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[发明专利]晶圆激光改质结构、方法及系统-CN202210983213.5在审
发明人：李静;刘旭冉;汪杰;陈远 -专利权人：宁波舜宇奥来技术有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明的一种晶圆激光改质结构、方法及系统，在晶圆样品内部进行多层改质，形成多层晶圆改质层与多层第一留白层的重复结构，控制晶圆改质层激光热影响域范围，降低了临近晶圆改质层之间的热影响区域的互相叠加，使晶圆改质层产生的热裂纹都被局域限制在第一留白层内，减少了隐形改质在材料内部的隐形损伤区域及裂纹受附近热源影响造成不受控拓展可能性，避免了热裂纹纵向‑横向拓展造成弯曲强度降低、崩边等问题，即保证了隐切的改质属性，又能保证外观、理化性质，使样品强度显著提升
激光结构方法系统

[发明专利]改质双胺型苯并恶嗪树脂及制备方法、及其在液态晶圆级封装材料中作为应力释放剂的应用-CN201910765525.7在审
发明人：伍得;廖述杭;王义;董创;苏峻兴 -专利权人：湖北三选科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C08G14/06 文献下载
摘要：本发明公开了改质双胺型苯并恶嗪树脂及制备方法、及其在液态晶圆级封装材料中作为应力释放剂的应用，改质双胺型苯并恶嗪树脂结构为：苯并恶嗪树脂改质双胺应力释放剂液态封装材料晶圆封装烷基应力释放效果改性聚醚胺晶圆级封装晶圆翘曲甲氧基聚醚基扇出型乙氧基模封翘曲制备应用

[发明专利]原料预热部一体型水蒸气改质器及含其的氢制备系统-CN201811186938.1有效
发明人：徐东柱;尹旺来;朴相浩;黄英在;金宇铉 -专利权人：韩国能量技术研究院
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： F22B31/00 文献下载
摘要：本发明涉及水蒸气改质器及氢制备系统。更具体来讲，涉及由于对流热交换效率高，因此向位于改质器内部的反应管提供均匀的反应热，具有更高的改质转换性能及优异的装置紧凑化效率的水蒸气改质反应器。本发明的水蒸气改质器，包括：外壳；燃烧器，其在所述外壳的内部中心生成反应热；多个反应管，其以所述燃烧器为中心排列于同心圆；对流传热诱导用套管，其相隔地位于所述反应管的外侧面且包围所述反应管的侧面；以及排气排出管，其连通于所述对流传热诱导用套管排出排气，其中，所述反应管的外侧面与所述对流传热诱导用套管之间的相隔空间的下端开放。
原料预热体型水蒸气改质器制备系统

[发明专利]改圆机-CN201010267001.4无效
发明人：金春伟;奂微微 -专利权人：苏州五方光电科技有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B24B13/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种改圆机，包括圆柱形的顶针底座，其特征在于，还包括可从上述顶针底座拆卸的顶针，以及位于一侧的复合式砂轮，上述顶针设置在上述顶针底座的旋转轴心，上述复合式砂轮的轴线方向与上述顶针底座的轴线平行
改圆机

[实用新型]改圆机-CN201020508672.0无效
发明人：金春伟;奂微微 -专利权人：苏州五方光电科技有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改圆机，包括圆柱形的顶针底座，其特征在于，还包括可从上述顶针底座拆卸的顶针，以及位于一侧的复合式砂轮，上述顶针设置在上述顶针底座的旋转轴心，上述复合式砂轮的轴线方向与上述顶针底座的轴线平行
改圆机

[发明专利]一种晶圆的剥离方法及剥离装置-CN202010860508.4在审
发明人：王宏建;赵卫;何自坚;陈湘文;朱建海 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆的剥离方法及剥离装置，涉及激光加工技术领域。其包括：先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一改质层，然后在目标聚焦面上形成第二改质层，第二改质层的数量为一个或多个，第二改质层与第一改质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三改质层，第三改质层沿目标聚焦面贯穿晶锭；以第三改质层作为剥离界面，将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离，获得晶圆。上述方法相比于现有的通过激光束一次性直接形成连续的第三改质层方式，可有效减小因激光束连续作用而导致的局部区域热量集中，大幅降低激光加工过程中产生的不利热影响，提高晶圆的剥离质量。
一种剥离方法装置

[发明专利]晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法-CN202211097560.4在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法，晶圆的标识部位的加工方法，包括：S100，将晶圆键合至玻璃载板；S200，采用隐形激光工艺对晶圆的预设部位进行激光改质，形成改质区域，改质区域与标识部位相对应；S300，至少保留改质区域与玻璃载板之间的键合连接，对晶圆与玻璃载板间的其余部分位置进行解键合；S400，分离晶圆和玻璃载板，使晶圆的改质区域部位滞留于玻璃载板，以在晶圆形成标识部位。本发明制备的晶圆的标识部位体积小，不会对晶圆的有效利用面积造成浪费。而且，较小的标识部位，不会影响晶圆后续加工过程中的平稳性，利于后续晶圆电镀层、沉积层等制备的均匀性，从而提高了晶圆的质量。
标识部位加工方法制备

[实用新型]一种干法刻蚀用12寸机台改8寸治具-CN202121746750.5有效
发明人：邓宇;陈银培 -专利权人：浙江美迪凯光学半导体有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种干法刻蚀用12寸机台改8寸治具，包括12寸底座，12寸底座中心开设有8寸凹槽，8寸凹槽与12寸底座为同心圆，8寸凹槽底部贴有双面高温胶带，8寸凹槽内双面高温胶带上贴附8寸待加工晶圆。高温胶带的作用为防止8寸晶圆在腔体内传输过程中打滑；采用高温胶带目的为防止腔体内温度过高导致胶带软化变形。该干法刻蚀用12寸机台改8寸治具可以在不改造机台的情况下，在12寸干法刻蚀设备上进行8寸晶圆的作业，提升设备的兼容性，节省成本。
一种刻蚀 12 机台寸治具

[发明专利]一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置-CN202011244662.5有效
发明人：王宏建;赵卫;杨涛;何自坚;王自 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置，属于半导体材料技术领域。晶圆剥离方法包括：在晶锭表面形成一层固体冷媒，使用激光束从固体冷媒表面开始加工，激光束作用于固体冷媒表面后，固体冷媒与激光束接触的区域被去除，激光束与晶锭直接接触并在晶锭内部加工出改质点，激光束相对于晶锭运动过程中依次在晶锭内部加工出连续的多个改质点，多个改质点形成改质层，当改质层贯穿于晶锭内部，剥离得到晶圆。每加工完预设面积的改质点或改质层后且激光束运动到下一个待加工改质点的区域后，在裸露的晶锭表面重新形成固体冷媒。固体冷媒能够对激光束作用点周边的未加工区域进行有效保护，增强晶锭内部诱导的内应力，提高剥离晶圆的质量。
一种剥离方法装置

[发明专利]检查装置及处理系统-CN202180019117.2在审
发明人：坂本刚志;荻原孝文;佐野育 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：检查装置具备：激光照射单元，其朝晶圆照射激光；显示器，其显示信息；及控制部，控制部执行：导出估计加工结果，该估计加工结果是包含依据所设定的配方(加工条件)通过激光照射单元对晶圆照射激光的情况时形成于晶圆的改质区域及从改质区域延伸的龟裂的信息；及控制显示器，考虑作为估计加工结果被导出的改质区域及龟裂的晶圆上的位置，显示将晶圆的影像图与该晶圆的改质区域及龟裂的影像图一同描绘的估计加工结果影像。
检查装置处理系统

[发明专利]MEMS晶圆的切割方法-CN201110215784.6有效
发明人：徐乃涛;刘金峰 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS晶圆的切割方法，其包括以下步骤：将膜贴在晶圆的正面保护MEMS结构；将激光聚焦于晶圆内部进行照射，自晶圆正面向晶圆内部的位置形成改质层，然后在晶圆背面与所述改质层相对应的位置进行激光照射，在晶圆背面形成标记槽；沿标记槽的位置在晶圆背面进行水刀切割且不切到底，自晶圆背面向晶圆内部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽远离晶圆背面的一端与改质层相连；和沿改质层进行裂片引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开本发明涉及的MEMS晶圆切割方法，结合激光照射与水刀切割的优势，实现对MEMS晶圆的无崩边、低沾污切割。
mems 切割方法

[发明专利]激光加工装置及激光加工方法-CN202180026088.2在审
发明人：佐野育;坂本刚志;是松克洋 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种激光加工装置，其中，具备控制部，控制部执行下述处理：第一处理，以第一加工条件来控制激光照射单元，该第一加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域和改质区域；第二处理，确定有关改质区域的状态，并判断第一加工条件是否适当；第三处理，以第二加工条件来控制激光照射单元，该第二加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域，并且在晶圆的厚度方向上的改质区域之间形成改质区域；以及，第四处理，确定有关改质区域的状态，并判断第二加工条件是否适当
激光加工装置方法

[实用新型]柱状体的改圆靠模-CN200820303908.X有效
发明人：但加奇 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： B24B9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柱状体改圆靠模。其解决了现有在对柱状体进行改圆操作过程中，操作速度慢，改圆装置中的顶针不易与柱状体的端面中心对正配合，易造成成品报废率高的问题。结构为：一种柱状体的改圆靠模，其特征在于，包括垂直连接在一起的板状的横模和竖模。
柱状改圆靠模

[实用新型]高强度高韧性新型一体式截齿-CN201120234262.6有效
发明人：陈雪锋;高俊;胡跃飞;聂相宜 -专利权人：江苏创一精锻有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： E21C35/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高强度高韧性新型一体式截齿，具有锥形头部和柄部，所述锥形头部前端制有焊接槽，并通过焊接槽焊接有合金头，所述锥形头部和柄部之间制有大外圆，所述大外圆与柄部连接的端面处制有退卸槽。当刀体或刀头磨损后需拆卸更换时，只需用一特制改刀插入楔形凹槽中，用锤子敲击特制改刀就可以拆开更换，具有较高的实用价值。
强度韧性新型体式

[发明专利]激光加工方法-CN200780020487.8有效
发明人：坂本刚志 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：在晶圆(11)的内部形成改质区域(M2)，从改质区域(M2)产生沿着平行于晶圆(11)的厚度方向且相对于包含线(5)的面倾斜的方向延伸的裂纹(a2、b2)。在晶圆(11)的内部形成改质区域(M3)，以连接于裂纹(b2)的方式从改质区域(M3)产生沿着平行于晶圆(11)的厚度方向且相对于包含线(5)的面倾斜的方向延伸的裂纹(a3)。所以，激光加工时，这些裂纹使得晶圆(11)的夹着线(5)的两侧部分分别咬合，所以，通过形成改质区域，能够减小所产生的平行于晶圆(11)的厚度方向且相对于包含线(5)的面垂直的方向的内部应力。
激光加工方法

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