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[发明专利]参考电压-CN201680027072.2在审
发明人：卡斯滕·伍尔夫;菲奥雷拉·因切·维莱斯莫罗 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种电压参考电路包含电压控制电流源；第一参考金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有第一阈值电压；第二参考金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有第二阈值电压，其中该第二阈值电压不同于该第一阈值电压；电流镜；及负载该电压控制电流源经布置以产生第一电流，该第一电流与该第一阈值电压与该第二阈值电压之间的差值成比例，且该电流镜经布置以产生第二电流以便产生参考电压，该第二电流为穿过该负载的该第一电流的经按比例调整版本。
参考电压

[发明专利]用于产生参考电压的参考电压电路-CN202111625309.6在审
发明人：吴宪宏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压电路，包含：第一电路，包含串联连接于电源节点与第一节点之间的第一PN结装置及第一电阻器，以及连接于第一节点与中间节点之间的第二电阻器，以及连接于中间节点与参考电压输出节点之间的第三电阻器反馈电流使得第一电阻器两端的电压抵消第一PN结装置两端的电压变化。施加校正电流以提升及或汲取参考电压产生器中的电流，以扩展操作温度范围。
用于产生参考电压电路

[发明专利]电压参考电路以及提供参考电压的方法-CN202110183899.5有效
发明人：王彦婷;艾伦·罗斯;艾力克·苏宁;亚历山大·卡尔尼斯基;郭良泰;郑新立 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。
电压参考电路以及提供方法

[发明专利]电压参考电路-CN201810170736.1在审
发明人：蒂埃里·迈克尔·阿兰·西卡尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电压参考电路包括：主放大器，其具有输出端以提供参考电压输出信号，其中所述输出端连接到第一输入端；偏移级，其连接到所述主放大器的第一输入端与第二输入端中的至少一个；以及PN结。在使用中，所述PN结被配置成在第一结端与第二结端之间提供结电压，其中所述结电压随着温度升高而减小。在使用中，所述偏移级被配置成在所述第一输入端与所述第二输入端之间提供偏移电压，其中所述偏移电压随着温度升高而增大。
输入端电压参考电路偏移电压主放大器结电压偏移级输出端连接参考电压输出信号输出端减小配置

[发明专利]电压参考电路-CN202010159874.7在审
发明人：蒂埃里·迈克尔·阿兰·西卡尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种电压参考电路，包括：电阻轨迹，该电阻轨迹具有第一力触点和第二力触点，该第一力触点和该第二力触点被配置成使电流穿过该电阻轨迹；第一感测触点、第二感测触点和第三感测触点，其中该感测触点中的每一个沿着该第一力触点与该第二力触点之间的该电阻轨迹布置在不同位置处，并且该感测触点被布置成限定第一电阻器和第二电阻器；第一组件布置，该第一组件布置包括具有温度相关电压偏置的P‑N结；第二组件布置；其中该第一组件布置和该第二组件布置中的一个或两个提供反偏置电压，该反偏置电压用于抵消该P‑N结的该温度相关电压偏置，使得该电压参考电路被配置成提供恒定输出参考电压。
电压参考电路

[发明专利]输出参考电压-CN202210718854.8在审
发明人：蔡柳春 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开涉及一种输出参考电压。一种实例设备可以是包含带隙核心部分的低电压带隙电路。所述带隙核心部分包含运算放大器(运放)。所述运放包含PMOS输入和NMOS输入。此外，所述运放为折叠式共源共栅运放。
输出参考电压

[发明专利]参考电压管理-CN202080031998.5有效
发明人： E·博兰里那;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请案涉及参考电压管理。描述用于例如在关键操作(例如感测操作)期间维持存储器装置中的稳定电压差的技术。待维持的电压差可为跨存储器单元的读取电压或与参考电压相关联的差，以及其它实例。组件(例如本地电容器)可在所述操作之前与偏置到第一电压(例如全局参考电压)的节点耦合以在电路系统相对安静(例如无噪声)时对所述第一电压与第二电压之间的电压差进行采样。跨所述组件的所述电压差可在所述第二电压的变化期间保持稳定，且可在所述操作期间提供稳定电压差。
参考电压管理

[发明专利]电压参考电路-CN200610065589.9无效
发明人：王为善;张坤山;陈美秀 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：电压参考电路包括正温度系数电流产生器、负温度系数电流产生器、以及第一电阻。在正温度系数电流产生器内，有两晶体管操作在弱反转区，且第二电阻串接在两晶体管的栅极之间。负温度系数电流产生器，通过负温度系数电压压降在第三电阻上，产生负温度系数电流。正温度系数电流与负温度系数电流一同流经第一电阻，进而产生稳定的参考电压。
电压参考电路

[实用新型]参考电压器件-CN200920149712.4有效
发明人：陆云;胡林辉;张美玲;王燕萍 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种参考电压器件，包括耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管，其中，耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同，且耗尽型PMOS晶体管的栅极为P型掺杂，增强型PMOS晶体管的栅极为N型掺杂，该参考电压器件的阈值电压不易随温度变化，稳定性好。
参考电压器件

[发明专利]参考电压控制装置和方法、参考电压产生装置-CN200810188201.3有效
发明人：罗文哲;陈巨 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：一种参考电压控制装置和方法、参考电压产生装置，其中，所述参考电压控制装置包括：电源电压跟踪单元，用于根据使能信号和电源电压，产生至少一个参照电压；比较单元，用于比较所述参照电压和基准电压，并根据比较结果输出控制信号，所述控制信号用于控制参考电压的变化范围。本发明通过对参考电压变化范围进行调整，使得图像传感器能够适应不同的电源电压工作环境，扩大应用的动态范围，并且提高输出图像的质量。
参考电压控制装置方法产生

[发明专利]电压参考电路和提供电压参考的方法-CN201910229739.2有效
发明人： M·卡姆勒;M·C·W·科林;V·M·考卡尔尼 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本公开涉及电压参考电路和提供电压参考的方法。电压参考电路使用开关电容器布置，以在提供电压参考的电路的不同操作阶段期间在电容器之间移动电荷。提供有电压参考的电路可以是模数转换器(ADC)。储存电容器用于提供参考电压。在不需要电压参考的阶段期间，在开关电容器布置的电容器之间共享电荷，以便增加储存电容器上的电荷。在电荷共享之后，储存电容器充满参考缓冲器的输出。
电压参考电路提供方法

[发明专利]可产生多个参考电压的参考电压发生电路-CN98102560.9无效
发明人：大野一树 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-06-29 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H03H7/24 文献下载
摘要：一种参考电压发生电路含有一个差动放大器，其第一输入端可接收一恒定电压，其第二输入端则通过一电压反馈路径与该差动放大器的输出端相连，以用于接收一个由该差动放大器输出并与第一参考电压成正比的电压；在该差动放大器的输出端上连接有一个由串联连接电阻构成的电压分配器，以形成一条独立于电压反馈路径之外的电流路径，从而使电压分配器能够产生一个与第一参考电压不同的第二参考电压。因此，利用单个参考电压发生电路就可以产生多个参考电压。
产生参考电压发生电路

[发明专利]使用参考电压产生负电压-CN98124836.5有效
发明人：冈本利治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-11-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H03L5/00 文献下载
摘要：在一负电压发生电路中，一参考电压发生电路产生一第一参考电压。一分压电路对第一参考电压和一负电压之间的电压进行分压，产生一分压。一比较电路比较一第二参考电压和分压。一负电压产生段根据比较电路的比较结果产生负电压，以提供给分压电路。当负电压等于一期望值时，相应于分压的电势等于地电势。
使用参考电压产生

[发明专利]参考电压预处理电路及参考电压预处理方法-CN201711069000.7有效
发明人：周敏忠 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明的实施例是关于一种用于一参考电压缓冲器的参考电压预处理电路及参考电压预处理方法。所述实施例包含一滤波器，该滤波器用以藉由经由两个串联的晶体管传递欲提供至一参考电压缓冲器的一参考电压来控制/减少附加至该参考电压的噪声及/或干扰。此外，所述实施例包含介接(interface)该滤波器与该参考电压缓冲器的一辅助电压电路，以避免使该参考电压缓冲器得到一无效参考电压。
参考电压预处理电路方法

[发明专利]参考电压产生电路及参考电压产生方法、控制芯片-CN201610513127.2有效
发明人：徐波;许益祯;尚飞;邱海军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开一种参考电压产生电路及其产生方法、控制芯片，涉及显示技术领域，用于根据不同的同步帧频率产生与其匹配的参考电压。其中，参考电压产生电路包括：差值计算单元，用于从时序控制器中获取固定帧频率和连续帧的同步帧频率，计算当前帧的同步帧频率与固定帧频率的帧频率差值；查找单元，查找单元内储存有多个帧频率差值和多个参考电压差值的一一对应关系，用于根据该对应关系查找出与计算得到的帧频率差值相对应的参考电压差值；参考电压计算单元，用于将与固定帧频率相匹配的固定参考电压和查找得到的参考电压差值相加，得到与当前帧的同步帧频率相匹配的参考电压。所述参考电压产生电路用于产生显示器进行显示所需要的参考电压。
参考电压产生电路方法控制芯片

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