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[发明专利]存储装置与电阻式存储单元的操作方法-CN201610246584.X有效
发明人：吴昭谊;李岱萤;李明修;王典彦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该电阻式存储单元包括第一电极、第二电极及存储膜。该存储膜在第一电极与第二电极之间。第一电极包括底电极部分与从底电极部分向上延伸的壁电极部分。壁电极部分在存储膜与底电极部分之间。壁电极部分与存储膜的宽度是小于底电极部分的宽度。
存储装置电阻单元操作方法

[发明专利]膜电极结构及燃料电池-CN202311110532.6在审
发明人：陆维;刘元宇;刘泽慧;王晓雪;史林军;叶楠楠;杨琛 -专利权人：国家电投集团氢能科技发展有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜电极结构及燃料电池，膜电极结构包括：膜电极，包括质子交换膜和分别位于质子交换膜的相对两侧的阴极催化剂层和阳极催化剂层；两个气体扩散层，两个气体扩散层分别设置在膜电极的相对两侧且均与膜电极粘接；两个保护边框，两个保护边框与两个气体扩散层一一对应地设置，各个两个保护边框均套设在相应的气体扩散层外且与相应的气体扩散层间隔设置，各个两个保护边框均与膜电极粘接，解决了现有技术中的膜电极结构的膜电极的结构稳定性和可靠性较差的问题
电极结构燃料电池

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201680052503.0有效
发明人：井上和式;今村谦;津村直树;小田耕治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201580004157.4在审
发明人：坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN201280001076.5有效
发明人：佐藤荣一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：液晶显示装置具备：一对透明基板，隔着液晶层相互对置配置；栅极绝缘膜，按照覆盖栅电极的方式形成，所述栅电极形成在透明基板之中的一个透明基板的液晶层侧的像素区域；半导体膜，被设置在栅极绝缘膜上且构成薄膜晶体管；第1电极，隔着第1绝缘膜以及第2绝缘膜被设置在半导体膜上；第2电极，隔着第3绝缘膜被设置在第1电极上；和接触孔，被一并形成在第1绝缘膜、第2绝缘膜以及第1电极上的第3绝缘膜，并在接触孔中形成了第2电极，在接触孔的周围区域形成了浮动电极。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及电子设备-CN201210216767.9有效
发明人：细谷邦雄 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。
显示装置电子设备

[发明专利]N,N'－二辛基十八酰胺为活性载体制造pH电极方法-CN99110798.5无效
发明人：杨梦甦;袁若 -专利权人：杨梦甦
申请日： 1999-08-13 - 公布日： 2001-02-21 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种以N,N’－二辛基十八酰胺为活性载体制造PVC膜pH电极的方法。它是以N,N’－二辛基十八酰胺pH敏感载体增塑了的平面PVC膜粘贴在PVC电极套管贴膜的一端,有一内参比电极Ag/AgCl,浸于含有0.01M氯化钠的磷酸盐缓冲溶液中,使用时再与外参比电极(通常为甘汞电极本发明的优点电极膜是具有弹性的PVC膜,该膜不易破损其敏感膜电阻低,PVC膜电极不被氢氟酸(HF)腐蚀。
辛基十八活性载体制造 ph 电极方法

[发明专利]显示装置-CN201610202011.7在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一个目的在于提供包括氧化物半导体膜的晶体管，其用于显示装置的像素部分，并且具有高可靠性。一种显示装置具有第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜；在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极，其中，通过二次离子质谱法测量的所述氧化物半导体膜内含有的氢原子的浓度低于1×10¹⁶cm
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201410035960.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的在于提供包括氧化物半导体膜的晶体管，其用于显示装置的像素部分，并且具有高可靠性。一种显示装置具有第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜；在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极，其中，通过二次离子质谱法测量的所述氧化物半导体膜内含有的氢原子的浓度低于1×1016cm‑3。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201080054910.8有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的在于提供包括氧化物半导体膜的晶体管，其用于显示装置的像素部分，并且具有高可靠性。一种显示装置具有第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜；在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极，其中，通过二次离子质谱法测量的所述氧化物半导体膜内含有的氢原子的浓度低于1×1016cm-3。
显示装置

[实用新型]高频贴片射频功率电阻器-CN201821231019.7有效
发明人：刘洋 -专利权人：成都昊天宏达电子有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01C1/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种高频贴片射频功率电阻器，包括基体及其上设置的电极膜，所述基体为氧化铍陶瓷制成的长方体，所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层；A面电极膜层上还设有电阻膜层，整个电阻膜层覆盖有保护膜层；电阻器还包括起连接A面电极膜层和B面电极膜层的金属箔片。本实用新型将A面接地端电极加长以限制电阻膜层的长度，从而控制电阻器整体的寄生电感，保证电阻器频率能达到6GHz；将传统带引出线片式结构的电阻器改为无引线贴片式结构，没有引出线的电阻器在运输过程中不易损坏
电阻器电极膜层引出线电阻膜层本实用新型高频贴片射频功率电极膜控制电阻器微波传输线氧化铍陶瓷保护膜层侧面电极焊接难度寄生电感金属箔片片式结构水平连接贴片结构引线贴片运输过程接地端电极加长膜层焊接收缩保证覆盖

[发明专利]一种膜电极用胶粘剂及膜电极-CN202011264656.6在审
发明人：苏静;杨云松;叶思宇;邹渝泉;唐军柯;吴力杰;孙宁 -专利权人：鸿基创能科技（广州）有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：本发明属于燃料电池领域，具体涉及一种膜电极用胶粘剂及膜电极。该种膜电极用胶粘剂，主要由胶粘剂本体和自由基捕捉剂组成。该种胶粘剂用于膜电极中不容易降解失效，有利于延长膜电极的使用寿命。
一种电极胶粘剂

[实用新型]一种燃料电池电堆装配抓手工装-CN202122059483.0有效
发明人：孙晓宁;杨少生 -专利权人：上海韵量新能源科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M8/2404 文献下载
摘要：本实用新型公开了电堆装配技术领域的一种燃料电池电堆装配抓手工装，包括定位机构，定位机构包括用于承载双极板与膜电极的托盘和用于对双极板与膜电极的预装配进行定位的定位柱；抓取机构，抓取机构包括用于抓取和释放电极板与膜电极的爪手组件，抓取机构用于将爪手组件抓取的双极板与膜电极移动至装配压机上。本实用新型通过定位柱对在托盘上进行预装配的双极板与膜电极进行限位，可以保证双极板与膜电极的预装配精度；通过爪手组件抓取预装配的双极板与膜电极，并通过抓取机构的移动将预装配的双极板与膜电极移动到装配压机上，实现双极板与膜电极在装配压机上的快速装配，以提高电堆的生产效率。
一种燃料电池装配抓手工装

[实用新型]用于净水设备的膜堆和净水设备-CN202022990495.0有效
发明人：田炼;张艳鹤;吕晟东;孟繁轲 -专利权人：佛山市美的清湖净水设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于净水设备的膜堆和净水设备，膜堆包括：膜组，膜组包括相对设置的阳离子交换膜和阴离子交换膜；电极组，电极组包括正电极板和负电极板，正电极板设于膜组的一侧，负电极板设于膜组的另一侧；导流板，导流板包括第一格网、第二格网和第三格网，第一格网设于负电极板与阳离子交换膜之间，第二格网设于阳离子交换膜和阴离子交换之间，第三格网设于阴离子交换膜与正电极板之间；第一纤维压板和第二纤维压板，第一纤维压板压接于正电极板上，第二纤维压板压接于负电极板上。根据实用新型实施例的用于净水设备的膜堆，保证膜堆长时间运行，降低漏水风险，提高膜堆的安全性。
用于净水设备

[发明专利]半导体集成电路器件及其制作方法-CN201510121868.1在审
发明人：坂本美里;加藤芳健;山本阳一;笠井仁司;伊藤聪 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种电容元件，该电容元件在DRAM单元中构成并且具有下电极、形成在下电极上方的电容绝缘体膜、形成在电容绝缘体膜上方的上电极。上电极具有以下结构：从该电极的电容绝缘体膜侧，依次堆叠第一上电极、第二上电极和第三上电极。第三上电极是可包含杂质的钨膜。在第一上电极和第三上电极之间，插入第二上电极，第二上电极是用于防止第三上电极中的可能的杂质扩散到电容绝缘体膜中的阻挡膜。
半导体集成电路器件及其制作方法