专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电压产生-CN201310152353.9有效
  • 陈宜隆 - 创杰科技股份有限公司
  • 2013-04-27 - 2014-08-20 - G05F1/567
  • 本发明提供一种电压产生器,包括第一电流源、第二电流源、第一电阻器、参考电压产生器、第一放大器以及第二放大器。第一电流源根据第一偏压电压产生具有第一温度系数的第一电流和第二电流。第二电流源根据第二偏压电压产生具有第二温度系数的第三电流和第四电流。参考电压产生器根据第一电流和第三电流提供第一参考电压和第二参考电压。第一放大器根据第一参考电压和第二参考电压产生第一偏压电压。第二放大器根据第二参考电压和第三参考电压产生第二偏压电压。其中,第一温度系数与第二温度系数是互补的。
  • 电压产生器
  • [发明专利]基准电压产生电路-CN201410054346.X有效
  • 吉野英生 - 精工半导体有限公司
  • 2014-02-18 - 2017-03-01 - G05F1/56
  • 本发明提供基准电压产生电路,其即使存在制造工序偏差也具有平坦的温度特性。在半导体制造工艺结束后的半导体装置的电气特性的评价中,分别对3个单位基准电压产生电路(10)的基准电压VREF的温度特性进行评价。然后,从3个单位基准电压产生电路(10)中,仅选择具有最平坦的温度特性的单位基准电压产生电路(10)。只有此处选择出的单位基准电压产生电路(10)的熔断器(13~14)不被断开,而其他熔断器(13~14)被断开。因此,只有选择出的单位基准电压产生电路(10)工作,其他单位基准电压产生电路(10)不工作。
  • 基准电压产生电路
  • [发明专利]参考电压产生装置-CN200810008034.X有效
  • 林信章;王义成;吴政颖 - 亿而得微电子股份有限公司
  • 2008-03-04 - 2009-09-09 - G05F1/46
  • 本发明系一种参考电压产生装置,包括一电流产生电路产生一电流,一主动负载电路接收此电流并输出一参考电压,且主动负载电路包括至少一第一参考电压控制电路与一相耦接第二参考电压控制电路,用于降低或提升参考电压之准位,以及一参考电压准位供应电路用于提供至少两参考电压控制准位,以供第一、第二参考电压控制电路依据参考电压控制准位,调整参考电压准位系保持固定状态。
  • 参考电压产生装置
  • [发明专利]驱动电压产生电路-CN200910163841.3有效
  • 李龙淳 - 三星电子株式会社
  • 2009-08-12 - 2010-02-17 - G09G3/36
  • 提供了一种驱动电压产生电路。可降低制造成本并可提高显示质量的驱动电压产生电路具有:第一变换器,接收输入电压,并输出通过对输入电压电压电平进行第一变换而获得的第一驱动电压;第二变换器,接收并输出通过对第一驱动电压电压电平进行第二变换而获得的第二驱动电压;驱动电压控制器,根据环境温度调整第一变换器的变换量和第二变换器的变换量中的一个,其中,第二驱动电压根据环境温度以模拟方式连续变化。
  • 驱动电压产生电路
  • [发明专利]参考电压产生电路-CN200910119045.X有效
  • 廖英闵;林育信 - 联发科技股份有限公司
  • 2009-03-19 - 2009-12-30 - G05F3/16
  • 一种参考电压产生电路,包含:闭环支路,包含放大器,包含正输入端、负输入端及输出端,放大器的正输入端接收输入电压;第一MOS晶体管,包含栅极、源极及漏极,第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端,第一MOS晶体管的源极耦接放大器的负输入端;第二MOS晶体管,包含栅极、源极及漏极,第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏极,第二MOS晶体管的源极耦接第一电压源,第二MOS晶体管的漏极耦接第一MOS晶体管的源极本发明的参考电压产生电路,在低电压环境中可正常运作,可快速稳定并输出幅度相对较大的参考电压,并具有较少的功率消耗。
  • 参考电压产生电路
  • [发明专利]驱动电压产生电路-CN200810110464.2有效
  • 林佳柏 - 普诚科技股份有限公司
  • 2008-06-03 - 2009-12-09 - G09G3/36
  • 一种驱动电压产生电路,包括一第一电流产生单元耦接于一电压源及一接地端之间,用以产生一第一输入电流;一比较单元的第一输入端耦接于第一电流产生单元,其第二输入端耦接于其输出端,用以比较第一输入电流以及一第二输入电流,以产生一输出电压;一第二电流产生单元耦接于比较单元的输出端以及第二输入端之间,用以产生第二输入电流;以及一调整单元耦接于比较单元的第二输入端、第二电流产生单元及接地端,用以调整第二输入电流的大小;比较单元的输出端为驱动电压产生电路的输出端,输出电压电压电平由调整单元控制。本发明可提供多种不同输出电压供液晶显示器选择使用,令液晶显示器可有多种不同的显示对比。
  • 驱动电压产生电路
  • [发明专利]电压产生-CN201110281922.0有效
  • 陈至仁;赵光威 - 南亚科技股份有限公司
  • 2011-09-20 - 2013-02-13 - G11C11/4063
  • 本发明公开了一种电压产生器,包含有可控制分压器、推升电路以及下拉电路,其中该可控制分压器依据第一参考电压、第二参考电压以及控制信号以于该可控制分压器的输出端点产生输出电压,其中该第二参考电压小于该第一参考电压;该推升电路耦接于该可控制分压器的该输出端点以及该第一参考电压,且选择性地将该第一参考电压连接至该可控制分压器的该输出端点;该下拉电路耦接于该可控制分压器的该输出端点以及该第二参考电压,且用以选择性地将该第二参考电压连接至该可控制分压器的该输出端点本发明的直流电压产生器所输出的电压可以快速地到达所需的电压电平,且不会有类似电源抑制比以及稳定度降低的副作用产生
  • 电压产生器
  • [发明专利]电压基准产生电路-CN201410843846.1有效
  • 常祥岭;孙彪 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2014-12-29 - 2018-03-09 - G05F1/56
  • 本发明涉及一种电压基准产生电路,包括分压电路和基准电压源电路,其中,所述分压电路包括依次串联连接在输入电压与地之间的第一、第二、第三电阻,所述第一和第二电阻之间形成的第一节点为所述电压基准产生电路的输出端,所述第二和第三电阻之间形成的第二节点连接所述基准电压源电路的输出电压。本发明的电压基准产生电路,能够输出高于带隙基准的基准电压,并且在高输入电压下仍能使用低耐压器件,从而降低系统复杂度,节省版图面积。
  • 电压基准产生电路
  • [发明专利]共同电压产生电路-CN201810760294.6有效
  • 廖伟见;蔡孟杰 - 友达光电股份有限公司
  • 2018-07-11 - 2021-06-01 - G09G3/20
  • 一种共同电压产生电路包括:取样保持电路以及第一共同电压产生电路。取样保持电路用以根据第一栅极线驱动信号取样帧相位信号,以产生取样后信号,并将其提供至第一节点。第一共同电压产生电路包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及开关电路。第一晶体管具有控制端耦接第二节点。第二晶体管具有控制端受控于控制信号。第三晶体管具有控制端耦接第三节点。
  • 共同电压产生电路
  • [发明专利]参考电压产生电路-CN201010619480.1有效
  • 任铮;胡少坚;周伟 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2010-12-31 - 2011-05-18 - G05F3/02
  • 本发明公开一种参考电压产生电路,包含:第一级基准电压产生电路、超级源跟随器以及一第三NMOS晶体管,其中,该第一级基准电压产生模块用于隔离其输出的第一级参考电压与带隙基准电压,该超级源跟随器用于降低其输出的参考电压的输出阻抗,提高电源抑制比,该第三NMOS晶体管与该超级源跟随器的第四NMOS晶体管组成镜像恒流源以为超级源跟随器提供恒定电流,本发明通过将超级源跟随器引入到参考电压产生电路中,有效降低了电压源的输出阻抗,同时提高了其所产生的参考电压电压源的电源抑制比,从而能够提供精准、噪声小、不受负载影响的参考电压
  • 参考电压产生电路
  • [发明专利]电压产生-CN201310028361.2有效
  • 庄家硕;杨宗翰 - 创杰科技股份有限公司
  • 2013-01-24 - 2014-06-18 - G05F1/56
  • 本发明提供一种电压产生器,包括运算放大器、偏移电压调整器以及输出级电路。运算放大器接收输入电压并依据控制信号来调整运算放大器的偏移电压。偏移电压调整器用以提供控制信号。输出级电路依据运算放大器的输出端上的电压产生输出电压,并提供输出电压至运算放大器。
  • 电压产生器
  • [发明专利]电压产生电路-CN201310041887.4有效
  • 杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-02-01 - 2017-02-08 - G11C7/14
  • 本发明公开一种读电压产生电路,包括第一电荷泵,产生一读电压;取样电路,连接于该读电压,以对该读电压取样后送至比较器之一输入端,该读电压与取样电压的比例至少大于2;比较器,其另一输入端接基准产生电路,以获得具有温度补偿的基准电压,输出端输出反馈信号至该第一电荷泵以控制该第一电荷泵工作;以及基准产生电路,以产生带温度补偿的基准电压至该比较器,通过本发明产生的读电压比例高且跟随温度变化,利于扩展读电压
  • 电压产生电路
  • [发明专利]基准电压产生装置-CN201310050845.7有效
  • 吉野英生;小山内润;桥谷雅幸;广濑嘉胤 - 精工半导体有限公司
  • 2013-02-08 - 2017-07-18 - G05F1/567
  • 本发明提供基准电压产生装置,其具有平坦的温度特性。该基准电压产生装置具备第一导电类型的耗尽型MOS晶体管(10),其为了作为电流源发挥功能而进行连接并流过恒定电流;以及第一导电类型的增强型MOS晶体管(20),其进行二极管连接,具有与耗尽型MOS晶体管(10)的迁移率大致相同的迁移率,基于恒定电流产生基准电压(VREF),因为耗尽型NMOS晶体管(10)与增强型NMOS晶体管(20)的迁移率大致相同,所以它们的温度特性也大致相同,基准电压(VREF)
  • 基准电压产生装置

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