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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]声波谐振器、滤波器和复用器-CN201811494251.4有效
  • 松田隆志;岩城匡郁 - 太阳诱电株式会社
  • 2018-12-07 - 2023-08-25 - H03H9/145
  • 一种声波谐振器，该声波谐振器包括：压电基板；以及IDT，其位于压电基板上并且包括彼此面对的梳形电极，梳形电极中的每个梳形电极具有栅状电极以及连接到栅状电极的汇流条，在栅状电极的排布方向上，在交叠区域的中心区域中的梳形电极的栅状电极的占空比与在交叠区域的边缘区域中的梳形电极的栅状电极的占空比不同，梳形电极中的每个的栅状电极与另一个梳形电极的栅状电极在交叠区域中交叠，中心区域中的梳形电极的第一梳形电极的栅状电极的宽度与中心区域中的梳形电极的第二梳形电极的栅状电极的宽度不同。
  • 声波谐振器滤波器复用器
  • [发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构-CN201410844125.2有效
  • 刘张李;孔蔚然 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2014-12-25 - 2018-03-30 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的器件层、布置在器件层上的栅极氧化物结构、布置在栅极氧化物结构上的梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构；器件层包括源漏区以及处于源漏区之间的器件沟道区；梳状源结构以及梳状漏结构通过接触孔连接至源漏区；其中梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构的梳齿相互平行，而且梳状源结构的梳齿以及梳状漏结构的梳齿交替布置；而且在梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿之间布置有梳状栅结构的梳齿；梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此不正面相对，梳状源结构的梳齿与梳状栅结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此重叠。
  • 绝缘体射频开关器件结构
  • [发明专利]场效应晶体管及半导体装置-CN201410014089.7无效
  • 高木一考 - 株式会社东芝
  • 2014-01-13 - 2014-09-10 - H01L29/778
  • 各单元具有梳状电极，各单元上连接有栅极端子电极和漏极端子电极。梳状电极具有至少两个梳状栅电极、梳状漏电极及梳状源电极。栅极端子电极将相邻接的两个单元的梳状栅电极共同地连接。漏极端子电极将相邻接的两个单元的梳状漏电极共同地连接。相邻接的两个单元中，一方的单元的梳状栅电极与另一方的单元的梳状栅电极大致直角地交叉。相互不同地，在相邻接的两个单元的梳状电极交叉的区域的第一直线的一方设置有栅极端子电极，而在另一方设置有漏极端子电极。
  • 场效应晶体管半导体装置
  • [发明专利]一种矩形梳状慢波结构的制造方法-CN201210524105.8有效
  • 王自成;胡京军;李现霞;刘青伦;李海强;徐安玉 - 中国科学院电子学研究所
  • 2012-12-07 - 2017-08-25 - H01J9/00
  • 本发明涉及一种双排或单排矩形梳状慢波结构的制造方法。其主要步骤为制造上下梳栅网毛坯、上下矩形梳底板和矩形梳结构用管壳；用激光切割方法在上下梳栅网毛坯上制造出上下矩形梳栅网；将上下矩形梳栅网分别焊接在上下矩形梳底板上，形成无电子注通道的上下矩形梳结构；在无电子注通道的上下矩形梳结构上制造出半圆形电子注通道，形成上下矩形梳结构；最后把上下矩形梳结构塞入双排矩形梳结构用管壳，制成双排矩形梳状慢波结构；或仅把下矩形梳结构塞入单排矩形梳结构用管壳，制成单排矩形梳状慢波结构。本发明所制造的矩形梳状慢波结构可用于微波、毫米波、亚毫米波乃至THz行波管、返波管和分布作用速调管(EIK)等。
  • 一种矩形梳状慢波结构制造方法
  • [发明专利]一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201010570087.8无效
  • 刘莹 - 刘莹
  • 2010-11-24 - 2012-05-30 - H01L31/07
  • 本发明公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上设一层N型多晶硅薄膜，其上设栅状或梳状铝电极，在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或梳状肖特基本发明还公开了制备方法：清洁衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化薄膜，以液相外延或真空镀膜的方式镀制N型多晶硅薄膜，然后印刷栅状或梳状引出电极，用强激光照射铝负极使部分铝渗入多晶硅薄膜内部形成栅状或梳状肖特基结由于PN结为栅状或梳状，有效PN结长度增加，比传统结构的太阳多晶硅薄膜电池提高了转化效率，同时简化了生产过程。
  • 一种肖特基结单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法
  • [实用新型]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池-CN201120327244.2有效
  • 刘莹 - 刘莹
  • 2011-08-26 - 2012-05-30 - H01L31/0216
  • 本实用新型公开了一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其结构为：以超白玻璃为衬底，玻璃板上设一层起阻挡和钝化作用的薄膜，薄膜上层设一层多晶硅薄膜，在薄膜的表面进行栅状掺杂或者梳状掺杂形成栅状或者梳状PN结，最上层按PN结形状设成栅状或者梳状引出电极。其制备步骤为：清洁玻璃衬底，依次在玻璃板上用真空镀膜方式镀阻挡和钝化层薄膜，以液相外延或者真空镀膜的方式镀制多晶硅薄膜，然后通过热扩散、离子注入、激光掺杂等方式在多晶硅薄膜上制备栅状或者梳状PN结，最后印刷引出电极由于PN结呈栅状或者梳状排布，使有效PN结长度增加，提高了转化效率。同时，多晶硅层容易做得很薄，容易实现大规模生产。
  • 一种单面电极多晶薄膜太阳能电池
  • [发明专利]一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201410005377.6有效
  • 张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱;王彬 - 杭州电子科技大学
  • 2014-01-02 - 2014-04-30 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗
  • 一种梳状栅纵向沟道soildmos单元
  • [发明专利]CMOS 集成电路和放大电路-CN201210355247.6无效
  • 村上忠正 - 三星电机株式会社
  • 2012-09-21 - 2013-06-05 - H03K19/0948
  • 该CMOS集成电路在输入晶体管具有梳状结构的同时，能抑制栅极电阻并防止噪声系数（NF）增加。该晶体管包括：栅电极，其从栅极布线延伸出以形成梳状，并从输入端接收输入信号；源电极，其从面向栅极布线的源极布线延伸出以形成梳状，并连接至接地端，源电极的梳齿插入在栅电极的梳齿之间的每隔一个的空间中；漏电极，其从面向栅极布线的漏极布线延伸出以形成梳状，漏电极的梳齿插入在栅电极的梳齿之间的每隔一个的源电极的梳齿不存在的空间中，其中，栅电极与源电极或漏电极之间的重叠区域不存在。
  • cmos集成电路放大电路
  • [实用新型]集成梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201420006480.8有效
  • 张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱 - 杭州电子科技大学
  • 2014-01-02 - 2014-07-09 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及一种集成梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元。常规SOILDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗
  • 集成梳状栅纵向沟道soildmos单元
  • [发明专利]圆形梳齿式微型电场传感器-CN200410088604.2无效
  • 夏善红;陶虎 - 中国科学院电子学研究所
  • 2004-11-05 - 2006-05-10 - G01R29/12
  • 一种圆形梳齿式微型电场传感器，包括：梳状固定电极(1)和梳状屏蔽电极(2)沿振动方向间隔分布在圆周上；在梳状屏蔽电极(2)上开有栅孔(4)；感应电极(3)放置在栅孔(4)下面。本发明的传感器工作时采用梳齿式驱动来实现屏蔽电极相对于感应电机的振动，位移精准，周期性好；感应电极采用多组并联，从而加大了检测信号的强度，便于测量较弱电场信号；由于感应电极采用的是圆形对称分布，从而可以使用差分电路降低系统噪声对系统检测的影响；屏蔽电极上栅孔的分布采用的是少量多组的分布原则，从而有效的降低了单块屏蔽电极上栅孔间的信号干扰。
  • 圆形梳齿式微电场传感器
  • [实用新型]家庭地震庇护所-CN94215513.0无效
  • 冉风平 - 冉风平
  • 1994-07-08 - 1995-04-05 - E04H9/02
  • 一种家庭地震庇护所，由具有双层底座、L形边栅、形边栅、网形边栅、顶盖以及一对接合梳栅所构成，在底座的边上有配合各边栅朝上的被接合柱与上层面纵横交错相接的格架，同时在顶盖底边上也有朝下的被接合柱，以各边栅的相对接合柱套于底座及顶盖的各被接合柱外，在L、、网形边栅的接合柱中有上下接合孔以让接合梳栅的梳条插入接合，以固定形成如方块体状并在一侧有开口的结构，提供地震发生时最佳藏身所。
  • 家庭地震庇护所
  • [发明专利]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201110089358.2无效
  • 刘莹 - 刘莹
  • 2011-04-02 - 2012-10-17 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上方设一层多晶硅薄膜，其上设栅状或者梳状PN结，最上方设与PN结形状相适配的引出电极其制备步骤为：清洁玻璃衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化层薄膜，以液相外延或者真空镀膜方式镀制多晶硅薄膜，然后通过热扩散、离子注入、激光掺杂等方式在多晶硅薄膜上制备栅状或梳状PN结，最后印刷引出电极由于PN结呈栅状或者梳状排布，比传统结构有效PN结长度增加，提高了转化效率。同时，多晶硅层容易做得很薄，容易实现大规模生产。
  • 一种单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法
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