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[发明专利]一种导模法生长3"×9"大尺寸薄片状氧化铝单晶体的工艺方法-CN201210567914.7在审
发明人：滑芬;秦承安;赵岩;张克华 -专利权人：天津市硅酸盐研究所有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C30B15/24 文献下载
摘要：本发明提供一种采用导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺方法。采用双层感应线圈、双层钼筒及发热体的加热系统，双层石墨化高纯碳纤维毡夹氧化锆砂的复合高效保温系统，高温梯度区的温度气氛调节组件、次高温梯度区的温度调节屏共同作用的温场调节控制系统，三系统协同作用，为晶体生长提供一个均匀、稳定、可控的温度场环境，形成导模法生长大尺寸晶体的纵横两个方向适宜的温场条件，原料熔化高温熔融区温度均匀，没有局部过热现象，晶体生长大区间的热环境(温场)适宜导膜法晶体生长。控制晶体生长工艺参数，实现3″×9″大尺寸薄片状氧化铝单晶体过程，得到高品质一次成型的大尺寸片状氧化铝单晶体。
一种导模法生长尺寸薄片氧化铝单晶体工艺方法

[发明专利]一种片状镍钴双金属有机框架晶体材料及其制备方法-CN202211467637.2在审
发明人：金达莱;王梦虎;李赛赛;周伽民;汪丽娜 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状镍钴双金属有机框架晶体材料及其制备方法。该制备方法是将镍和钴的可溶性盐、对苯二甲酸和聚乙烯吡咯烷酮共同溶于二甲基咪唑溶液中，待均匀溶解后，将活性碳布浸泡在混合溶液中，在密闭的反应釜内进行水热反应；水热反应后，自然冷却至常温，经洗涤、干燥，获得负载在活性碳布表面的片状镍钴双金属有机框架晶体该方法工艺简单、操作方便、成本低廉，所得到的片状晶体分布均匀，其片状结构增大了晶体颗粒的比表面积、表面积的增加能够扩大与电解液的接触面积，加速电解液离子的传输，在新型能源材料领域具有广阔的应用前景。
一种片状双金属有机框架晶体材料及其制备方法

[实用新型]一种用于片状晶体的磨片装置-CN202021530178.4有效
发明人：万文 -专利权人：安徽环巢光电科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于片状晶体的磨片装置，涉及片状晶体加工技术领域，包括底座，所述底座顶部的两侧固定连接有立柱，所述立柱相对应的一侧均开设有连接槽，所述连接槽的内部均转动连接有螺纹杆，本实用新型的有益效果为：该用于片状晶体的磨片装置，通过设置有滤板、收集箱以及软管，磨轮在对片状晶体进行磨片时，气泵的吸口将磨片时产生的碎屑从吸头吸入至收集板内部，然后将碎屑吸入至软管内部，然后气泵的出口将碎屑排入至收集箱内部
一种用于片状晶体装置

[发明专利]阵列基板、显示装置和制备方法-CN202210325360.3有效
发明人：唐榕;李荣荣 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示装置和制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管和衬底，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括半导体层，所述薄膜晶体管还包括挡光隔热层，所述半导体层设置在所述挡光隔热层上；所述挡光隔热层包括挡光基体和片状团簇结构，所述挡光基体设置有多孔结构，所述多孔结构包括多个孔洞，所述孔洞内设置所述片状团簇结构；其中，所述挡光隔热层用于遮挡入射光线，所述片状团簇结构用于吸收所述入射光线产生的热量，通过在薄膜晶体管内设置挡光隔热层，改善了背光模组的光照对薄膜晶体管造成的影响，提升液晶显示器的品质以及使用者的使用体验。
阵列显示装置制备方法

[发明专利]一种富含缺陷位的片状金属氧化物薄膜的制备方法-CN201711400013.8在审
发明人：高寒阳;胡国新 -专利权人：杭州电子科技大学;上海交通大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种富含缺陷位的片状金属氧化物薄膜的制备方法，利用富含边缘缺陷的超小尺寸二维片状金属氧化物颗粒，在连接剂的辅助之下自组装形成大尺寸的超薄的片状材料；再利用氢化过程对自组装得到的薄片进行晶化处理，使得拼接的小片之间形成化学键，形成大片晶体，并在大片晶体形成过程中在材料表面和内部保留大量的边缘缺陷，从而得到富含缺陷位的二维片状金属氧化物。与现有技术相比，本方法制备得到的粉末为大尺寸片状晶体的松散堆叠，可方便的分散在溶解中，此分散液可通过多种方法沉积在柔性衬底在内的各种衬底上，制备得到致密光滑的氧化金属功能薄膜。
富含制备片状金属氧化物边缘缺陷二维片状自组装衬底薄膜金属氧化物颗粒致密化学键金属氧化物大片功能薄膜晶化处理晶体形成片状材料片状晶体氢化过程氧化金属分散液连接剂再利用堆叠沉积光滑拼接松散溶解保留

[发明专利]一种微米级薄片状锆钛酸铅晶体的制备方法-CN201810310150.0有效
发明人：杨颖;孙胜;王一平;盛云;胡悫睿;封硕;李秀秀 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级薄片状锆钛酸铅晶体的制备方法，涉及压电陶瓷领域。本发明采用熔盐法制备具有片状001择优取向的钛酸铋铅晶体作为前驱体，通过拓扑化学反应使该前驱体晶体与PbO、ZrO2按摩尔比1：7~7.2：4混合，再将混合后的粉体与混合，在850℃~1050℃保温1~4小时，通过热去离子水洗涤和酸洗，除去烧成物中的NaCl和Bi2O3，获得微米级薄片状锆钛酸铅（Pb(Zr0.5Ti0.5)O3）晶体。本发明制备的锆钛酸铅晶体具有钙钛矿结构，微观形貌为薄片状，具有较大的径厚比和高取向度。制备过程稳定，可作为高取向度的锆钛酸铅织构陶瓷的种晶。
一种微米薄片状锆钛酸铅晶体制备方法

[发明专利]五氧化三钛晶体的制备方法-CN201410023857.5有效
发明人：陈钦忠;张喻 -专利权人：福州阿石创光电子材料有限公司
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：一种五氧化三钛晶体的制备方法，包括将钛粉和二氧化钛在一烧结模具中混匀、平铺压实；置于真空烧结炉内抽真空；分阶段烧结，最后冷却获得产品；其中烧结曲线如下：常温-1200℃，6～8℃/min；1200℃-1670本发明可制得片状的五氧化三钛晶体，片状Ti₃O₅晶体可缩短预熔时间，甚而可去除预熔工序，直接蒸镀，大大缩短了镀膜时间；且用片状Ti₃O₅晶体制得的镀膜层产品，其纯度和质量得到有效提升。
氧化晶体制备方法

[发明专利]一种携带纳米铜晶体的片状铜粉及其制备方法-CN201710861542.1有效
发明人：张德良;李晨光;张明威;阮绵面;梁加淼;谢跃煌 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种携带纳米铜晶体的片状铜粉及其制备方法。片状铜粉中铜片的厚度为100～500nm，铜片表面均匀附着纳米级别的铜晶体颗粒；制备方法包括以下步骤：首先铜粉与其他金属粉制备层片相间的铜合金化复合粉末；然后铜合金化复合粉末钝化后进行去合金化处理，除去铜合金化复合粉末中的其他金属；最后清洗、干燥去合金化的粉末得到携带纳米铜晶体的片状铜粉；本发明技术方案制备得到新型的片状铜粉末结构，具有更优异的导电、催化等性能；制备工艺方法缩短了球磨时间，简化了工艺流程，减少了杂质引入，简便易操作
制备片状铜粉复合粉末晶体的纳米铜铜合金携带合金化处理粉末结构均匀附着纳米级别铜片表面制备工艺工艺流程合金化金属粉片状铜铜晶体层片导电钝化球磨铜粉铜片催化清洗放大金属引入

[发明专利]一种免加工片状激光晶体的制备方法及应用-CN201811038334.2在审
发明人：钟德高;滕冰;王正平;张栩朝;朱敏;冯圆权;孔惠琳 -专利权人：青岛大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：本发明属于激光材料与激光技术领域，涉及一种免加工片状激光晶体的制备方法及应用，将Re₂O₃与PbHPO₄混合放入铂金坩埚，其中Re为Nd和Y，或为Nd和Lu，晶体生长时，先从室温升温至1250℃并保温24h，溶液稳定后开始降温生长，降至900℃后关闭铂金坩埚的电源使其自然降温至室温，最后用沸腾浓硝酸浸泡2天，将晶体从助熔剂中分离出来，获得片状激光晶体；制备的片状激光晶体可掺杂浓度高，增益大，荧光寿命长，热导率高，光损伤阈值高，便于获得低泵浦阈值、高效率、高功率激光输出；而且便于与被动调Q元件或非线性光学元件组合，从而得到脉冲或可见、紫外激光，小型化
片状激光晶体制备铂金坩埚非线性光学元件激光技术领域高功率激光广阔应用激光材料晶体生长溶液稳定携带方便荧光寿命紫外激光自然降温被动调Q 高效率光损伤浓硝酸热导率助熔剂脉冲泵浦放入保温加工浸泡应用电源掺杂沸腾输出便利生长

[发明专利]克尔透镜锁模的固态薄片激光器-CN201510317077.6在审
发明人：魏志义;彭英楠;张金伟;李德华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种克尔透镜锁模的固态薄片激光器，用于输出经锁模的激光，包括：泵浦源，用于提供泵浦激光；由多个光学元件限定的谐振腔，用于提供一往返光路，以在谐振腔内形成振荡激光；用作增益介质的片状结构激光晶体和相对于振荡激光以布儒斯特角布置的克尔透镜，均设置在谐振腔内的往返光路中；激光晶体面向泵浦源的一面镀有对泵浦激光和振荡激光高透的介质膜，激光晶体背向泵浦源的一面镀有对泵浦激光和振荡激光高反的介质膜；片状结构激光晶体的厚度为100～400μm。本发明采用厚度较小的薄片状Yb:YAG激光晶体，较好地解决了激光晶体的散热问题，进而实现了高功率的稳定锁模激光脉冲输出，同时保证了输出激光的光束质量。
克尔透镜固态薄片激光器

[实用新型]碳纤维发热片及碳纤维发热器-CN201220230503.4有效
发明人：李瑞山;王晓岭 -专利权人：杭州奥普卫厨科技有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：属于加热器，现有碳纤维发热管功率衰减快、易断裂、热量不容易散出，本实用新型的碳纤维发热器，包括石英管及封装在石英管内的碳纤维发热片，碳纤维发热片的两端分别连接一个位于石英管外的电极，碳纤维发热片由碳结晶体制成片状，沿片状碳结晶体的边缘分布缺口，相邻缺口由碳结晶体条隔开。本实用新型碳纤维发热片的沿片状碳结晶体的边缘分布缺口，相邻缺口由碳结晶体条隔开的结构，起到很好的弹性缓和作用，能很好地解决碳片的断裂现象；加大了碳结晶体发热体的辐射面积将近一倍，提高了辐射热效率，热量易散出
碳纤维发热

[实用新型]一种片状晶体表面洁净度检测装置-CN202223071994.5有效
发明人：黄祥跃;陈燕平;孙义林 -专利权人：福建致卓光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本实用新型涉及片状晶体表面洁净度检测装置，它包括设有台面的检测厨、固设于检测厨台面上的晶体固定组件以及设于晶体固定组件上方且带摄像功能的无影灯组件；所述晶体固定组件包括2个间隔固设于检测厨台面上的固定座、转动连接于两固定座之间的吸附盘以及与吸附盘通过管路连接的真空泵；所述吸附盘内设有腔室，所述吸附盘的前侧壁上间隔设有若干组由吸附孔组成的吸附孔组，所述吸附孔与吸附盘的腔室连通且用于吸附片状晶体，所述管路与所述吸附盘的腔室连通本实用新型的片状晶体表面洁净度检测装置可快捷方便地检测晶片表面的洁净度，不会对晶片的通光面造成损伤，而且一次性可对多片晶片进行洁净度检测，极大地提高检测效率，提升产能。
一种片状晶体表面洁净检测装置

[发明专利]一种低温合成超薄微米片状钛酸锶钡晶体的方法-CN201310320618.1有效
发明人：翟继卫;刘少辉;汪金文;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温合成超薄微米片状钛酸锶钡晶体的方法，首先用熔盐法制备出片状的Bi4Ti3O12中间体，然后利用NaOH和KOH在230～260℃融化提供的液体环境中，Bi4Ti3O12中间体与Ba(OH)2、Sr(OH)2采用离子交换法制备超薄微米片状钛酸锶钡晶体。与现有技术相比，本发明制备的微米级片状钛酸锶钡晶体为立方相钙钛矿结构的钛酸钡粉体；大小分布均匀，外形为方片或长方片状，外形尺寸长为4-8μm，厚为0.2-0.5μm，可通过调节钡锶比调节钛酸锶钡的晶格常数，使钛酸锶钡种晶与基体陶瓷粉体具有相近的晶格常数，更好的引导基体在种晶的表面外延生长，该晶体适合做模版法制备高性能织构化压电陶瓷的种晶；该方法具有合成温度低、简单易行、成本低、能耗小、方便快速等优点，可规模化生产
一种低温合成超薄微米片状钛酸锶钡晶体方法

[实用新型]一种提拉法晶体生长用热场装置-CN201220458146.7有效
发明人：曹远虎;梁万国;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：一种提拉法晶体生长用热场装置，包括坩埚，坩埚置于热场中央，坩埚与外保温坩埚之间填满保温粉，外保温坩埚外同心设置感应线圈，坩埚口上方同心设置圆筒状蓝宝石晶体内衬，圆筒状蓝宝石晶体内衬上端口设有圆片状蓝宝石晶体内衬盖，圆筒状蓝宝石晶体内衬同心设有带观察孔的保温层，圆片状内衬盖上设有带籽晶杆孔的外围保温层。
一种提拉法晶体生长用热场装置

[发明专利]集成电路的形成方法-CN202210670330.6在审
发明人：林志昌;潘冠廷;陈仕承;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成覆层内侧间隔物于晶体管的源极区与晶体管的栅极区之间。方法包括形成片状物内侧间隔物于半导体纳米片之间，且片状物内侧间隔物的沉积制程与覆层内侧间隔物的沉积制程分开。
集成电路形成方法