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- [发明专利]碳化硅单晶锭的制造方法-CN201811514867.3有效
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藤川阳平
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昭和电工株式会社
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2018-12-12
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2021-03-09
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C30B29/36
- 制造方法包括:升温工序,使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度;单晶生长工序,维持晶体生长温度,使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长;以及降温工序,使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止,在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序,在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加,使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高
- 碳化硅单晶锭制造方法
- [发明专利]阿魏酸钠的缓释剂型及其制备方法-CN02111691.1无效
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胡晋红;李凤前
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中国人民解放军第二军医大学
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2002-05-16
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2002-12-18
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A61K31/19
- 阿魏酸钠是临床常用药物,现有的剂型有普通片剂、散剂和水溶液剂等,因其生物半衰期短,故口服后在体内消除快,有效血药浓度维持时间短,患者服药次数就多。本发明以羟丙甲纤维素或甘油山嵛酸酯作为缓释辅料,采用压片工艺或固体分散技术将阿魏酸钠制成各种缓释剂型,缓释效果达12至24小时,从而减少了给药次数,使血药浓度在较长时间内维持平稳,不仅克服了多次给药带来的药物浓度在体内波动性大的缺陷
- 阿魏酸剂型及其制备方法
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