专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种图形控制中心系统-CN200920196034.7无效
  • 俞宏 - 俞宏
  • 2009-09-10 - 2010-05-19 - H05K5/00
  • 本实用新型涉及一种图形控制中心系统,包括:标准电气箱体、带钢化玻璃门的标准电气箱体、整体式电气元件标准底板、带标准底板的嵌入式旋转摇架、标准图形控制中心及若干电气元件。本实用新型的技术方案提供的图形控制中心系统,不仅符合相关电气设计标准,而且实现了PC控制技术和普通电气箱体的完美结合,真正实现了低成本高性能的控制目标,使三维(3D)动态图形控制系统可在现有工业设备上得到广泛应用
  • 一种图形控制中心系统
  • [发明专利]用于反向重新设计部件的方法和系统-CN03110601.3无效
  • A·B·F·雷贝罗;M·C·奥斯特罗夫斯基;K·K·约科亚马;V·P·库马;D·M·罗宾逊 - 通用电气公司
  • 2003-04-14 - 2004-10-20 - G06F17/50
  • 一种重新设计部件(10)的方法,包括:由部件的可编辑几何图形(112)来生成部件的参数标准模型(114);以及由设计标准模型(120)来生成制造中间模型(136)。该设计标准模型包括参数标准模型,而该制造中间模型包括多个加工工具特征(132)。该方法还包括由制造中间模型产生加工工具标准模型(134)。该加工工具标准模型包括用于部件的加工工具几何图形(62)。一种用于重新设计部件的系统(100),包括:部件设计标准模型模块(110),该部件设计标准模型模决设置成由可编辑几何图形来产生参数标准模型;以及加工工具标准模型模块(130),该加工工具标准模型模块设置成接收参数标准模型,以便由该参数标准模型来产生制造中间模型,并由制造中间模型产生加工工具标准模型。
  • 用于反向重新设计部件方法系统
  • [发明专利]图形防伪方法及系统-CN201410378436.4在审
  • 王建国;白建民;黎伟 - 无锡乐尔科技有限公司
  • 2014-08-01 - 2014-11-26 - G07D7/20
  • 本发明公开了一种磁图形防伪方法,包括以下步骤:磁性传感器检测待测物的漏磁场并获得硬磁图形信号,磁性传感器将获得的硬磁图形信号传输给图形分析模块;励磁对待测物施加激励磁场以磁化软磁材料,磁性传感器检测软磁材料的漏磁场并获得软磁图形信号,磁性传感器将获得的软磁图形信号传输给图形分析模块;图形分析模块将硬磁图形信号和/或软磁图形信号分别与相应的硬磁图形标准信号和/或软磁图形标准信号进行比对以获得真伪结果。
  • 图形防伪方法系统
  • [发明专利]一种图形系统的跨平台适配方法及适配系统-CN202310091340.9在审
  • 孙宜会;陶俊杰;叶磊 - 武汉蓝星科技股份有限公司
  • 2023-02-09 - 2023-06-23 - G06F9/448
  • 本发明提供一种图形系统的跨平台适配方法及适配系统,方法包括:从硬件芯片平台原生操作系统中提取gcc交叉编译器和编译参数,以及提取TD图像系统使用的但不符合POSIX标准的API接口,进行适配,使之符合POSIX标准;搭建TD图形系统编译环境;基于搭建的TD图形系统编译环境,编译TD图形系统使用的第三方库;在第三方库中进行图形设备、输入设备的封装;进行TD图形系统的核心程序编译适配和鉴权机制适配。本发明将图形适配过程标准化,将适不同平台的特性进行抽象、提取、封装再进行适配,使得整个过程简单高效。
  • 一种图形系统平台配方
  • [发明专利]不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法-CN200810043687.1有效
  • 陈福成 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2008-08-06 - 2010-02-10 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法,包括以下步骤:(1)在标准光刻掩模板上平行放置两排测试图形:第一排测试图形为参考光刻倍率对应的外框测试图形;第二排测试图形为对比光刻倍率对应的内框测试图形;(2)用参考光刻倍率的光刻机对准第一排测试图形,进行第一次光刻工艺,在硅片上形成外框光刻图形;(3)用对比光刻倍率的光刻机对准第二排测试图形,进行第二次光刻工艺,形成内框光刻图形;(4)测量外框光刻图形和内框光刻图形的套刻差本发明不需要标准片即可测得不同倍率光刻机之间的套刻精度偏差,避免多块标准光刻版在反复使用之后引入的套刻偏差。
  • 不同倍率光刻之间精度测量方法

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