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[发明专利]共同电压供应电路-CN201510060827.6在审
发明人：塗俊达;陈勇志;洪凱尉 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种共同电压供应电路，其包含第一晶体管至第四晶体管、第一电容及第二电容。第一晶体管的第一端接收第一电平信号，第一晶体管的控制端接收扫描信号。第二晶体管的第一端接收第二电平信号，第二晶体管的控制端接收扫描信号。第三晶体管的第一端接收第一共同电压，第三晶体管的控制端耦接于第一晶体管的第二端，第三晶体管的第二端耦接于输出端。第一电容耦接于第三晶体管的控制端。第四晶体管的第一端接收第二共同电压。第四晶体管的控制端耦接于第二晶体管的第二端，第四晶体管的第二端耦接于输出端。第二电容耦接于第四晶体管的控制端。
共同电压供应电路

[发明专利]电子电路测试方法和系统-CN202210943059.9在审
发明人： N·埃里科;V·本多蒂;L·菲纳齐;G·巴格那提 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种电路，包括具有共用中间节点的高压侧晶体管对和低压侧晶体管对。高压侧晶体管对包括第一晶体管，该第一晶体管具有控制节点和流过该控制节点的电流路径，该电流路径被配置为在电源电压节点和中间节点之间提供电流流线，以及第二晶体管，该第二晶体管具有穿过该控制节点的电流路径，该电流路径耦合到第一晶体管的控制节点低压侧晶体管对包括第三晶体管，该第三晶体管具有控制节点和电流路径，该电流路径被配置为在中间节点和参考电压节点之间提供电流流线，以及第四晶体管，该第四晶体管具有耦合到第三晶体管的控制节点的电流路径。测试电路系统被配置为耦合到第二晶体管和第四晶体管中的至少一个，以向其应用测试模式信号。
电子电路测试方法系统

[发明专利]一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法-CN202110136723.4有效
发明人：刘莹莹;夏宁;张辉;杨德仁 -专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法，采用泡生法生长晶体的同时以一定的提拉速度向上提拉籽晶，并且通过对籽晶杆进行降温调节温度阶梯，通过对炉内温度梯度的调节来控制晶体生长速度。本发明通过控制加热功率和对籽晶杆进行降温控制晶体生长的温度梯度，从而控制晶体的生长速度，有利于晶体降低热应力，减小晶体开裂，减少晶体内部缺陷密度，有效提高晶体质量，在整个晶体生长过程中以一定的速度进行提拉来增加温度梯度，有利于控制晶体生长。
一种低位密度氧化镓体块单晶生长方法

[发明专利]一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置-CN201910306670.9有效
发明人：赵晶;孙继刚;赵爽;苏旭;王磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域包括充电电路，所述充电电路包括：驱动晶体管、开关晶体管和电容模块；所述开关晶体管连接于所述驱动晶体管与所述电容模块之间，所述开关晶体管的栅极与对应的控制信号线相连；所述开关晶体管用于在所述控制信号线的控制下，控制所述驱动晶体管与所述电容模块导通或截止。通过该开关晶体管及控制信号线的设置，在控制信号线的控制下，开关晶体管控制驱动晶体管与电容模块的导通和截止，从而可以按正常的频率进行扫描，而只在部分帧对电容模块充电，该种方式即保证了显示画面的质量，又节约了能耗
一种阵列驱动方法显示面板显示装置

[发明专利]栅极驱动电路-CN202010230417.2有效
发明人：张晏铭;李玫忆;郭俊言 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：移位寄存电路包含稳压电路和控制电路。稳压电路根据当级稳压节点提供参考电压至当级操作节点。控制电路包含五个晶体管。第一晶体管的第二端、第四晶体管的第一端和第五晶体管的第一端耦接当级稳压节点。第二晶体管和第三晶体管耦接第一晶体管的第一端和控制端。第二晶体管控制端和第三晶体管的控制端分别接收第一和第二时钟脉冲信号。第四晶体管的控制端和第五晶体管的控制端分别耦接续传级和当级操作节点。第四晶体管的第二端和第五晶体管的第二端耦接参考电压。
栅极驱动电路

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202010938221.9有效
发明人：陈碧 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动发光器件发光的像素驱动电路，像素驱动电路包括：第一初始化晶体管、开关晶体管、补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管和存储电容；其中，补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管为氧化物晶体管，开关晶体管、驱动晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。本申请通过将补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管设置为氧化物晶体管，其他晶体管设置为低温多晶硅晶体管，可以同时利用氧化物晶体管的低漏电流特性和低温多晶硅晶体管的高迁移率特性，从而使得像素驱动电路更加稳定
显示面板显示装置

[发明专利]一种提高输出波形稳定性的GIP电路及驱动方法-CN202110036168.8在审
发明人：谢建峰 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公布一种提高输出波形稳定性的GIP电路及驱动方法，其中GIP电路包括：晶体管T1的控制端和晶体管T21的控制端分别连接栅极线G(n‑8)；晶体管T4的输入端连接时钟信号CKn；晶体管T3连接晶体管T23；晶体管T7和晶体管T22分别连接栅极线G(n+8)；晶体管T12的输出端连接电压信号VGL；晶体管T14的控制端、晶体管T19的控制端、晶体管T15的控制端、晶体管T16的控制端和晶体管T17的控制端分别连接清零信号CLR；极性信号V1分别连接晶体管T8和晶体管T11；极性信号V2分别连接晶体管T10和晶体管T9；上述技术方案通过引入QB节点的电压来抑制Q点的漏电流，使得Q点无漏电的路径，Q点电压不衰减，进而使得栅极线
一种提高输出波形稳定性 gip 电路驱动方法

[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置-CN202180000041.9在审
发明人：卢江楠;郑灿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示基板包括：衬底基板、以及设置在衬底基板的周边区上的移位寄存器单元、第一时钟信号线和第二时钟信号线；第一时钟信号线和第二时钟信号线沿第一方向延伸；移位寄存器单元包括第一控制晶体管、第二控制晶体管和第三控制晶体管，第一控制晶体管的有源层、第二控制晶体管的有源层和第三控制晶体管的有源层分别沿第二方向延伸，第一控制晶体管的有源层、第二控制晶体管的有源层以及第三控制晶体管的有源层位于第一时钟信号线和第二时钟信号线靠近显示区的一侧，第一控制晶体管的有源层、第二控制晶体管的有源层和第三控制晶体管的有源层在第一方向上并排设置。
显示及其制作方法显示装置

[发明专利]自发光像素电路-CN202111339996.5在审
发明人：洪嘉泽;徐圣淯;高振凯;陈勇志 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种自发光像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第二电容及发光元件。第四晶体管耦接于第一系统电压与第五晶体管的控制端之间。第五晶体管与发光元件串联耦接于第二系统电压与第三系统电压之间。第一晶体管耦接于第一节点与第四晶体管的控制端之间。第二晶体管耦接于第一节点与第五晶体管的控制端之间。第三晶体管耦接于第一节点与第五晶体管的第二端之间。第一电容耦接于第五晶体管的第一端与控制端之间。第二电容耦接于扫荡信号与第四晶体管的控制端之间。
发光像素电路

[发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
发明人：尚海波;周小勇;李强;臧洪波 -专利权人：扬州合晶科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
一种晶体生长设备控制方法系统

[发明专利]集成电路-CN202010624623.1在审
发明人：夏佳佳;司强 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路，接收第一控制信号以及第二控制信号，包括引脚以及驱动单元。驱动单元耦接于该引脚，包括耦接于电源供应端的上拉晶体管、耦接于该上拉晶体管与该引脚之间的第一电阻、耦接于接地端的下拉晶体管、耦接于该下拉晶体管与该引脚之间的第二电阻、耦接于该引脚与该电源供应端之间的第一晶体管和耦接于该引脚与该接地端之间的第二晶体管该上拉晶体管与该第一晶体管由该第一控制信号控制。该下拉晶体管与该第二晶体管由该第二控制信号控制。
集成电路

[发明专利]晶体振荡器-CN201210552747.9有效
发明人：皮常明;李琛;田鑫 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H03L5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体振荡器，包括晶体，晶体驱动电路以及启动电路。晶体驱动电路包括第一晶体管，向所述第一晶体管提供直流偏置的偏置电路，第一电流镜电路以及第二电流镜电路。所述启动电路包括第四晶体管及第十晶体管，第四晶体管连接于第一电流镜电路和第二电流镜电路之间，第十晶体管的漏极连接第二电流镜电路，第四晶体管和第十晶体管的栅极由使能控制端控制，从而可以控制晶振的关闭和工作本发明的晶体振荡器具有使能控制功能，启动结构简单，并且偏置电流随振荡摆幅的增加而减小，可实现低功耗。
晶体振荡器

[发明专利]开关控制电路、芯片及电子设备-CN202211721712.3在审
发明人：陈睿鹏;黄令华 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种开关控制电路、芯片及电子设备，其中开关控制电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、使能逻辑电路、第一控制电路、第二控制电路、斜率控制电路和反馈控制电路，第一晶体管的控制极由第一控制电路控制，第一控制电路控制第一晶体管的开启和关闭；第二晶体管的控制极由第二控制电路控制，第二控制电路控制第二晶体管的开启和关闭；第三晶体管的控制极由斜率控制电路控制，斜率控制电路通过设置电容阵列的电容值控制AVDD电压的上升斜率；使能逻辑电路根据使能信号和反馈信号，控制第一控制电路、第二控制电路和斜率控制电路的开启和关闭。
开关控制电路芯片电子设备

[发明专利]显示设备及像素电路-CN201810845798.8有效
发明人：吉贺正博 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：像素电路包括第一电容、第二电容、第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管。第一电容的第一端耦接于共同电压线。第二电容的第一端耦接于第一控制线。第一晶体管的第一端耦接于源极线，第一晶体管的第二端耦接于第一电容的第二端，第一晶体管的控制端耦接于第二电容的第二端。第二晶体管的第一端耦接于第一晶体管的控制端，且第二晶体管的控制端耦接于第二控制线。第三晶体管的第一端耦接于第二晶体管的第二端，第三晶体管的第二端耦接于第三控制线，且第三晶体管的控制端耦接于第一晶体管的第二端。
显示设备像素电路

[发明专利]像素电路及其关机供电顺序的供电方法-CN202211054061.7有效
发明人：林炜力 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：像素电路包括发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、以及第一电容。第一晶体管、第二晶体管及发光二极管串接于第一系统高电压与系统低电压之间。第三晶体管耦接于第二系统高电压与第一晶体管的控制端之间。第一电容耦接于第二晶体管的第一端及控制端之间。在多个断电期间中，提供接地电压电平至第一电容、发光二极管的阳极、第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端及第三晶体管的控制端。
像素电路及其关机供电顺序方法