玻璃、瓷砖表面硬度,不会对玻璃、瓷砖表面形成刮痕,有效保护了玻璃、瓷砖的使用安全。
  • 一种用于玻璃瓷砖摩擦组合
  • [发明专利]一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺-CN202011569445.3有效
  • 王国秋 - 湖南启泰传感科技有限公司
  • 2020-12-26 - 2022-05-31 - B24B1/00
  • 本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺,涉及半导体和传感器加工技术领域,包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺,设计科学,工艺完善,能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中,金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题,能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形,从而减少金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片粗糙度和变形
  • 一种金属薄膜芯片研磨抛光工艺
  • [发明专利]伺服驱动式浮动机构-CN202111200778.3在审
  • 许又升 - 许又升
  • 2021-10-13 - 2022-05-20 - B24B9/00
  • 一种伺服驱动式浮动机构包括一固持座、一研磨工具、一姿态感知器、一位移传感器、一内框架、及一第一伺服马达。研磨工具被夹持于固持座内,研磨工具具有一第一枢轴及一研磨工具。第一枢轴垂直于研磨工具的轴心方向。姿态感知器用以感知研磨工具的姿态,并发出一姿态讯号,姿态讯号经过解算后以获得一针对重力影响的力矩补偿值。位移传感器以感测所述研磨工具沿着第一枢轴的位移研磨工具设置于内框架内,研磨工具的第一枢轴可动地设置于内框架。第一伺服马达设置于内框架,依据力矩补偿值以及位移带动研磨工具沿着第一枢轴旋转,使研磨工具输出的扭力不受各种姿态下的重力影响。
  • 伺服驱动浮动机构
  • [发明专利]氢氧化镁超细粉体的制备方法-CN200610043680.0无效
  • 朱晓林 - 朱晓林
  • 2006-04-22 - 2007-10-24 - C01F5/14
  • 本发明涉及一种氢氧化镁超细粉体的制备方法,在研磨机中加入料、研磨球和水进行研磨,其特征在于采用立式搅拌磨进行研磨,在研磨过程中的初期时间段内连续加入分散剂,然后继续研磨直至到达研磨标准,分散剂的加入为氢氧化镁重量的经过大量的分析研究和试验,本发明成功地实现了湿法研磨研磨指标达到:中位粒径(D50)<1.8微米(相当于7000目),最大粒径(D100)<5.0微米(相对于3000目),粒度度分布(D10~D90)在1微米至2.7微米之间,分布区间只有两微米,研磨细度小,研磨颗粒粒度分布集中,且颗粒圆滑,包覆改性效果好,满足阻燃剂使用要求,尤其是大添加的使用要求。
  • 氢氧化镁超细粉体制备方法
  • [实用新型]一种药品原料研磨装置-CN202222560580.2有效
  • 白浩;罗希伟 - 白浩;罗希伟
  • 2022-09-27 - 2023-01-24 - B02C19/00
  • 本实用新型公开了一种药品原料研磨装置,涉及药品研磨技术领域,包括研磨箱、进料口和出料口,研磨箱的上端两侧对称设有进料口,研磨箱的一侧设有出料口,进料口内设有控组件,研磨箱的内部中上端设有可对原料研磨研磨机构,研磨机构的下端设有过滤网板;有益效果在于:通过控组件的巧妙设计,可以对药品原料的下料速率进行调节,有效避免了进料口内药品原料的堵塞,提高装置的实用性,通过过滤网板的设置,可以对研磨后的药品原料进行过滤,并通过第二弹簧和往复机构的配合设计,可以使过滤网板进行往复上下移动,有效避免过滤网板发生堵塞,进而可以使过滤网板加快对研磨后的药品原料的过滤,提高过滤效率。
  • 一种药品原料研磨装置

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