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- [实用新型]山药浅生栽培定向槽-CN200720052037.4无效
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林桂发
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林桂发
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2007-05-26
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2008-02-06
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A01G1/00
- 本实用新型涉及一种用于山药定向浅生栽培的定向槽，技术特征是，定向槽为槽长50～110cm、槽深1.8～4.5cm、槽弧长7～14cm、槽弧曲率半径为1.5～5cm的塑料槽，定向槽的上端封闭，定向槽的下端开口，或者，定向槽的下端封闭，并在槽底处设置若干个小孔。具有槽壁的厚度可较薄、成本大大降低、斜度可以较平、薯条生长环境较好，更加适合山药定向结薯的优点，适用于各种山药作为浅生栽培的定向槽。
- 山药栽培定向
- [实用新型]一种顶梁结构-CN201520316578.8有效
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李宁;韦超忠;窦晓东
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上汽通用五菱汽车股份有限公司
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2015-05-15
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2015-09-30
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B62D25/06
- 本实用新型公开了一种顶梁结构，包括顶梁，所述顶梁的两端均与汽车顶盖固定，所述顶梁的上部设有沿长度方向不间断延伸的上涂胶槽，所述顶梁的下部设有沿长度方向延伸的下涂胶槽，所述上涂胶槽和所述下涂胶槽均包括深槽区和浅槽区，所述深槽区和所述浅槽区沿长度方向在所述上涂胶槽上交错分布，所述深槽区和所述浅槽区沿长度方向在所述下涂胶槽上交错分布，所述浅槽区内设有涂胶体，所述浅槽区通过所述涂胶体与所述汽车顶盖粘贴固定。保证了涂胶槽结构连续，进而有效提高零件刚度，同时能使整车顶盖的模态性能提升；而且保证涂胶区域的辨识度明显，便于工人操作，提高生产效率，降低了成本。
- 一种顶梁结构
- [发明专利]2D存储器的浅槽隔离生成方法-CN202210945611.8在审
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吴红东
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至讯创新科技（无锡）有限公司
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2022-08-08
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2022-10-14
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H01L21/762
- 本发明提供了一种2D存储器的浅槽隔离生成方法，包括在硅衬底上形成隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层上形成存储单元区和外围电路区；生成有机介质层，以覆盖存储单元区、外围电路区和隧穿氧化层；刻蚀有机介质层，直至暴露外围电路区的隧穿氧化层，然后刻蚀隧穿氧化层和硅衬底；去除存储单元区的有机介质层，再次刻蚀隧穿氧化层和硅衬底，以形成存储单元区的第二浅槽隔离和外围电路区的第一浅槽隔离，第一次刻蚀时有机介质层能对存储单元区起到了保护作用，并为形成第一浅槽隔离做了基础，第二次刻蚀形成第一浅槽隔离和第二浅槽隔离，无需增加刻蚀量来形成所述第一浅槽隔离，保护了存储单元区，且仅需一次光刻，降低了成本。
- 存储器隔离生成方法
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