专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于信息增益的高光谱数据光谱指数提取方法-CN202210171795.7在审
  • 张衍福;刘凯;赵新;杨丽 - 山东省水利综合事业服务中心
  • 2022-02-24 - 2022-05-27 - G06V20/10
  • 本发明涉及一种基于信息增益的高光谱数据光谱指数提取方法,包括步骤:(1)样本数据的获取、预处理;(2)利用波段替换构建同公式不同波段组合的多个类似光谱指数形式,计算各光谱指数形式下不同类的光谱指数;(3)计算光谱指数在其类中的信息增益:先根据光谱指数在各类中取值的连续性划分节点,计算各划分节点的信息熵,根据信息熵计算信息增益,选择信息增益最大的划分点作为最优划分点,该划分点的信息增益作为光谱指数形式a的信息增益;(4)计算各光谱指数的信息增益,取最大值所对应的光谱指数为最优分类光谱指数。该方法能够有效的扩充光谱指数形式和组合方法,能够从大量光谱指数和波段组合中快速地筛选出最优的分类指数
  • 一种基于信息增益光谱数据指数提取方法
  • [发明专利]一种基于创意的关注与兴趣指数AI值的计算方法-CN201310049143.7有效
  • 吴晓波;赖莎;区慧敏;邱晓华;吴浣筠;肖杰 - 广东平成广告有限公司
  • 2013-02-07 - 2013-07-10 - G06Q30/02
  • 本发明提供了一种基于创意的关注与兴趣指数AI值的计算方法,包括,S1:选择创意的表现形式;S2:选择S1中已经选定表现形式的创意的所有创意要素;S3:分别计算S2中选择的所有创意要素中单个创意要素的注意指数a,以及计算S1中已经选定表现形式的创意的兴趣指数i;S4:依据创意的表现形式,确认是否计算创意的注意指数A和创意的兴趣指数I;S5:分别计算单个创意要素的ai值,单个创意要素的ai值等于单个创意要素的注意指数a乘以兴趣指数i;S6:依据创意的表现形式,计算创意的关注与兴趣指数AI值。通过将创意里的一些能让人产生认知效果的元素作为创意要素,并对创意要素进行关注与兴趣指数AI值的计算,使创意的认知效果的大小得以明显区分。
  • 一种基于创意关注兴趣指数ai计算方法
  • [发明专利]一种三波段植被指数估算镉胁迫下水稻叶绿素的模型方法-CN202111475282.7在审
  • 刘兴旺;张钊;刘杰;毛蕾 - 湘潭大学
  • 2021-12-06 - 2022-03-11 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种三波段植被指数估算镉胁迫下水稻叶绿素的模型方法。首先规范采集水稻的冠层光谱反射率和叶绿素浓度数据;基于归一化植被指数构建新型的三波段植被指数形式;利用建模数据,采用比较任意组合形式指数与叶绿素含量决定系数R2的值来确定三个波段最佳波长和常数值;得到一种适用于水稻叶绿素浓度估算的最优三波段植被指数并以此建立水稻叶绿素浓度估算模型。采用独立实验数据对该新型植被指数及其估算模型进行验证。本发明通过构建新型三波段指数并构建水稻叶绿素含量的估算模型,结构简单、估算精度高、适用范围广,对估算水稻叶绿素的含量不仅具有较高的精度,同时也能有效识别出水稻受重金属污染的状况。
  • 一种波段植被指数估算胁迫水稻叶绿素模型方法
  • [发明专利]有机发光二极管的支持物、该有机发光二极管装置以及其制造方法-CN201180051794.9无效
  • F·伦哈特;G·扎格杜;M-V·埃伦施佩格 - 法国圣-戈班玻璃公司
  • 2011-08-29 - 2013-07-03 - H01L51/52
  • 本发明用于有机发光二极管装置(1000)的支持物(10),其包含第一给定光学折光指数n1的透明基材(1),包含电介质网络(3),以非连续方式布置的层的形式,从而形成一组图案(30),称为低指数图案,网络具有小于或等于1.6的第二光学折光指数n2,低指数图案具有亚微米高度,平均图案宽度A1小于或等于6μm,微尺寸图案间距离B1大于宽度A1;以及具有大于或等于1.7的第三给定光学指数n3的第一电极(4)。至少一部分厚度的第一电极(4)在所述网络(3)上,并与最远离基材(1)的网络(3)的表面接触,或者与低指数图案的网络(3)间隔开。网络(3)埋在高指数介质(100)中,网络因此在高指数介质内,高指数介质包含以一个或多个最远离基材的层的形式的第一电极(4),高指数介质具有大于或等于1.7的第四折光指数n4。
  • 有机发光二极管支持装置及其制造方法

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