专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚吡咯/纳米氧化/凹凸土导电复合材料的制备方法-CN201710274452.2在审
  • 张志军 - 安徽博硕科技有限公司
  • 2017-04-25 - 2017-09-12 - C08G73/06
  • 本发明公开了一种聚吡咯/纳米氧化/凹凸土导电复合材料的制备方法,其包括纳米氧化前驱体凝胶的制备,纳米氧化/凹凸土复合材料的制备,聚吡咯/纳米氧化/凹凸土导电复合材料的制备。本发明先以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用溶胶‑凝胶法在凹凸土表面包覆了纳米氧化形成的内导电层,再以十二烷基磺酸钠为掺杂剂、过硫酸铵为氧化剂,在纳米氧化/凹凸土复合材料的悬浮体系中进行吡咯的化学氧化聚合,在纳米氧化/凹凸土复合材料表面包覆了聚吡咯形成的外导电层,使制得的导电复合材料不仅具有较高的电导率和机械强度,还具有优良的热稳定性、抗氧化性、耐候性、机械延展性和加工性。
  • 一种吡咯纳米氧化凹凸导电复合材料制备方法
  • [发明专利]--银-镍合金态箔钎料及其制备方法-CN201010623783.0有效
  • 章明溪;刘文龙;李彬 - 北京有色金属与稀土应用研究所
  • 2010-12-31 - 2012-07-04 - B23K35/26
  • 一种--银-镍合金,其组成及质量百分比为:,8-11%%;银,3-20%;镍,1-2.5%;,余量。该--银-镍合金态箔钎料用于集成电路的气密性封装焊料。其制备方法如下:选择高纯、银和镍,按上述配比范围计算所需量,备料;先分别制备中间合金SnAg50及SnNi10;用轧机将得到的SnAg50和SnNi10中间合金板轧碎,待用;再将锡锭放入坩埚中,升温至400℃-450℃,加入中间合金SnAg50、SnNi10和金属,完全熔化后用石墨充分搅拌,排渣;使温度在450℃,用石墨搅拌均匀后,立即浇铸,得到铸锭;将获得的锭开坯轧制,首先将其由30mm反复热轧至
  • 镍合金态箔状钎料及制备方法
  • [发明专利]一种新型无铅-CN201410806888.8无效
  • 杨伟帅 - 苏州龙腾万里化工科技有限公司
  • 2014-12-23 - 2015-05-20 - B23K35/26
  • 本发明公开了一种新型无铅,除了含有、铜、银元素外,还含有镍、、铋、稀土等元素,所述含量为80-85.3%,所述铜含量为0.75%以下,所述银含量为3-5.5%,所述镍含量为0.01-0.017%,所述含量为0.012-0.015%,所述铋含量为0.002-0.005%,其余为稀土,所述含量为重量百分比。通过上述方式,本发明新型无铅中的微量合金元素对的物理、力学性能影响很大,其降低了熔化温度,提高了的润湿铺展性,焊接性能更好,焊接后焊缝光亮,美观度高。
  • 一种新型无铅锡棒
  • [发明专利]一种三维导电纳米及其阵列电子传输层的制备方法-CN202111207397.8有效
  • 赵振环;吴科明;王政;白晓霞 - 西安电子科技大学
  • 2021-10-18 - 2022-12-16 - C03C17/34
  • 本发明公开了一种三维导电纳米及其阵列电子传输层的制备方法,包括以下步骤:将基底依次置于不同溶剂中超声处理,得到洁净的基底;将二氯化与二氯化锌混合均匀后置于坩埚中;将此坩埚转移到加热装置中得到二氧化基底;将二氧化基底超声处理,之后经洗涤、干燥得到三维二氧化纳米阵列基底;将二氯化与三氯化混合均匀后置于坩埚中;将得到的沉积有二氧化纳米阵列基底置于坩埚上,将此坩埚加热;将坩埚上的基底置于稀盐酸中加热超声处理得到三维导电纳米阵列本发明提出采用两步化学气相沉积法,在氟掺杂二氧化导电玻璃上制备掺杂的二氧化三维纳米导电阵列,将其用作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
  • 一种三维导电纳米及其阵列电子传输制备方法

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