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[发明专利]一种新型散热结构的玻璃球泡灯-CN201811522875.2有效
发明人：钱雪行;王本智 -专利权人：深圳市晨日科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： F21K9/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型散热结构的玻璃球泡灯，包括玻壳、塔状曲面光源、喇叭玻璃管、排气玻璃管和灯头，所述灯头内部设置有电源驱动；所述塔状曲面光源通过导热硅胶固定在喇叭玻璃管外表面上；所述喇叭玻璃管的尾端与玻壳的开口边缘连接；所述玻壳通过焊泥固定在灯头内侧边缘上；所述排气玻璃管伸入喇叭玻璃管内部；所述塔状曲面光源包括基板、发光晶片和胶条，所述基板通过导热硅胶环绕固定在喇叭玻璃管的外表面上；所述发光晶片分布在基板上；所述胶条包裹住发光晶片本发明的新型散热结构的球泡灯近似全角度出光，无暗区，并且可以将曲面光源的热量充分传递到玻璃管上，玻璃管将热量沿喇叭玻璃管向玻壳传导，延长了光源寿命和使用的安全性。
玻璃管喇叭曲面光源玻壳新型散热结构发光晶片灯头基板塔状排气玻璃管玻璃球泡导热硅胶胶条电源驱动光源寿命环绕固定开口边缘内部设置内侧边缘球泡灯无暗区伸入尾端传导近似传递

[发明专利]可调吸收的多层激光剥离结构-CN201580060177.3在审
发明人： P.安德里;J.格洛姆;C.K-I.曾;B.韦伯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：使用黏着层及烧蚀层两者的吸收特性来促进装置晶片与玻璃操作体的剥离，而不会损害装置晶片。黏着层及烧蚀层的穿透深度选择成使得到达装置晶片的表面的烧蚀注量至多是可忽略的量。
可调吸收多层激光剥离结构

[发明专利]玻璃衬底上的集成电路（IC）-CN201680054853.0在审
发明人：古仕群;D·D·金;M·M·诺瓦克;金钟海;C·H·芸;J-H·J·兰;D·F·伯迪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)包括玻璃衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片的第一半导体区域。IC包括玻璃衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件包括块体硅晶片的第二半导体区域。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。
玻璃衬底集成电路 ic

[发明专利]用于形成绝缘体上半导体器件的改进衬底组合物和方法-CN200880119205.4有效
发明人： M·J·德内卡;A·J·埃利森;K·P·加德卡里 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：用于制造绝缘体上半导体结构的方法和装置包括：对供体单晶半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺处理，以产生该供体半导体晶片的剥离层；利用电解将该剥离层的注入表面接合至玻璃衬底，其中该玻璃衬底的液相粘度约为100,000
用于形成绝缘体半导体器件改进衬底组合方法

[实用新型]一种玻璃钝化芯片钝化舟-CN202221536797.3有效
发明人：魏兴政;李浩 -专利权人：济南兰星电子有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件生产设备技术领域，提出一种玻璃钝化芯片钝化舟，包括舟架和载片器，舟架的一端设置有钩挂孔，所述舟架上设置有多个沿其长度方向间隔分布的卡槽，所述卡槽用来安装载片器，所述载片器包括底座，所述底座上设置有三个呈三角分布并与底座垂直连接的支柱，所述支柱上设置有多个沿其长度方向间隔分布的舟槽板，同一载片器上不同层的舟槽板之间用来承载晶片。本实用新型舟架可布置多个载片器以方便对多组晶片进行钝化处理，而晶片在载片器上以水平状态放置能够保证气流的顺畅性，同时也有利于玻璃熔化后在晶片沟槽里面对称流淌，从而保证玻璃钝化晶片的质量，而且本装置设计合理
一种玻璃钝化芯片

[实用新型]一种高硼硅玻璃外壳360°发光LED装置-CN201820692138.6有效
发明人：周玉春 -专利权人：东海县飞亚电光源有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： F21K9/232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硼硅玻璃外壳360°发光LED装置,包括高硼硅玻璃外壳，所述高硼硅玻璃外壳的两侧外壁均设有固定密封圈，两个所述固定密封圈之间横向设有半导体晶片组，所述半导体晶片组位于高硼硅玻璃外壳的内部，所述固定密封圈的一侧外壁设有玻璃芯柱，所述玻璃芯柱靠近外壳的一端贯穿固定密封圈并延伸至高硼硅玻璃外壳的内部，所述半导体晶片组前侧外壁焊接有电源导引线，本实用新型采用直径为45‑65mm高硼硅玻璃外壳，
高硼硅玻璃固定密封圈半导体晶片本实用新型玻璃芯柱发光LED 灯具使用寿命空气对流散热两侧外壁散热效率位置调整侧外壁导引线大棚光衰减小外壁移动光源焊接电源贯穿延伸

[发明专利]基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件-CN201711348048.1有效
发明人：余海明 -专利权人：浙江明烁节能科技股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： F24D13/02 文献下载
摘要：本发明属于供暖技术领域，尤其涉及一种基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件。它解决了现有技术设计不合理等问题。本基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件包括玻璃，在玻璃外表面设有光伏晶片，在玻璃的内表面设有若干呈间隔设置的石墨烯导电发热膜，所述的光伏晶片上连接有导线且所述的导向与并联或者串联的石墨烯导电发热膜电连。
基于光电功能石墨供暖玻璃组件

[实用新型]基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件-CN201721763767.5有效
发明人：余海明 -专利权人：浙江明烁节能科技股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： F24D13/02 文献下载
摘要：本实用新型属于供暖技术领域，尤其涉及一种基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件。它解决了现有技术设计不合理等问题。本基于光电功能的石墨烯供暖玻璃组件包括玻璃，在玻璃外表面设有光伏晶片，在玻璃的内表面设有若干呈间隔设置的石墨烯导电发热膜，所述的光伏晶片上连接有导线且所述的导向与并联或者串联的石墨烯导电发热膜电连。
石墨烯供暖玻璃光电功能本实用新型光伏晶片发热膜导电供暖技术领域玻璃外表面玻璃隔热功能技术设计间隔设置组件包括内表面并联电连串联

[发明专利]带有玻璃层和振荡器的集成电路封装-CN200610126949.1有效
发明人：塞哈特·苏塔迪嘉 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)封装包括IC晶片和与IC晶片相邻布置的退火玻璃浆(AGP)层。铸型材料封装了AGP层和IC晶片的至少一部分。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上的多个分离区域上。一层导电材料被布置在AGP层的一部分上。
带有玻璃振荡器集成电路封装

[发明专利]带有温度补偿的锁相环-CN200610126948.7无效
发明人：塞哈特·苏塔迪嘉 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)封装包括IC晶片和与IC晶片相邻布置的退火玻璃浆(AGP)层。铸型材料封装了AGP层和IC晶片的至少一部分。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上的多个分离区域上。一层导电材料被布置在AGP层的一部分上。
带有温度补偿锁相环

[发明专利]带有退火玻璃浆的集成电路封装-CN200610126947.2无效
发明人：塞哈特·苏塔迪嘉 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)封装包括IC晶片和与IC晶片相邻布置的退火玻璃浆(AGP)层。铸型材料封装了AGP层和IC晶片的至少一部分。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上。AGP层被布置在IC晶片的至少一侧上的多个分离区域上。一层导电材料被布置在AGP层的一部分上。
带有退火玻璃集成电路封装

[发明专利]用于半导体晶片的气密导电馈通件-CN201480055724.4有效
发明人： D·A·卢本;M·S·莎德林 -专利权人：美敦力公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： A61N1/375 文献下载
摘要：一种玻璃晶片具有内部表面和隔开晶片厚度的相对的外部表面。气密的导电馈通件穿过晶片从内部表面延伸至相对的外部表面。馈通件包括馈通件构件，该馈通件构件具有沿着内部表面暴露的用于电耦合至电路的内部面。馈通件构件从内部面部分地穿过晶片厚度延伸至气密地嵌入在晶片内的面向外的外部面。
用于半导体晶片气密导电馈通件

[发明专利]一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法-CN201810921268.7在审
发明人：李洋洋;薛海蛟;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；其中目标晶片的厚度为10~80μm，目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英；上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜，支撑衬底晶片的厚度为0.2~1mm，支撑衬底晶片的材料为硅、石英或玻璃，并且目标晶片和支撑衬底晶片的材料不同；本申请的带电极的反向台面超薄晶片，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；采用隔离层将目标晶片和支撑衬底晶片连接，其中目标晶片的表面质量好，表面平整度高，因而与目标晶片连接的上电极和下电极的有效面积大，制备的谐振器的频率稳定性高。
目标晶片支撑衬底晶片电极下电极超薄晶片带电极隔离层台面制备从上而下石英表面平整度频率稳定性有效面积金属膜谐振器钽酸锂铌酸锂玻璃申请

[发明专利]硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法-CN200680021691.7有效
发明人：水流添顺一;大越信一;山崎国广 -专利权人：信越石英株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种具有透明的切槽面的硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法，该切槽面不会附着玻璃粉、金刚石刀等导致的过渡金属元素异物的颗粒，并且，即使在氟酸洗涤中尺寸变化也小，即使长时间使用也可高度维持清洁度，其中，硅晶圆热处理用石英玻璃夹具具备晶片载置用部件，该晶片载置用部件具有通过切削加工形成的切槽面，上述晶片载置用部件的切槽面整体为透明的，其表面粗糙度按中心线平均粗糙度(Ra)为0.03～0.3μm，按最大粗糙度(Rmax)为0.2～3.0μm，并且以5％的氟化氢水溶液处理24小时后，中心线平均粗糙度和最大粗糙度的变化率为50％以下；硅晶片热处理用石英玻璃夹具的制造方法是以粒度粗的金刚石刀对晶片载置用部件进行粗切削后
晶片热处理石英玻璃夹具及其制造方法

[发明专利]LED封装方法-CN201410038645.4有效
发明人：裴小明;曹宇星 -专利权人：上海瑞丰光电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明适用于LED制造领域，提供了一种LED封装方法，包括制作具有阵列式凹穴的透明封装胶片或透明玻璃片；向凹穴内填充荧光胶，每个凹穴填充的荧光胶量为凹穴容积与待封装覆晶晶片的体积之差；将覆晶晶片固定于荧光胶中，使覆晶晶片的底部电极外露，形成阵列式LED封装片；将阵列式LED封装片分割成多个LED封装单体。本发明在透明封装胶片或透明玻璃片上对覆晶晶片进行封装，封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶组成，可靠性高、节省物料、成本低、产能高；无支架形状限制，利于大规模集成封装；不必分离荧光胶，节约了制程；可减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗，利于提升产品亮度；晶片正负极无需镀金锡合金层，节约成本。
led 封装方法