专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像形成装置-CN201410130993.4有效
  • 铃木伸五;金子悟士;平井秀二;工藤宏一;山根淳;加藤真治 - 株式会社理光
  • 2014-04-02 - 2017-01-04 - G03G15/00
  • 本发明提供的图像形成装置是在从上一次的基准回转位置的检测时刻开始经过显影辊等的回转体回转规定回转数的时间后还是没有检测到基准回转位置时,在不发生停歇时间的情况下降低该具有该回转体的回转周期的图像浓度不均每当检测到显影辊的原本位置(HP)时,都以根据该检测时机的控制开始时机来开始按照通过从降低显影辊回转周期的图像浓度不均的补正表格的先头补正值依次读取的补正值来补正的显影偏压的图像形成控制。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]晶体管用外延晶片及晶体管-CN200610167018.6有效
  • 守谷美彦 - 日立电线株式会社
  • 2006-12-13 - 2007-06-20 - H01L29/73
  • 在半绝缘性GaAs衬底(1)上,顺次形成n型次集电极层(2)、n型集电极层(3)、p型基极层(4)、n型发射极层(5)和n型InGaAs非合金层(10),n型InGaAs非合金层10由In组分不均匀n型InGaAs渐变层(10a)(不均匀组分层)和其上的In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层(9)所构成。渐变层(10a)由In组分低的第一渐变层(7)(第一层)和In组分高于第一层的第二渐变层(8)构成,第一渐变层(7)中,为了抑制该In组分的C(碳)的背景浓度,且为了在掺杂Se作为n型掺杂剂时得到更高的载流子浓度
  • 晶体管用外延晶片晶体管
  • [发明专利]一种DCR机组带钢下表面乳化液浓度补偿方法-CN201911109433.X有效
  • 白振华;张佳胜;钱承;崔熙颖 - 燕山大学
  • 2019-11-13 - 2021-02-12 - B21B37/00
  • 本发明提供一种DCR机组带钢下表面乳化液浓度补偿方法。属于冷轧技术领域,为解决由于轧制变形区带钢表面油膜厚度沿带钢宽度方向分布不均匀,导致轧制变形区润滑性能沿带钢宽度方向分布不均匀,带钢表面容易出现条状斑迹缺陷,影响二次冷轧机组带钢表面质量的问题,本发明方法收集轧制变形区带钢表面平均油膜厚度的设定目标值以及轧制变形区带钢下表面油膜厚度补偿优化所需设备工艺参数;S2、计算轧制变形区带钢上表面析出油膜厚度和下表面析出油膜厚度;S3、将轧制变形区带钢上下表面油膜厚度的差值最小为目标函数G(X);S4、确定轧制变形区带钢上下表面乳化液浓度的优化设定值
  • 一种dcr机组带钢表面乳化浓度补偿方法

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