专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电流基准电路-CN202211258710.5在审
  • T·M·A·西卡德 - 恩智浦美国有限公司
  • 2022-10-14 - 2023-05-16 - G05F1/567
  • 本公开涉及电流基准电路。一种电流基准电路包括主电阻器,所述主电阻器包括:第一力接触端,其在所述主电阻器的第一端部处并且耦合到第一金属氧化物半导体(MOS)组件;第二力接触端,其在所述主电阻器的第二端部处并且耦合到第二MOS组件其耦合到一个双极结晶体管(BJT);以及第二感测接触端,其在所述第一感测接触件对面相隔所述主电阻器的长度并且耦合到另一双极结晶体管,其中所述第一感测接触端和所述第二感测接触端独立于所述第一力接触端和所述第二力接触端而交换电流基准
  • 电流基准电路
  • [发明专利]电流基准电路-CN201010260607.5有效
  • 金亨来 - 三星电子株式会社
  • 2010-08-19 - 2011-03-30 - G05F3/30
  • 一种电流基准电路包括与绝对温度成比例(PTAT)电流产生器、带隙基准电路、和电流复制电路。该PTAT电路产生器产生PTAT电流。该带隙基准电路基于该PTAT电流产生基准电压,并通过从该PTAT电流中消去第一电流来产生第二电流。第一电流具有零温度系数,而第二电流具有正温度系数。该电流复制电路基于该PTAT电流和第二电流复制第一电流
  • 电流基准电路
  • [发明专利]电流基准电路-CN201210199680.5有效
  • 李发宁;马侠 - 钜泉光电科技(上海)股份有限公司
  • 2012-06-15 - 2012-09-26 - G05F1/56
  • 本发明涉及CMOS技术,公开了一种电流基准电路。本发明中,电流基准电路没有使用运放,用较少的器件产生了电流基准电路结构简单,面积和功耗都比较小,而且在低频和高频下都具有较高的电源抑制比性能。将电源通过预调整电压产生电路后产生的预置电压输出给电流基准电路,可以为电流基准电路提供稳定的电源,能够进一步提高电流基准电路的电源抑制比性能。电流基准电路的启动电路,可以克服预调整电压产生电路中零电流简并点的存在,保证上电电路正常工作。
  • 电流基准电路
  • [发明专利]全CMOS基准电流-CN201510980070.2有效
  • 胡建鹏;罗彦彬;甘业兵;钱敏;乐建连 - 嘉兴禾润电子科技有限公司
  • 2015-12-22 - 2017-05-03 - G05F1/56
  • 本发明公开了一种全CMOS基准电流源,包括启动电路和用于输出基准电流IREF的基准电流产生电路。其中的基准电流产生电路包括4组由两个MOS管构成的电流镜结构,启动电路连接到基准电流产生电路中一个PMOS管的栅极,以在电源电压上电时对该栅极充电,以启动基准电流产生电路基准电流产生电路输出与电源电压大小无关的基准电流;并且,通过调节基准电流产生电路中的元件参数,能够使得输出的基准电流具有低温漂系数。本发明电路结构简单,大大简化降低了常用带隙基准电流电路的复杂度,电路面积小,成本低,性能可靠,实现了低功耗设计,在正常工作时基准电流产生电路消耗的电流小,可以适用于不同的电路模块中,适用范围广。
  • cmos基准电流
  • [发明专利]CMOS基准电路-CN200610161588.4有效
  • 孙伟锋;夏晓娟;谢亮;时龙兴 - 东南大学
  • 2006-12-28 - 2007-07-25 - G05F3/24
  • 本发明公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电路,包括启动电路,主偏置电流产生电路基准电压产生电路基准电流产生电路;启动电路,主偏置电流产生电路基准电压产生电路基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd,主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端,主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端,基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接,基准电流产生电路的输出端输出基准电流
  • cmos基准电路
  • [实用新型]CMOS基准电路-CN200620170897.3无效
  • 孙伟锋;夏晓娟;谢亮;时龙兴 - 东南大学
  • 2006-12-28 - 2008-01-02 - G05F3/24
  • 本实用新型公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电路,包括启动电路,主偏置电流产生电路基准电压产生电路基准电流产生电路;启动电路,主偏置电流产生电路基准电压产生电路基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd,主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端,主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端,基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接,基准电流产生电路的输出端输出基准电流
  • cmos基准电路
  • [发明专利]一种增强型MOS管基准电压源电路-CN200910138349.0有效
  • 喻晓涛 - 南京微盟电子有限公司
  • 2009-05-09 - 2009-12-09 - G05F3/30
  • 本发明提供了一种增强型MOS管基准电压源电路电路结构中只包含NMOS管、PMOS管和电阻三种元器件,而不包含耗尽型NMOS管和纵向PNP管,主要利用NMOS和PMOS管阈值电压不同线性温度系数的特性进行温度的补偿,获得较小温度系数的基准电压源。由启动电路基准电流电路基准电压产生电路所组成,其中,启动电路,连接于基准电流电路,以启动基准电流电路基准电流电路,连接于启动电路基准电压产生电路之间,被启动电路所启动,为基准电压产生电路提供偏置电流基准电压产生电路,和基准电流电路相连接,由基准电流电路通过镜像电路为其提供偏置电流,此电路产生输出基准电压。
  • 一种增强mos基准电压电路
  • [发明专利]一种低功耗基准电压和基准电流产生电路-CN202010435167.6在审
  • 刘新宁;童南阳 - 东南大学
  • 2020-05-21 - 2020-08-18 - G05F1/567
  • 本发明公开了一种低功耗基准电压和基准电流产生电路,包括启动电路基准电流产生模块和基准电压产生模块。启动电路注入电流脉冲,使电路脱离零状态;基准电压作为基准电流产生模块的输入信号,控制基准电流产生电路中工作在深线性区的MOS管的输出电阻的温度系数来产生基准电流,且基准电流作为基准电压产生电路的工作电流基准电压产生模块通过将具有负温度系数PN结电压的一部分和具有正温度系数电压线性叠加产生基准电压。本发明能同时产生基准电流基准电压,正常工作时消耗电流仅为49.4—53.9nA,实现了低功耗的基准电压电路基准电流电路,同时解决了传统带隙基准电路和现有低功耗基准电压源功耗随温度增加而增加的缺点。
  • 一种功耗基准电压电流产生电路
  • [发明专利]带隙基准电路-CN202111275148.2在审
  • 陈胜胜;白淳;郭亮亮;杨云 - 比亚迪半导体股份有限公司
  • 2021-10-29 - 2023-05-05 - G05F3/26
  • 本公开提供了带隙基准电路。所述带隙基准电路包括带隙基准电路、补偿电流发生子电路电流镜像子电路;所述电流镜像子电路分别与所述补偿电流发生子电路、所述带隙基准电路连接;所述带隙基准电路,用于生成带隙基准电压;所述补偿电流发生子电路,用于生成具有温度特性的补偿电流;所述电流镜像子电路,用于对所述补偿电流进行镜像生成镜像电流,通过所述镜像电流对所述带隙基准电压进行电压补偿。
  • 基准电路
  • [发明专利]一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路-CN201910327106.5有效
  • 李泽宏;胡任任;杨尚翰;洪至超;仪梦帅 - 电子科技大学
  • 2019-04-23 - 2020-03-31 - G05F1/575
  • 一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路,包括第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路、预稳压电路基准电流电路和带隙基准核心电路,第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路分别用于启动预稳压电路基准电流电路、带隙基准核心电路;预稳压电路用于产生局部电压为第二启动电路、第三启动电路基准电流电路和带隙基准核心电路供电,达到抑制电源纹波的效果;基准电流电路用于产生基准电流,带隙基准核心电路产生基准电压本发明通过设置带隙基准核心电路的共源共栅电流镜、运放输出端的前馈通路、基准电流电路增添第三条支路、基准源输出端串联RC低通滤波电路等技术有效改善了带隙基准电路的电源抑制比。
  • 一种具有稳压结构电源抑制基准电路

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