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[实用新型]一种化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头-CN202022073530.2有效
发明人：刘建业 -专利权人：江门市蓬江区泰德利机械设备有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学机械抛光技术领域，且公开了一种化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头，包括抛光机输出主轴，抛光机输出主轴的下端连接有化学机械抛光承载头；化学机械抛光承载头的侧壁上对称开设有多个定位螺栓连接孔，化学机械抛光承载头上安装有便捷化学机械抛光保持环；便捷化学机械抛光保持环的两侧均连接有便捷拆装连接把手；便捷拆装连接把手的外表面设置有定位螺栓。该化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头，通过化学机械抛光承载头和多个定位螺栓连接孔配合使用，使保持环与晶圆的距离能够达到最佳位置，防止晶圆出现过抛现象，能够有效的避免金属离子污染和保持环与晶圆发生机械碰撞
一种化学机械抛光保持承载

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710577413.X在审
发明人：徐志国;王良咏;李彦军;徐宇恒 -专利权人：浙江晶圣美纳米科技有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，属于蓝宝石衬底的化学机械抛光技术领域。本发明所述的一种化学机械抛光液包含纳米磨料、邻苯二酚和含水载体。此化学机械抛光液尤其适合超硬材料蓝宝石的化学机械抛光。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种抛光头和化学机械抛光设备-CN202011541414.7有效
发明人：申埈燮;张月;杨涛;卢一泓;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光头和化学机械抛光设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中化学机械抛光存在凹陷和/或侵蚀导致晶圆良率较低的问题。本发明的抛光头包括供电单元和抛光膜，该抛光膜的工作面设有导电层，供电单元与导电层连接，构成电流通路。本发明的化学机械抛光设备包括上述抛光头。本发明的抛光头和化学机械抛光设备可用于晶圆的化学机械抛光。
一种抛光化学机械抛光设备

[发明专利]一种离子掺杂钆镓石榴石晶片的加工方法-CN202111359070.2在审
发明人：赵显;罗毅;陈菲菲 -专利权人：山东大学;安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子掺杂钆镓石榴石晶片的加工方法，属于钆镓石榴石晶片的精密加工技术领域。且所述加工方法包括以下步骤：步骤一、机械研磨：室温下，得粗磨GGG晶片；步骤二、机械抛光：得机械抛光后的GGG晶片；步骤三、化学机械抛光：采用硅溶胶抛光液为化学机械抛光液，然后在室温下对机械抛光后的GGG晶片进行化学机械抛光。本发明采用机械研磨+机械抛光+化学机械抛光的工艺步骤对GGG晶片进行加工，通过各阶段的工艺参数组合，使获得的GGG晶片具有较低的表面粗糙度和高的平面度；其中在硅溶胶抛光液中引入了助剂，该助剂起到调节硅溶胶抛光液对
一种离子掺杂石榴石晶片加工方法

[发明专利]一种硅片晶圆加工用的抛光机-CN202310386168.X在审
发明人：裴悠松;许华平;李钟海 -专利权人：南通元兴智能科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及机械加工技术领域，且公开了一种硅片晶圆加工用的抛光机，机械抛光机的后端设置有配电箱，且机械抛光机的抛光处设置有压盘驱动，且机械抛光机的底座上对应压盘驱动的位置设置有抛光盘驱动组件，且机械抛光机底座的侧端对应抛光盘驱动组件的位置设置有抛光液排出切换组件，且机械抛光机的侧端设置有抛光液桶，该化学机械抛光机通过抛光液进入到抛光盘驱动组件中，使其晶片在被组件抛光的过程中也在浸透着抛光液，使其晶片在抛光液中的机械作用下去除硅酸盐层，提高抛光的程度。
一种硅片晶圆加工用抛光机

[发明专利]用来对基板进行化学机械抛光的方法-CN201010184693.6有效
发明人：刘振东;郭毅 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用来对基板进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基板，所述基板包含二氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物包含：水，磨料；式(I)所示的双季阳离子；以及任选的季烷基铵化合物；提供化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触；以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上；所述化学机械抛光组合物的pH为2-6；所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。
用来进行化学机械抛光方法

[发明专利]化学机械抛光方法-CN201110265339.0无效
发明人：路新春;王同庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光；和B)在所述化学机械抛光停止期间向所述抛光头喷水以对所述抛光头保湿。根据本发明实施例的化学机械抛光方法不仅可以提高化学机械抛光的效果，而且可以大大地延长所述抛光头的使用寿命。
化学机械抛光方法

[发明专利]化学机械抛光方法-CN201110264347.3无效
发明人：路新春;王同庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光；和B)在所述化学机械抛光停止期间向所述抛光垫喷水以对所述抛光垫保湿。根据本发明实施例的化学机械抛光方法不仅可以提高化学机械抛光的效果，而且可以大大地延长所述抛光垫的使用寿命。
化学机械抛光方法

[发明专利]化学机械抛光设备-CN201110143089.3有效
发明人：路新春;沈攀 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光设备，所述化学机械抛光设备包括：多个化学机械抛光机，所述多个化学机械抛光机分别用于抛光晶圆；机械手，所述机械手用于搬运晶圆；和过渡装置，所述过渡装置用于放置晶圆，其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置以便所述机械手将所述过渡装置上的未抛光晶圆搬运到所述化学机械抛光机上且将抛光后的晶圆从所述化学机械抛光机搬运到所述过渡装置上且在所述多个化学机械抛光机之间搬运晶圆根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有工作效率高的优点。
化学机械抛光设备

[发明专利]稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法-CN201110354333.0无效
发明人：刘振东;郭毅;K-A·K·雷迪;张广云 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法。一种化学机械抛光组合物，该组合物包括作为原始成分的下述组分：水；研磨剂；如式(I)的双季化物质；如式(II)的胍的衍生物；和任选地，季铵盐。同时，提供了一种化学机械抛光基材的方法，其包括：提供一种基材，其中所述基材包括二氧化硅；提供一种本发明的化学机械抛光组合物；提供一个化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面建立动态接触；把化学机械抛光组合物分配至在化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者邻近处的化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH为2-6。
稳定浓缩化学机械抛光组合抛光基材方法

[发明专利]一种钨化学机械抛光后的清洗方法-CN201010619986.2无效
发明人：彭洪修;刘兵;孙广胜 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种钨化学机械抛光后的清洗方法，主要应用于半导体制造过程中钨化学机械抛光后残留物的清洗。此法包括在化学机械抛光后引入光阻清洗液清洗，并且干燥。通过此清洗方法有效地解决了高端集成电路技术钨化学机械抛光后高密度钨插栓区残留的清洗难题，保证了高端集成电路制造技术的发展。
一种化学机械抛光清洗方法

[发明专利]抛光半导体衬底的方法-CN201610087216.5有效
发明人： Y·郭;D·莫斯利 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺，包括：提供化学机械抛光组合物，其含有以下各者作为初始组分：水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光。
抛光半导体衬底方法

[发明专利]利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法-CN201110143287.X有效
发明人：路新春;沈攀 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法，所述化学机械抛光设备包括多个化学机械抛光机、机械手和过渡装置，其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置，所述方法包括以下步骤：A)通过所述机械手将所述过渡装置上的晶圆搬运到所述多个化学机械抛光机中的至少一个上以便利用所述多个化学机械抛光机对晶圆进行抛光；B)通过所述机械手将抛光后的晶圆搬运到所述过渡装置上；和C)重复步骤A)和B)直到完成所有晶圆的抛光。根据本发明实施例的利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法具有晶圆传输距离短、晶圆传输时间短和工作效率高的优点。
利用化学机械抛光设备进行方法

[发明专利]一种钼靶材溅射面的抛光工艺-CN202010819723.X在审
发明人：姚力军;窦兴贤;王学泽;王青松;刘明健 -专利权人：合肥江丰电子材料有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼靶材溅射面的抛光工艺，所述抛光工艺包括依次进行的第一机械抛光、第二机械抛光、第三机械抛光及第四机械抛光；所述第一机械抛光中的进给速度为2‑3m/min；所述第二机械抛光中的进给速度为4‑5m/min；所述第三机械抛光中的进给速度为6‑8m/min；所述第四机械抛光中的进给速度为7‑9m/min。本发明中，通过对钼靶材溅射面抛光工艺的设置实现了抛光后的靶材表面应力分布均匀，溅射过程中靶材损耗均匀，同时也使粗糙度稳定在0.5‑0.7μm，保证了产品的稳定性。
一种钼靶材溅射抛光工艺

[发明专利]化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法-CN202311181675.6在审
发明人：范博珺;高文琳;母凤文;郭超 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法。该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组件包括混气腔体、臭氧气源件和氢气气源件，臭氧气源件通过第一管路与混气腔体连通，氢气气源件通过第二管路与混气腔体连通，混气腔体的顶部安装有射频电源件，混气腔体的内部安装有紫光灯；抛光液组件用于向抛光垫上喷淋抛光液。本发明提供的化学机械抛光的方法采用上述化学机械抛光装置进行。该化学机械抛光装置，通过设置氧化组件，有效提高了对晶圆表面的氧化效率。
化学机械抛光装置方法

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