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[发明专利]低成本稀土晶体的生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统-CN201710785757.X在审
发明人：薛冬峰;孙丛婷 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，本发明从稀土晶体生长的根本出发，针对晶体生长的机理不清晰，缺乏对多尺度生长过程的有效控制的现状，认为生长控制系统之中缺少前端理论设计功能，从而延长了生长技术的周期，增加了稀土晶体生长的前期投入。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，结合实际生长中的温度梯度，计算不同尺寸区间的生长速度，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。
低成本稀土晶体生长工艺中提拉速率计算方法计算系统

[发明专利]一种计算金属凝固过程中晶体生长速度的快速分析方法-CN202111597393.5在审
发明人：杨伟;邓颖;陈晓芳 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算金属凝固过程中晶体生长速度的快速分析方法，它是利用可控冷速的热分析装置与金相组织定量分析相结合的方式来科学、准确、直观地计算金属凝固过程中晶体生长速度，实现快速计算目的，相比传统的经验或理论估算和计算机数值模拟方法，具有快速、高效及准确的优势，本发明解决了传统经验或理论估算金属凝固过程中的晶体生长速度精度不高、无法进行实验验证，计算机数值模拟计算复杂体系的晶体生长速度理论操作复杂、无法简易推广应用，同时有效克服同步辐射原位分析成本昂贵
一种计算金属凝固过程晶体生长速度快速分析方法

[发明专利]一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统-CN201810173416.1有效
发明人：任博;黄家辉;胡事民 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。
一种利用理论进行二维三维晶体生长模拟方法系统

[发明专利]一种大尺寸氧化物晶体的生长方法-CN201410000566.4在审
发明人：陈远帆;陈冠廷;彭志豪 -专利权人：苏州晶特晶体科技有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸氧化物晶体的生长方法，根据晶体生长原理结合熔体生长过程特点，结晶过程的驱动力，物质传输、分凝和溶质分布，热传输、对流和温度分布，界面稳定性和组分过冷的理论建立一套稳定的温场，采用籽晶下种的方式生长晶体，当完成籽晶下种后晶体与熔体自然形成一个固-液界面，利用生长参数控制固-液界面的移动来完成晶体生长，其晶体的生长过程具体包括以下步骤：开始晶体生长、拉脱结束生长以及退火释放晶体内残留的应力。本发明提供的大尺寸氧化物晶体的生长方法，结合了各式传统晶体生长的优点，随不同晶体生长的特点改变生长参数，减少晶体缺陷的产生而达到优化晶体质量的目的，进一步达成产业化的目标。
一种尺寸氧化物晶体生长方法

[发明专利]无需退火的氧化物晶体生长方法及设备-CN202110318110.2在审
发明人：王宇;官伟明;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体生长方法，所述方法包括：根据生成晶体的反应方程式对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对反应物料进行称重，其中，包含Si或Ga的反应物料的重量超出基于反应方程式计算出的其理论重量的0.01％‑10％；对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于晶体生长装置内,装配前处理至少包括对埚的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种；晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；启动晶体生长装置基于上提拉法生长晶体。
无需退火氧化物晶体生长方法设备

[发明专利]一种硫脲硫酸锌晶体的制备方法和装置-CN202111326615.X在审
发明人：禹化健;刘冰;王旭平;邱程程;杨玉国 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及新型非线性光学晶体材料的生长制备技术领域，具体涉及一种硫脲硫酸锌晶体的制备方法和装置。制备方法包括如下步骤：制备生长液：预设溶液饱和点温度为51℃，根据硫脲硫酸锌的温度溶解度曲线计算称量硫脲硫酸锌粉体，在高于饱和点温度下溶解于蒸馏水中，得到晶体生长所需要的生长溶液，调节生长溶液的pH值；然后对生长溶液进行提纯处理；配制过饱和硫脲硫酸锌溶液，通过自然降温蒸发法，自发结晶获得小晶体作为晶体生长的籽晶；将籽晶固定在籽晶杆上，浸入生长溶液中，按照理论计算的硫脲硫酸锌晶体生长降温曲线进行晶体生长，生长一段时间后得到硫脲硫酸锌晶体；制备的晶体尺寸较大，光学质量较好。
一种硫脲硫酸锌晶体制备方法装置

[发明专利]空间水溶液晶体生长原位实时观察装置-CN02141883.7无效
发明人：陈万春;方竞;马文漪;陈国幼;刘道丹;沈蕴雪 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-08-27 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明一种空间水溶液晶体生长原位实时观察装置，是第三代空间晶体生长实验装置，该装置既可在空间微重力条件下，从水溶液中生长单晶体，又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化；本发明装置，由结晶器；贮液器；加热器；温度控制仪；循环泵；激光干涉仪；图像采集组件；图像记录组件等八个主要部件组成，其结构设计采用大容量结晶器，同时设计两套图像记录系统，所记录的晶体生长原位实时观察资料，可供空间晶体生长的基础理论研究
空间水溶液晶体生长原位实时观察装置

[发明专利]一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法-CN201911116671.3有效
发明人：何晔;周益民;岑伟;陈川贵 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，为一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法；方法包括实时测量晶体生长的重量，将测量的晶体重量与其理论重量作差，根据两者的差值采用PID控制算法控制晶体生长所需的加热功率；实时测量料棒的重量，并将测量得到的晶体重量与料棒重量之和作为整体重量，根据整体重量与其初始重量的差值，采用PID控制算法控制料棒下降速度；采用CCD旋转装置对CCD光学放大装置进行旋转，光学放大装置实时测量晶体基准线灰度值对应的位置与测量基准线中线的距离，根据该距离与其初始距离的差值采用PID控制算法控制晶体旋转速度；本发明能维持晶体生长界面的稳定，保证晶体外形符合设定尺寸要求。
一种稳定提拉法晶体生长界面控制装置方法

[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置-CN201110264570.8有效
发明人：刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
htcvd 碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种泡生法蓝宝石晶体生长的工艺机器人系统-CN201410647025.0无效
发明人：刘瑜;陈晓玲 -专利权人：刘瑜
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：涉及一种泡生法蓝宝石晶体生长的工艺机器人系统，设置工艺参数采集系统、工艺进程模拟系统、工艺可靠性分析系统及工艺参数改进系统。工艺参数采集系统是检测传感器的数据，形成反应晶体生长状态的工艺参数。工艺进程模拟系统设置晶体生长理论所形成的长晶核心算法，根据工艺参数采集系统获得的工艺参数再现晶体生长的状态。工艺可靠性分析系统是基于晶体生长的状态和工艺参数，判断整个工艺完成情况的系统。该系统是具有简单的自学习与分析功能的机器人程序，可以不断提高了系统的可靠性和进程模拟的精确程度，使晶体成品率得到最大限度的保证。
一种泡生法蓝宝石晶体生长工艺机器人系统

[发明专利]低成本稀土闪烁晶体的生长-CN201710060012.7在审
发明人：薛冬峰;孙丛婷 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明提供了稀土闪烁晶体生长工艺中生长参数的计算方法及低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将制备稀土闪烁晶体的氧化物原料进行混合后，得到混合原料；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，依据计算方法所计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，通过特定的模拟、推演和计算方法，得到热力学允许的最快生长速率、提拉生长速率和晶体旋转速率等生长参数。该生长工艺，能耗低，贵金属损耗少，生长过程时间短，晶体成品率高，具有明显的低成本优势。
低成本稀土闪烁晶体生长

[发明专利]一种晶体生长装置-CN202010945820.3在审
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长装置，属于晶体生长技术领域，能够解决现有载晶架高度限制晶体生长高度，严重制约晶体产出效率的问题。所述装置包括：晶体生长槽，用于容置晶体生长液；托盘，设置在晶体生长槽内，且靠近晶体生长槽底部，用于放置籽晶；第一驱动结构，与托盘连接，用于驱动托盘在水平面上旋转；搅拌结构，设置在晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液本发明用于晶体生长。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长系统-CN201810885880.3在审
发明人：蒋子博 -专利权人：上海怡英新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长系统。该晶体生长系统包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，加料坩埚位于晶体生长坩埚上方，加料导管用于将加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到晶体生长坩埚中本发明的晶体生长系统能够克服了现有技术中的晶体生长系统的诸多缺陷。例如，本发明能够方便地控制加料坩埚内及导管内原料熔液流入晶体生长坩埚的流量；能够使得晶体生长坩埚中晶体生长过程稳定；本发明还能解决加料时的加料溶液凝结而导致的加料不畅问题。同时，本发明的晶体生长系统能够结构简单，操作方便，能够大大降低了设备成本和生产成本。
加料晶体生长系统晶体生长坩埚坩埚导管温控加热系统加料装置晶体生长晶体生长过程晶体生长原料熔化设备成本原料熔液加热生产成本凝结

[发明专利]一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术-CN201510227560.5有效
发明人：苏静;裴世鑫;王迪;桑琳;郝蒙萌;张黎 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术，使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线，包括晶体生长槽和生长槽温度控制器，晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔，首先在室温下量取适量晶体生长溶液，加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中；称取晶体，从补料孔加入到晶体生长槽中；待晶体充分溶解，通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度，与此同时，通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术，操作简单，易于观察，精度高，适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体的测定。
一种确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术

[发明专利]提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法-CN201510391255.X有效
发明人：何晔;叶宁;武欢;颜涛;母江东;邓力;宋晓佳;王旭光 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法，本发明协同控制晶体生长速度和原料补充速度，保证长出的晶体重量与补充的原料重量一致，使晶体结晶液面高度始终保持不变；而补充原料的成分经过分析和理论计算与长出的晶体成分一致本发明有效解决了晶体“分凝现象”造成的晶体沿轴向不均匀分布的问题，同时也大大改善了由于晶体持续生长而造成的结晶界面下移对晶体生长界面形状的影响。
提拉单晶炉晶体组分生长控制系统方法

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