专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
  • 黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-03-24 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板,包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅极;源极和漏极;以及金属氧化层,对应栅极设置,包括:下金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化;以及上金属氧化层,与下金属氧化层叠置且位于下金属氧化层靠近源极和所述漏极的表面上,源极和漏极与上金属氧化层连接,上金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,上金属氧化层包括多晶相。金属氧化层包括下金属氧化层和上金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,有利于包括下金属氧化层的薄膜晶体管实现高迁移率,上金属氧化层包括多晶相,有利于提高包括上金属氧化层的薄膜晶体管稳定性
  • 显示面板
  • [发明专利]溅射靶及其制备方法-CN201110084349.4无效
  • M·施洛特;A·赫尔佐克;S·施奈德-贝茨;白向钰;O·罗伊朵 - W.C.贺利氏有限公司
  • 2011-03-31 - 2011-10-05 - C23C14/34
  • 本发明涉及溅射靶及其制备方法,该溅射靶包含基质材料和金属成分,该基质材料含有高折射率的第一氧化。该第一氧化选自由如下氧化组成的组:任何氧化变体形式的氧化钛、任何氧化变体形式的氧化铌、任何氧化变体形式的氧化钒、任何氧化变体形式的氧化钇、任何氧化变体形式的氧化钼、任何氧化变体形式的氧化锆、任何氧化变体形式的氧化钽、任何氧化变体形式的氧化钨以及任何氧化变体形式的氧化铪、或其混合。该组合还包含第二氧化,该第二氧化为任何氧化变体形式的镧系元素氧化、或任何氧化变体形式的氧化钪、或任何氧化变体形式的氧化镧。该基质材料还包含孔隙。该溅射靶应用于高功率密度下的溅射。
  • 溅射及其制备方法

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