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[发明专利]一种抑制晶体划弧的控制方法-CN202310987999.2有效
发明人：陈伟;李林东;魏子涵;许堃;李安君;吴超慧;闫洪嘉 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种抑制晶体划弧的控制方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。该抑制晶体划弧的控制方法包括：步骤一、等时间间隔获取晶体运动时在平面内的位置坐标；步骤二、根据所述位置坐标获取晶体运动轨迹方程及晶体运动方向；步骤三、根据所述位置坐标和晶体运动轨迹方程获取晶体运动方向与晶体受力方向的夹角；步骤四、根据晶体运动方向与晶体受力方向的夹角和晶体运动方向控制晶体转速和坩埚转速；步骤五、在一个调整周期后重复步骤一到步骤四，直至晶体与运动中心轴的夹角小于预期角度值，其能够在晶体生长过程中有效抑制晶体划弧
一种抑制晶体控制方法

[发明专利]晶体生长设备及晶体生长设备的使用方法-CN202211442776.X在审
发明人：曹建伟;朱亮;欧阳鹏根;叶钢飞;蒲涛 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体生长设备及晶体生长设备的使用方法，晶体生长设备包括晶体炉以及提拉单元，提拉单元能够在到达晶体炉外与伸入晶体炉之间切换，还包括：举升单元，其包括设于晶体炉内的坩埚台；液压驱动站，其连接举升单元，用于驱动举升单元升降运动；晶体炉内预设有微动区间，坩埚台在提拉单元到达晶体炉外时能够带动坩埚在微动区间中升降运动，及在提拉单元伸入晶体炉时能够带动坩埚在微动区间下方的区域升降运动。
晶体生长设备使用方法

[实用新型]一种结晶器-CN201320654302.1有效
发明人：夏昂;胡璐;刘蔚青;汤斌;王宇森 -专利权人：夏昂;胡璐;刘蔚青;汤斌;王宇森
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结晶器，包括晶体生长箱和三向搅拌装置，所述三向搅拌装置通过三个方向的运动机构带动搅拌杆在三维方向内运动，对晶体生长箱内的晶体液进行各方向的搅拌，从而有效促进晶体生长，改变晶体生长轨迹，提高晶体质量。
一种结晶器

[发明专利]一种晶体制备装置-CN202010585048.9有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备受激发射器件中的晶体的晶体制备装置。该装置包括：炉膛，所述炉膛内设置温场和热源；真空装置，所述真空装置与所述温场相连接；提拉杆，所述提拉杆的至少一部分位于所述温场内；以及运动装置，所述运动装置与所述提拉杆传动连接以带动所述提拉杆上下运动和本申请通过将温场与真空装置密封连接，可以使晶体生长过程处于真空环境下，然后通过运动装置与提拉杆传动连接以带动提拉杆上下运动和/或旋转，可以实现对晶体生长过程的自动控制，并且还可以根据晶体的生长情况进一步调整运动装置的提拉和/或旋转参数，从而保证晶体生长的均匀性和一致性。
一种晶体制备装置

[发明专利]晶体管定位装置、功率器件及电机控制装置-CN202110157580.5在审
发明人：程少龙;程兆成;石鹏飞;司苏贤 -专利权人：深圳市汇川技术股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管定位装置、功率器件及电机控制装置，所述晶体管定位装置包括：底座，所述底座设有晶体管工位；第一定位组件，所述第一定位组件安装于底座，并且以相对于底座沿第一方向往复运动；第二定位组件，所述第二定位组件安装于底座，并且以相对于所述底座沿第二方向往复运动；所述第二定位组件沿第二方向运动时，驱动所述第一定位组件远离所述晶体管工位，所述第二定位组件在反向运动过程中限制晶体管在晶体管工位第二方向的位置，所述第一定位组件限制晶体管在晶体管工位第一方向的位置。本发明实施例可在实现晶体管精确定位的同时，兼容多种尺寸的晶体管，有利于提高印刷导热硅脂到晶体管本体表面的面积控制。
晶体管定位装置功率器件电机控制

[实用新型]晶体管定位装置、功率器件及电机控制装置-CN202120329842.7有效
发明人：程少龙;程兆成;石鹏飞;司苏贤 -专利权人：深圳市汇川技术股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管定位装置、功率器件及电机控制装置，所述晶体管定位装置包括：底座，所述底座设有晶体管工位；第一定位组件，所述第一定位组件安装于底座，并且以相对于底座沿第一方向往复运动；第二定位组件，所述第二定位组件安装于底座，并且以相对于所述底座沿第二方向往复运动；所述第二定位组件沿第二方向运动时，驱动所述第一定位组件远离所述晶体管工位，所述第二定位组件在反向运动过程中限制晶体管在晶体管工位第二方向的位置，所述第一定位组件限制晶体管在晶体管工位第一方向的位置。本实用新型实施例可在实现晶体管精确定位的同时，兼容多种尺寸的晶体管，有利于提高印刷导热硅脂到晶体管本体表面的面积控制。
晶体管定位装置功率器件电机控制

[实用新型]一种晶体管测试装置-CN201520357902.0有效
发明人：陈国斌 -专利权人：广东合科泰实业有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体管测试装置，所述晶体管测试装置包括装置基架、测试台、晶体管测试电路板、用于吸取晶体管的吸嘴、用于带动吸嘴水平方向运动和垂直方向运动的驱动机构；所述测试台、用于带动吸嘴水平方向运动和垂直方向运动的驱动机构均与装置基架固定连接；所述晶体管测试电路板固定在测试台上；所述晶体管测试电路板包括金手指组件，所述金手指组件包括固定板和金手指；所述固定板与金手指固定连接；所述金手指至少为2个。本实用新型的晶体管测试装置，具有测试准确、使用寿命高等优点。
一种晶体管测试装置

[实用新型]一种气氛熔盐提拉炉-CN201921695393.7有效
发明人：涂朝阳;胡明远;朱昭捷;李坚富;王燕;游振雨 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气氛熔盐提拉炉，包括熔炉，晶体生长机构、进/出气机构以及传动装置，其中晶体生长机构包括刚玉管、坩埚和籽晶杆。本实用新型通过进/出气机构使刚玉管内充入适合晶体生长的气体，另外通过传动装置控制籽晶杆在刚玉管内的垂直运动和圆周运动。由于本实用新型刚玉管中排除了水分和空气，充入适合晶体生长的气体，避免了因原料的氧化而造成的晶体不能生长问题，另外，本实用新型中籽晶杆可以同时做垂直运动和圆周运动，大大缩短了晶体生长的周期。本实用新型生长的晶体外观完整，结晶性能良好，使用简洁，操作方便。
一种气氛熔盐提拉炉

[发明专利]光学晶体元件激光损伤阈值检测装置-CN200910073207.0无效
发明人：陈明君;李明全;姜伟;姜文斌;陈宽能 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：一种光学晶体元件激光损伤阈值检测装置，属于光学晶体元件激光损伤阈值检测技术领域。它解决了目前没有专用检测装置来实现光学晶体元件激光损伤阈值的精确测试的问题。它利用控制计算机编程来控制伺服电动机和平板直线电机的运动，使光学晶体元件上起始测试区域处于激光光束路径上，通过竖直微位移工作台和水平微位移工作台调整CCD摄像头与光学晶体元件之间的相对位置，伺服电动机的旋转运动通过滚珠丝杠转化为滚珠丝母的直线运动，滚珠丝母带动丝母滑块上下运动，从而带动L形直线电机支撑板的上下运动，使平板直线电机可以上下调节光学元件夹具体的高度。本发明用于光学晶体元件激光损伤阈值的检测。
光学晶体元件激光损伤阈值检测装置

[实用新型]一种四晶单色器-CN201520464281.6有效
发明人：闫帅;杨科;蒋升;张丽丽;王华;梁东旭;李爱国 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01J3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种四晶单色器，包括第一部分和第二部分，第一部分的运动控制组件具有平行于布拉格转轴方向水平布置的X向运动控制器，垫块设置于X向运动控制器上，布拉格转轴控制器设置于垫块上，旋转控制器、倾斜控制器、第一平移控制器、第二平移控制器、晶体夹具以及第一晶体组件沿布拉格转轴方向依次设置于布拉格转轴控制器的转台上；第二部分的运动控制组件与第一部分相同；第一晶体组件具有相互平行布置的第一晶体和第二晶体，第二晶体组件具有相互平行布置的第三晶体和第四晶体，第一晶体和第二晶体分别与第三晶体和第四晶体完全镜像对称布置。
一种单色

[发明专利]泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法、温控方法和控制方法-CN201510749833.2有效
发明人：王辉辉;穆童;陈亮 -专利权人：南京晶升能源设备有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于泡生法晶体生长单晶炉的脱锅方法、温控方法、控制方法，其中泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法，包括以下步骤：1)若测得的晶体重量大于设定重量上限值a，将晶体以0.1-5mm/h的速度向下运动，直至测得的晶体重量小于设定重量下限值b后，将晶体以0.1-5mm/h的速度持续向上运动；2)上述运动一直进行，直到冷却程序运行结束。本发明根据实际生产经验及蓝宝石晶体在各温度段机械强度的变化建立脱锅控制模型，该模型无需人工参与，降低了对人的要求，最大程度上保证了产品质量的均一性，保证了大规模生产的可能性；并有效缩短晶体脱锅时间，达到了节能降本，缩短晶体生长周期等优点。
泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法温控控制

[发明专利]预装式人工晶体植入器-CN201310381444.X有效
发明人：赵力军 -专利权人：爱博诺德（北京）医疗科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种预装式人工晶体植入器。所述预装式人工晶体植入器包括主体，所述主体中包括位于其前端的人工晶体承载部和预装在所述人工晶体承载部上的人工晶体；与所述主体前端相连的植入头；和与所述主体后端相连的推注驱动机构，其特征在于，所述人工晶体承载部设有能够防止预装的人工晶体在进行推注之前向植入头运动的弹起结构和能够约束预装的人工晶体在垂直于预装式人工晶体植入器轴线方向上运动的限位构件本发明的预装式人工晶体植入器具有以下优点，即只需单一操作步骤就可以完成人工晶体的植入，且人工晶体在预装式人工晶体植入器内约束简单且性能可靠。
预装人工晶体植入

[实用新型]预装式人工晶体植入器-CN201320528174.6有效
发明人：赵力军 -专利权人：爱博诺德（北京）医疗科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种预装式人工晶体植入器。所述预装式人工晶体植入器包括：主体，所述主体中包括位于其前端的人工晶体承载部和预装在所述人工晶体承载部上的人工晶体；与所述主体前端相连的植入头；和与所述主体后端相连的推注驱动机构，其特征在于，所述人工晶体承载部设有能够防止预装的人工晶体在进行推注之前向植入头运动的弹起结构和能够约束预装的人工晶体在垂直于预装式人工晶体植入器轴线方向上运动的限位构件本实用新型的预装式人工晶体植入器具有以下优点，即只需单一操作步骤就可以完成人工晶体的植入，且人工晶体在预装式人工晶体植入器内约束简单且性能可靠。
预装人工晶体植入

[实用新型]纯晶体粉碎装置-CN201721268805.X有效
发明人：王国庆 -专利权人：石家庄裕兆科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及粉碎晶体技术领域，尤其涉及纯晶体粉碎装置。包括搅拌装置、粉碎装置和清理装置；破碎板上设置有尖状物块，起到了容易把大块晶体搅碎的作用；采用两个带轮的连接传动，起到了转动板做圆周运动，带动跷跷板两端上下运动；采用石块通过绳子与跷跷板连接，起到了石块上下起伏大力抨击搅碎的晶体，得到想要的粉碎晶体。
粉碎装置跷跷板纯晶体搅碎本实用新型大块晶体搅拌装置连接传动清理装置上下起伏上下运动圆周运动尖状物破碎板转动板带轮绳子

[发明专利]一种基于实验室X射线源的中能X射线吸收谱仪-CN202010461698.2有效
发明人：张林娟;王建强;于海生 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N23/083 文献下载
摘要：本发明提供一种基于实验室X射线源的中能X射线吸收谱仪，包括位于可移动且半径恒定的罗兰圆上的X射线源、弯曲晶体和探测器、设于弯曲晶体和探测器之间的样品台、运动调节机构和真空腔体；运动调节机构设置为驱动弯曲晶体和探测器运动和调节，并使得X射线源、弯曲晶体及探测器始终位于罗兰圆上；弯曲晶体、探测器、样品台和运动调节机构均设置于真空腔体的内部，X射线源设于真空腔体的外侧并与其固定连接。本发明将弯曲晶体、探测器、样品台和运动调节机构设置于真空腔体中，以保证光学路径为真空条件，降低光学路径上的空气吸收对X射线的衰减和空气中的背底散射，提高谱仪的最终计数率，搭建具有亚eV能量分辨率的中能X
一种基于实验室射线吸收

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