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[发明专利]重结晶方法-CN00811242.8无效
发明人：韦恩·C·黑曾;戴尔李·JR·德纳姆;鲁道夫·普鲁斯日科;戴维·R·鲍曼 -专利权人：环境工程公司
申请日： 2000-08-04 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备多晶型化合物的第一晶体结构的晶体的方法,它是通过在一定条件下,其中第一晶体结构的形成是有利的且不蒸发或温度不改变,将第二晶体结构的化合物引入化合物的饱和盐溶液中而实现。由于第二晶体结构的溶解,盐溶液成为过饱和的,这导致了通过形成第一晶体结构的晶体消除过饱和。此方法包括控制过饱和及它的消除以获得第一晶体结构的现有晶体的生长而不是成核作用和形成新晶体。根据大小分离的基础,将所得的晶体与不溶的杂质分离。
重结晶方法

[发明专利]晶体结构的预测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310686934.4在审
发明人：蒋建慧;王思宇;龚奎;王音;邰博 -专利权人：鸿之微科技（上海）股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体结构的预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取待预测材料的初始晶体结构以及待预测材料的初始晶体结构对应的能量标签，进而基于待预测材料的初始晶体结构及其对应的能量标签，对初始神经网络模型进行训练，得到晶体结构预测模型，对晶体结构预测模型进行晶体参数优化处理，最终得到目标晶体结构参数。上述技术方案，将神经网络预测模型与参数优化处理方法相结合预测晶体结构，从而得到晶体结构的全局最优解，与传统晶体结构预测方法相比，减少了晶体结构预测运算时间，从而提升了预测晶体结构的效率。
晶体结构预测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种晶体结构数据库构建方法及结构搜索方法-CN202010488751.8有效
发明人：高森;杜云飞;陈品;颜辉;莫晴;许泽鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G16C20/90 文献下载
摘要：本发明涉及晶体材料结构数据库的构建领域，更具体地，涉及一种晶体结构数据库构建方法及结构搜索方法，构建方法包括以下步骤：步骤S1：从晶体结构文件中获取初始晶体结构信息；步骤S2：从数据库中获取比较集；所述比较集为数据库查重后的晶体结构信息的集合；步骤S3：将初始晶体结构信息与比较集中的晶体结构信息进行匹配；若比较集中存在与初始晶体结构相同的晶体结构，将初始晶体结构标记为相似结构，否则根据初始晶体结构信息计算出初始晶体指纹后，将初始晶体结构信息和初始晶体指纹存入数据库本发明能有效地规避了常规方法在材料分析中的误差，避免了传统晶体分类方法中数据库产生的晶体数据的冗余。
一种晶体结构数据库构建方法结构搜索

[发明专利]一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构-CN202211397554.0在审
发明人：李倩;康健彬;姚尧;苏娟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。
一种原子点缺陷制备方法具有结构

[发明专利]晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置-CN202111501120.6在审
发明人：刘聪聪;金颖滴 -专利权人：上海智药科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置，该方法包括：将同一物质的第一晶体结构和第二晶体结构转换至目标空间群；在所述目标晶体空间群下，获取所述第一晶体结构中所有分子和所述第二晶体结构中所有分子之间的至少一种匹配关系；确定至少一种所述匹配关系下的所述第一晶体结构和所述第二晶体结构之间的低能路径；将所述低能路径确定为第一晶体结构与第二晶体结构之间的转晶路径。通过上述方式，本申请能够实现晶体转晶路径的高效搜索，提高判断有机化合物不同晶型之间能否发生相变的效率。
晶体路径搜索方法判断装置

[发明专利]可再充电锂电池用正极活性物质和含其的可再充电锂电池-CN201980013786.1在审
发明人：金荣基;李淳律;李泳勋;张智演;崔益圭;洪明子;洪淳基 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于可再充电锂电池的正极活性物质和包括其的可再充电锂电池，其中正极活性物质包括核和形成在核的表面上的表面层，核包括第一晶体结构，表面层包括第一晶体结构和与第一晶体结构不同的第二晶体结构，在表面层中存在的第一晶体结构比第二晶体结构多
充电锂电池正极活性物质

[发明专利]单晶膜的晶体离子切割-CN99803025.2无效
发明人： M·列文;小R·M·奥斯古德 -专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
申请日： 1999-02-08 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：提供一种从外延层(32)/衬底(37)或体晶体结构上分离单晶膜的方法。该方法包括以下步骤：把离子(38)注入晶体结构以在晶体结构内在晶体结构的上表面以下的注入深度处形成损伤层(36)，并对损伤层进行化学腐蚀以实行单晶膜从晶体结构的分离。本发明的方法尤其有用于从金属氧化物晶体结构上分离单晶金属氧化物膜。
单晶膜晶体离子切割

[发明专利]一种半导体器件制备方法和半导体器件-CN202310225159.2在审
发明人：李果;杜明峰;李杰;王学毅 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件制备方法和半导体器件，所述方法包括：在半导体衬底上制备第一上拉晶体结构、第二上拉晶体结构、第一下拉晶体结构、第二下拉晶体结构、第一存取晶体结构和第二存取晶体结构；在所述第一上拉晶体结构和所述第二上拉晶体结构之间形成第一伪介电阻隔墙；在所述第一上拉晶体结构上制备第一外延结构，以及在所述第二上拉晶体结构上制备第二外延结构，得到所述半导体器件；本发明使第一外延结构和第二外延结构之间存在用于隔离的第一伪介电阻隔墙，因此在增大第一外延结构和第二外延结构的侧向生长体积时，不会存在外延结构相互连接影响半导体的性能，可以在提高半导体器件效能的同时还能满足性能要求。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]复合式声子晶体结构及其制备方法-CN202010460509.X有效
发明人：吴国强;韩金钊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G10K11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式声子晶体结构及其制备方法。本发明的复合式声子晶体结构由两种或者多种声子晶体结构组成，利用复合式的结构设计来得到同时具备该复合式声子晶体结构所包含的两种或者多种声子晶体结构所对应的声学禁带。该复合式声子晶体结构具备多种声学禁带，可以同时实现减振、降噪以及隔热等应用。
复合式声子晶体结构及其制备方法

[发明专利]一种基于狭缝声子晶体的微粒操控系统及方法-CN201610752013.3有效
发明人：王辰;蔡飞燕;李飞;孟龙;韦紫君;康雁;郑海荣 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于狭缝声子晶体的微粒操控系统及方法，该微粒操控系统包括：狭缝声子晶体结构、微流控器件封装结构、超声电子系统及光学观测系统，所述狭缝声子晶体结构封装于所述微流控器件封装结构内；所述狭缝声子晶体结构由两块刻有周期性结构的平板组成，并且两块平板间隔一设定距离平行设置；所述超声电子系统用于控制发射超声波，激励所述狭缝声子晶体结构内部产生局域场；所述光学观测系统用于观测所述狭缝声子晶体结构的狭缝内的微粒的运动状态。本发明利用狭缝声子晶体这种声人工结构，在尺寸远小于声源波长的狭缝内产生超强局域梯度声场，利用强局域梯度声场产生的声辐射力操控并捕获远小于波长的颗粒。
一种基于狭缝晶体微粒操控系统方法

[发明专利]一种材料晶体结构特征的自动化获取方法-CN202010287897.6在审
发明人：杨小渝 -专利权人：北京迈高材云科技有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料晶体结构特征的自动化获取方法，包括：A、获取特定材料性质数据作为训练数据集的步骤；B、从所述训练数据集中最大化的提取材料特征构建基础数据特征库的步骤；C、提取有效特征，即与目标值关联度较高特征的步骤；D、将所述有效特征进行组合的步骤；E、将筛选出的晶体结构特征，以及各种晶体结构特征组合，即最合适的晶体结构特征，作为最终用于描述特定化合物类或特定材料体系的晶体结构特征。采用本发明的方法，无需领域知识，就能从给定的晶体结构‑性能训练数据集中，高效提取最合适的晶体结构特征，以解决构建QSPR模型及预测晶体结构的特定目标性质的关键问题。
一种材料晶体结构特征自动化获取方法

[发明专利]一种光子晶体结构生色织物及其制备方法-CN202011231334.1有效
发明人：邵建中;王晓辉;赵倩;李义臣;王少杰 -专利权人：浙江理工大学;海宁绿盾纺织科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： D06M15/233 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体结构生色织物及其制备方法，属于光子晶体结构生色领域。一种光子晶体结构生色织物的制备方法，该方法包括如下步骤：①配制光子晶体结构基元纳米微球的分散液，在纺织基材表面构建光子晶体结构，得到光子晶体结构生色织物；②配制封装剂溶液，将其涂敷在光子晶体结构生色织物表面，封装剂溶液中封装剂的质量分数为0.1~10%；所述封装剂选为水性聚氨酯、水性丙烯酸酯、水性聚氨酯丙烯酸酯或水性有机硅中的一种或几种的混合物；③将步骤②得到的光子晶体结构生色织物置于烘干装置内烘干固化，
一种光子晶体结构生色织物及其制备方法

[发明专利]正极活性物质、其制备方法及包含其的锂二次电池-CN201780022526.1在审
发明人：宣良国;尹锺昇;金云赫 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：上述正极活性物质可包含：第一部分，第一晶体结构(first crystal structure)的比率大于晶系(crystal system)不同于上述第一晶体结构的第二晶体结构的比率；以及第二部分，上述第二晶体结构的比率大于上述第一晶体结构的比率
晶体结构正极活性物质锂二次电池晶系制备

[发明专利]一种材料的晶体结构搜索方法及装置-CN202111070922.6在审
发明人：王宗国;王彦棡;刘志威;郭佳龙;王珏;李杨 -专利权人：中国科学院计算机网络信息中心
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及一种材料的晶体结构搜索方法包括：接收待搜索材料的成分信息及目标性质信息；基于待搜索材料的成分信息和遗传算法确定若干初始化结构种子；对若干初始化结构种子进行遗传搜索；将当前轮次遗传搜索得到的晶体结构输入预训练的材料目标性质预测模型得到当前轮次遗传搜索得到的晶体结构对应的目标性质；基于当前轮次搜索得到的晶体结构和当前轮次遗传搜索得到的晶体结构对应的目标性质进行下一轮次遗传搜索得到下一轮次遗传搜索的晶体结构；基于目标性质信息筛选第N轮次遗传搜索得到的晶体结构确定待搜索材料的目标晶体结构本申请基于遗传算法和机器学习相结合的方法，在有限的资源和时间内，即可快速获取所需材料的稳定晶体结构。
一种材料晶体结构搜索方法装置

[发明专利]有机晶体结构预测方法、装置、设备及存储介质-CN202310008531.4在审
发明人：欧阳德方;叶祝一帆;王南男 -专利权人：澳门大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种有机晶体结构预测方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法包括：根据化合物的条件向量生成至少一个有机晶体结构，确定各有机晶体结构的计算指标参数，并根据化合物的分子结构确定预测指标参数，最后，根据计算指标参数、预测指标参数、计算与预测的指标参数差值阈值以及各中间有机晶体结构，得到稳定有机晶体结构及其排序。通过生成模型进行潜在的有机晶体结构生成，可以探索到更多的有机晶体的结构，极大的降低了计算的复杂度。通过判别模型进行有机晶体结构的筛选，可以有效的降低计算量。本申请耦合生成模型和判别模型用于有机晶体结构预测，在确保预测精度的前提下，显著地降低了计算的复杂度，具备很高的实用性。
有机晶体结构预测方法装置设备存储介质

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