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[发明专利]带门极电阻布局的功率MOSFET模块-CN200910097414.X有效
发明人：金晓行;刘志宏;胡少华;朱翔;李冯;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，它主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，门极电阻，功率MOSFET晶体管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本发明具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。
带门极电阻布局功率 mosfet 模块

[实用新型]带门极电阻布局的功率MOSFET模块-CN200920116982.5有效
发明人：金晓行;刘志宏;胡少华;朱翔;李冯;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，它主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，门极电阻，功率MOSFET晶体管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本实用新型具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。
带门极电阻布局功率 mosfet 模块

[实用新型]一种圆极化天线及圆极化阵列天线-CN202022340748.X有效
发明人：刘东峰;李文华 -专利权人：北京华通嘉业科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆极化天线及圆极化阵列天线，圆极化天线包括：反射地板、双面敷铜板、引向器和连接杆，所述连接杆连接反射地板、双面敷铜板和引向器，双面敷铜板的上敷铜面一长和一短相互正交的缝隙实现圆极化，下敷铜面为一圆环和两段长方形，下敷铜面与上敷铜面缝隙耦合成馈电电路，能够有效提升天线增益，从而提高圆极化天线的抗多径干扰能力。
一种极化天线阵列

[实用新型]孤立线电镀防夹膜结构-CN201621093932.6有效
发明人：马卓;刘鸿福;李成 -专利权人：深圳市迅捷兴科技股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种孤立线电镀防夹膜结构，包括铜基板，铜基板的第一表面上形成有孤立线以及U形敷铜部，孤立线的自由端位于U形敷铜部的U形开口内，U形敷铜部包括沿U形延伸的铜导线，铜基板的第一表面的位于孤立线与U形敷铜部之间的间隙处以及位于U形敷铜部外侧的区域均设置有干膜。本实用新型可以在不更改客户任何布线的情况下，通过对孤立线的周围铺铜的方式改善电镀的尖端效应影响，达到解决孤立并排线夹膜的问题，从而满足品质及客户要求。
孤立电镀膜结构

[发明专利]一种敷铜或敷铜合金氧化铝陶瓷基板及其制备方法-CN202010397699.5有效
发明人：潘伟;刘广华 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：一种敷铜或敷铜合金氧化铝陶瓷基板及其制备方法。所述制备方法选用金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属铜或铜合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氧化铝陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出铜或铜合金与氧化铝陶瓷界面结合强度高、电导率高的氧化铝陶瓷敷铜基板。本发明直接将金属铜或铜合金粉末喷涂在氧化铝陶瓷基板得到敷铜陶瓷基板，将金属铜或铜合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的氧化铝陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的敷铜电路陶瓷基板。本发明是一种新的敷铜或铜合金氧化铝陶瓷基板及制备方法，该方法简单，可以实现快速、大面积制备，降低成本，具有广阔的应用前景。
一种铜合金氧化铝陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种用于电路板的铜镀敷液-CN202111635637.4在审
发明人：雷华山;段小龙;冼仕峰 -专利权人：广东利尔化学有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电路板的铜镀敷液，所述的铜镀敷液为具有“R‑N3”结构的特定化合物的铜镀敷液，所述的铜镀敷液还包括五水硫酸铜、硫酸、氯离子、光亮剂、抑制剂、整平剂本发明的铜镀敷液特别适合应用在垂直连续电镀设备线(VCP)电镀铜，在常规及大电流密度生产中，既能保证镀层的品质外观要求，也能使可溶性磷铜阳极在连续使用大电流密度作业时磷铜阳极膜不会脱落，大大减少了阳极泥的产生，延长了药水使用及保养周期；本发明含特定叠氮基化合物镀敷铜浴经过40ASF持续大电流密度生产10h后，磷铜球正面阳极膜仍结膜完整，无明显脱落及溶解迹象。
一种用于电路板铜镀敷液

[实用新型]厚铜敷接陶瓷基板-CN201420654710.1有效
发明人：王坤;黄礼侃;冯家云 -专利权人：南京中江新材料科技有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本实用新型提供一种厚铜敷接陶瓷基板，包括陶瓷基板和厚铜，厚铜的上表面设有凹槽，陶瓷基板置于凹槽内，陶瓷基板的上表面和/或下表面敷接薄铜层，厚铜的厚度为0.7-5.0mm，陶瓷基板的厚度为0.3-1.0mm，薄铜层的厚度为0.1-0.5mm。避免了敷接过程中由于膨胀形变导致陶瓷基板产生微裂纹，甚至破碎的问题，本实用新型制得的厚铜敷接陶瓷基板具有优良的导热性能。
厚铜敷接陶瓷

[发明专利]相控阵有源天线阵面多层敷铜基板焊接方法-CN201710843741.X有效
发明人：李颖凡;林佳星;何小峰;林奈;王文川;陈中良 -专利权人：西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所）
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提出的一种相控阵有源天线阵面多层敷铜基板焊接方法，旨在提供一种可有效避免多层敷铜基板焊接质量不稳定的焊接方法。本发明通过下述技术方案予以实现：制备一个与多层敷铜基板外形一致的工装及其圆阵分布在工装基座的L形夹具；腔体结构件正面焊接区域施加钢网印刷焊料，并放置加热器的回流加热板上；制备一个与多层敷铜基板外形一致的工装及其圆阵分布在工装基座的L形夹具；多层敷铜基板表面安装有SMP焊接面朝上，固定在工装基座凸起面，在腔体结构件反面SMP安装孔内放置焊料环、SMP射频接插件及施加助焊剂；多层敷铜基板背面搪锡，将多层敷铜基板用销钉固定在涂有助焊剂腔体结构件焊接面，置于加热器的回流加热板上；热回流正面焊接多层敷铜基板与腔体结构件，同时对腔体结构件腔体背面焊接SMP射频接插件。
相控阵有源天线阵多层敷铜基板焊接方法

[发明专利]一种印刷电路板及移动终端-CN201810283622.8在审
发明人：赵清毅 -专利权人：青岛海信移动通信技术股份有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明实施例中提供了一种印刷电路板及移动终端，包括：板体，位于板体表层的走线层上设置有控制芯片和目标模块，固定有目标模块的目标走线层上设有敷铜切除区域，敷铜切除区域位于目标模块周围，目标模块周围还设有地回流开口，用以将敷铜切除区域所包围的敷铜区域与目标走线层上的主敷铜区域电连接。本申请将目标走线层上的敷铜沿着目标模块的四周进行切除，形成保留有地回流开口的非闭合敷铜切除区域，从而在不影响目标模块正常走线的情况下，切断控制芯片与目标模块之间的热量传导通路，阻隔控制芯片向目标模块传导的大部分热量
目标模块敷铜切除区域走线层印刷电路板控制芯片移动终端开口板体表层方案结构切断控制热量传导散热空间温度过高影响目标有效解决电连接非闭合板体走线传导切除阻隔芯片占用包围保留申请

[实用新型]一种带内部循环回流均温板的功率半导体模块-CN202222750380.3有效
发明人：张刚;牛鑫炜;吕一航 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带内部循环回流均温板的功率半导体模块，包括功率模块主体构件、设置于所述功率模块主体构件下部的内部循环回流均温板及容置于所述功率模块主体构件内部的IGBT芯片、第一焊锡层、上层敷铜、DCB基板、下层敷铜、第二焊锡层，所述IGBT芯片底部通过第一焊锡层与上层敷铜相连，所述DCB基板分别与上层敷铜和下层敷铜相连，所述下层敷铜通过焊锡层与所述内部循环回流均温板相连；该带内部循环回流均温板的功率半导体模块可以将
一种内部循环回流均温板功率半导体模块

[发明专利]一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块-CN201110447375.9无效
发明人：吕镇 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、可键合型电阻、NTC电阻、功率端子、信号端子和外壳，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，可键合型电阻、NTC电阻和直接敷铜基板之间也通过钎焊结合，信号端子、功率端子和直接敷铜基板通过超声焊接结合。
一种可靠性大功率绝缘极性晶体管模块

[实用新型]一种采用敷铜降温的LED灯板-CN201520508090.5有效
发明人：普新勇;赵素珍;岳陆锋;吕国锋;崔海军 -专利权人：郑州希硕信息科技有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED灯散热技术领域，特别涉及一种采用敷铜降温的LED灯板，包括依次顺序连接的阻焊层、敷铜层、绝缘层、铝板、导热硅胶垫片以及散热铝型材，其中，阻焊层与LED灯连接，散热效果较好，提高了LED的使用寿命，解决了现有LED散热效果较差，影响LED灯的使用寿命问题；铝板与导热硅胶垫片间还设有敷铜层和绝缘层，敷铜层与导热硅胶垫片连接，绝缘层与铝板连接，采用双层敷铜，散热效果更好，大大提高了LED灯的使用寿命
一种采用降温 led 灯板

[发明专利]一种检测深海耐压电池单体鼓胀的方法-CN201911184896.2有效
发明人：隋鑫;余峰;周思思;林立;田闪 -专利权人：武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所）
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测深海耐压电池单体鼓胀的方法，选择一个敷铜0.5OZ的应变片缠绕待测电池单体一圈；在应变片首尾两端分别设置第一敷铜焊锡处与第二敷铜焊锡处，然后将第一敷铜焊锡处与第二敷铜焊锡处重叠，并锡焊牢固；在第一敷铜焊锡处与第二敷铜焊锡处之间焊接敷铜长线并形成通路；实时测量敷铜长线的内阻，如果内阻变为无穷大则表明敷铜长线断开，说明待测电池单体发生了鼓胀；本发明提出了一种简单可行的在电池单体外侧缠绕锡焊一个应变片来检测鼓胀现象的方法
一种检测深海耐压电池单体鼓胀方法

[发明专利]一种适合于氧化铝陶瓷表面敷铜金属化的制备工艺-CN201510838929.6在审
发明人：高永泉;翟文斌 -专利权人：常熟市银洋陶瓷器件有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C04B41/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合于氧化铝陶瓷表面敷铜金属化的制备工艺，包括以下具体步骤：制备膏剂、丝网印刷、烧结、二次烧结。通过上述方式，本发明提供的适合于氧化铝陶瓷表面敷铜金属化的制备工艺，将现有技术中的两种敷铜工艺进行了综合，开发了一种类似厚膜工艺的低成本的陶瓷敷铜方法，通过厚膜印刷的方式在陶瓷件表面印刷好所需的线路图，再通过空气烧结和氢气还原得到铜层，得到的铜层和DBC工艺制的铜层性能类似，结合强度要高于传统的铜厚膜方法，而又避免了DBC工艺对设备的高要求和对敷铜板的二次化学或激光刻蚀。
一种适合于氧化铝陶瓷表面金属化制备工艺

[发明专利]金属化薄膜、制备方法及用途-CN202310356688.6在审
发明人：宋文兰 -专利权人：河北海伟电子新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属化薄膜技术领域，具体涉及一种金属化薄膜、制备方法及用途，所述金属化薄膜，包括基底层、过渡层以及敷铜层；所述过渡层位于所述基底层、敷铜层之间，所述敷铜层利用激光扫描法在所述过渡层上加工得到。上述技术方案在基底层上形成过渡层，并在过渡层上形成敷铜层，提高了基底层与敷铜层间的结合力，采用激光扫描法形成的铜膜表面厚度均一，而且，利用激光扫描法形成敷铜层，无需离线操作，提高了生产效率。
金属化薄膜制备方法用途