专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种获得邻域和的方法和系统-CN201710384473.X在审
  • 彭政红;崔莉;赵泽 - 中国科学院计算技术研究所
  • 2017-05-26 - 2017-10-27 - G06N99/00
  • 本发明涉及一种获得邻域和的方法和系统,包括将哈希分桶后的数据集作为算法的输入,遍历每个数据桶中的样本,通过标志判断当前样本是否已被标记为非样本,若是则对其他样本进行判断,否则查找当前样本的邻域样本;判断当前样本和邻域样本的决策属性值是否相同,若是则舍弃邻域样本,检索其它邻域样本,否则判断当前样本和邻域样本是否互为邻域,若是则通过标志将当前样本和邻域样本标记为非样本,否则舍弃邻域样本,检索当前样本的其它邻域样本本发明利用邻域关系的对称性、哈希映射函数的局部敏感性和决策属性过滤策略优化了计算邻域和的计算效率。
  • 一种获得邻域方法系统
  • [发明专利]垂直PN硅调制器-CN201680018147.0有效
  • 魏红振;杨莉;徐千帆;沈晓安 - 华为技术有限公司
  • 2016-03-17 - 2020-04-21 - G02F1/025
  • 一种硅波导(110),包括波导芯(118),其包括第一掺杂区域(111),该区域也称为P1区,第一掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二掺杂区域(112),该区域也称为P2区。P2区(112)比P1区(111)更重的掺杂。第一负掺杂区域(114),该区域也称为N1区,垂直地邻近于第二负掺杂区域(113),该区域也被称为N2区。N2区(113)比N1区(114)更重的负掺杂。垂直邻近定位N2区(113)和P2区(112)以形成‑负(PN)结。N1区(114)、N2区(113)、P1区(111)以及P2区(112)定位为垂直的PN结并且用于,当施加电压降穿过N1区(114)、N2区(113)、P1区(111)以及P2区(112)时,完全地耗尽P2区(112)的正离子并且完全地耗尽N2区(113)的负离子。
  • 垂直pn调制器
  • [发明专利]面向药物虚拟筛选的基于自适应的回归过滤方法-CN202210577862.5在审
  • 胡海峰;黄翊鹤;吴建盛 - 南京邮电大学
  • 2022-05-25 - 2022-10-11 - G16B15/30
  • 本发明涉及一种面向药物虚拟筛选的基于自适应的回归过滤方法,从源引入训练样本,构建源和目标数据库;随机抽取样本形成源和目标batch,送入图注意力模块得到样本的特征向量;将源和目标batch提取得到的特征向量,分别送入对抗网络中,进行对齐操作;将特征向量送入基于角度间隔的回归过滤模块,样本经过该模块之后会得到样本的预测值,负样本经过该模块之后会拉开与样本的距离;根据源batch中样本的类别信息本发明可以准确预测出样本的生物活性值,并准确过滤掉负样本,减少负样本对正样本排序的干扰,从而提高自适应算法的总体性能。
  • 面向药物虚拟筛选基于自适应回归过滤方法
  • [发明专利]具有电源启动顺序的半导体集成电路器件-CN200510008813.6有效
  • 竹内淳 - 富士通株式会社
  • 2005-02-23 - 2005-12-14 - G11C11/404
  • 本发明公开了一种半导体集成电路器件,该半导体集成电路器件将第一区和第二区分别驱动到的内部电源和负的内部电源,所述第一区和第二区是经由电容而设置的,所述半导体集成电路器件包括将第一区驱动到的内部电源的第一内部电源产生电路另外,所述半导体集成电路器件具有电源序列发生器,所述电源序列发生器通过在电源启动时启动第一内部电源产生电路,同时将第二区箝位在预定电势上,而将第一区驱动到高于的内部电源的电势的过驱动电势,并且然后通过取消第二区的箝位状态,而将第一区从过驱动电势降压到的内部电源的电势,以便通过电容的耦合,而将第二区降压到负电势。
  • 具有电源启动顺序半导体集成电路器件
  • [发明专利]发光器件-CN202011594071.0在审
  • 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 - 夏普株式会社
  • 2020-12-29 - 2021-07-30 - H01L51/52
  • 发光侧表面被成形为使得填充材料层包括曲率的第一区和负曲率的第二区。负曲率的第二区可以位于堤栏结构附近,并且曲率的第一区可以相对于负曲率的第二区位于中心。曲率的第一区可以被配置为曲率的单个元件,或者被配置为例如微透镜阵列或棱镜阵列的多个曲率元件。
  • 发光器件
  • [发明专利]地震资料中近源信号压制方法及装置-CN202011208841.3在审
  • 胡新海;曹宏;宋建勇;卢明辉;宴信飞 - 中国石油天然气股份有限公司
  • 2020-11-03 - 2022-05-06 - G01V1/36
  • 本申请实施例提供一种地震资料中近源信号压制方法及装置,方法包括:根据频率地震数据构建初始速度模型,并根据频率波动方程对所述初始速度模型进行波场模拟,得到演数据;对所述演数据和所述频率地震数据进行道集分选,并确定经过所述道集分选后的频率地震数据与所述演数据的残差数据;根据预设频率自适应振幅加权模型对所述残差数据和所述演数据进行振幅加权处理,并根据经过所述振幅加权处理后的所述残差数据和所述演数据更新所述初始速度模型,得到目标速度模型,并通过所述目标速度模型输出反演结果;本申请能够通过频率自适应振幅加权函数,有效压制近源信号,减小引入误差,增强反演算法对陆地地震资料的适用性。
  • 地震资料中近源信号压制方法装置
  • [发明专利]异常肌肉检测方法和系统-CN201810682299.1有效
  • 王念;崔莉;赵泽 - 北京中科天合科技有限公司
  • 2018-06-27 - 2022-05-20 - G06K9/00
  • 该过采样处理方法包括:获取少数类样本集合;根据邻域粗糙集算法将所述少数类样本集合划分成少数类边界区和少数类;以及在所述少数类边界区和所述少数类之间进行插值,生成合成样本。本申请基于邻域粗糙集对于少数类样本集合进行划分,并随机选择少数类边界区样本朝向少数类进行有向插值,从而产生更具模式的合成样本,以此来增加少数类样本的个数并平衡数据集,由于本申请的过采样方法没有过采样点的正确性校验本申请解决了现有过采样方法在合成过采样数据过程中存在的无法充分过采样出具有模式的合成样本的问题。
  • 异常肌肉检测方法系统
  • [发明专利]各向异性介质三维瞬态地温场演方法、设备及介质-CN202310469068.3在审
  • 戴世坤;贾金荣 - 中南大学
  • 2023-04-27 - 2023-06-27 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种各向异性介质三维瞬态地温场演方法、设备及介质,通过将目标区域建模,然后对目标区域进行空间离散化和时间离散化,在空间上,利用空间‑波数混合迭代方法迭代计算空间总场温度;在时间上,结合显式差分格式的地温场递推公式,计算得到下一时间节点的初始空间总场温度,然后利用空间‑波数混合迭代方法计算出下一时间节点的空间总场温度;以此类推,演完所有时间节点的空间总场温度。本发明实现了各向异性介质三维瞬态地温场演,能够真实反映地温场的动态变化,将空间‑波数混合迭代方法与地温场递推技术结合,保证精细演地温场的同时,降低了计算及存储成本,提高了计算效率。
  • 各向异性介质三维瞬态地温场正演方法设备介质
  • [实用新型]锂离子电池及其卷绕式电芯结构-CN201521010801.2有效
  • 薛伍曹;王理;余成平 - 惠州TCL金能电池有限公司;惠州泰科立集团股份有限公司
  • 2015-12-07 - 2016-05-04 - H01M10/0587
  • 本实用新型涉及一种卷绕式电芯结构,包括:正极片,包括带状的集流体及正极耳,正极耳设置于集流体的端部;负极片,包括带状的负集流体及负极耳,负极耳设置于负集流体的端部;及隔膜,与正极片及负极片相互卷绕,且隔膜位于正极片与负极片之间;集流体的两个表面中与负极片相邻的表面包括第一区和第二区集流体的第一区非正对负极耳并设有极性涂层,集流体的第二区正对负极耳并未设有极性涂层;负集流体的两个表面中与正极片相邻的表面也包括第一区和第二区,负集流体的第一区非正对正极耳并设有极性涂层,负集流体的第二区正对正极耳并未设有极性涂层。
  • 锂离子电池及其卷绕式电芯结构

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