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[发明专利]耐电浆腐蚀的保护层与其形成方法-CN202110442122.6在审
发明人：吴宗丰;蔡宇砚;李文亮;苏修贤;周冠廷;赖泱蓉 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种耐电浆腐蚀的保护层与其形成方法，形成于一金属基板上，该抗电浆腐蚀的保护层包括一热阻障层及一耐电浆腐蚀层。热阻障层设置于该金属基板上。耐电浆腐蚀层设置于该热阻障层上。该热阻障层可降低电浆腔体在操作时的热胀冷缩现象，其有益效果是，避免电浆腔体与抗电浆腐蚀材料间因热膨胀系数不同所产生的应力，而使抗电浆腐蚀材料剥离的现象，以增加抗电浆保护膜层的稳定性，并降低电浆腐蚀电浆腔体的现象
耐电浆腐蚀保护层与其形成方法

[实用新型]耐电浆腐蚀的保护层-CN202120846820.8有效
发明人：吴宗丰;蔡宇砚;李文亮;苏修贤;周冠廷;赖泱蓉 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种耐电浆腐蚀的保护层，形成于一金属基板上，该抗电浆腐蚀的保护层包括一热阻障层及一耐电浆腐蚀层。热阻障层设置于该金属基板上。耐电浆腐蚀层设置于该热阻障层上。该热阻障层可降低电浆腔体在操作时的热胀冷缩现象，其有益效果是，避免电浆腔体与抗电浆腐蚀材料间因热膨胀系数不同所产生的应力，而使抗电浆腐蚀材料剥离的现象，以增加抗电浆保护膜层的稳定性，并降低电浆腐蚀电浆腔体的现象
耐电浆腐蚀保护层

[发明专利]多层式电介质抗反射层及其形成方法-CN02107423.2有效
发明人：陆志诚;陈启群;张文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种多层式电介质抗反射层，适用于一基质与一光阻层之间，是在该基质上依序形成第一电介质抗反射层，接着在该第一电介质抗反射层上进行特别的电浆处理，如N2O电浆强化，形成第一电浆强化抗反射层。其中第一电介质抗反射层与第一电浆强化反射层形成一抗反射层组合。接着在该第一电浆强化抗反射层上依序形成N层该抗反射层组合以形成一多层式电介质抗反射层，其中N为自然数，介于1－4之间。
多层电介质反射层及其形成方法

[发明专利]抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法-CN201710089287.3有效
发明人：郭至祥;黄智文 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C09J7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法，抗电浆胶带包含有一基材以及形成于该基材上的一黏着层，其中该黏着层选自由丙烯酸黏合剂、光固化树脂与光起始剂所构成的群组的其中之一。于一电浆清洗制程前，该抗电浆胶带黏贴于该半导体封装的一导线架的一背面，于一模封制程后，该抗电浆胶带自该导线架移除。于该抗电浆胶带通过照射一能量射线而固化及自导线架移除后，于该半导体封装的一模封塑料上不会遗留残胶，该模封塑料于该模封制程中所形成。
抗电浆胶带以及半导体封装方法

[发明专利]电浆抗流方法及电浆抗流圈-CN201210012105.X无效
发明人：赖秉豊 -专利权人：赖秉豊;家贺投资股份有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01F27/34 文献下载
摘要：一种电浆抗流方法及电浆抗流圈，是在密闭空间内，装设该至少一组导电回圈，并在该密闭空间内充填反应流体，当电路受到外来的突波或电路内的突波干扰时，该突波则对导电回圈施加电场或磁场，进而使密闭空间内的导电回圈产生对应的感抗，进而使导电回圈的表面粒子被磁场或电场解离为高能电子、高能离子和高能中性原子等的电浆反应，以达到有效地消除或吸收该突波的目的。
电浆抗流方法电浆抗流圈

[发明专利]抗刮疏水层镀制于金属表面的方法-CN201810641212.6在审
发明人：林永森 -专利权人：逢甲大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗刮疏水层镀制于金属表面的方法，其步骤包含：电浆表面预处理：将一金属表面以电浆进行表面预处理；该预处理使用的该电浆以氢气≧0.1sccm、等离子体放电频率≧100kHz、功率≧10watts以及该金属表面温度≦180℃进行，进一步地可包含氩气≧0sccm；以及抗刮疏水层沉积：将电浆预处理后的该金属表面，以电浆形式将该抗刮疏水层沉积于该金属表面，该抗刮疏水层厚度较佳≧100nm；沉积使用的该电浆以氩气及
金属表面电浆疏水层抗刮沉积等离子体放电表面预处理氩气预处理氮气电浆预处理氧化合物氢气含碳硅镀制蒸汽

[发明专利]抗反射板及其抗反射结构的制造方法-CN200810189687.2无效
发明人：陈志玮;吴清吉;谢文宗;许文通;林春宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗反射板及其抗反射结构的制造方法，该方法包括下列步骤：首先，提供待处理物于反应区内。接着，提供一电浆源于反应区内；然后，于常压下解离电浆源形成电浆；接着，以电浆处理待处理物的表面，以于待处理物的表面形成多个微突起结构；该抗反射板，包括多个微突起结构设置于该光入射面上，该多个微突起结构中任一个微突起结构的平均宽度范围位于
反射及其结构制造方法

[发明专利]耐电浆侵蚀的光学结构-CN202310095335.5在审
发明人：吴宗丰;廖俊智;林佳德;邱国扬;陈柏翰;曾涵芸 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明之耐电浆侵蚀的光学结构包括一透光基材及一耐电浆光学膜层，耐电浆光学膜层是设置于透光基材的一表面上。此外，耐电浆光学膜层包括至少一第一光学薄膜及至少一第二光学薄膜，第二光学薄膜是迭合在第一光学薄膜上。其中，第一光学薄膜的密度不小于4.5。耐电浆侵蚀的光学结构对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
耐电浆侵蚀光学结构

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN200510066173.4无效
发明人：李约翰;汉森尔顿 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种侧壁保护方法能以抗蚀刻的碳水化合物，均匀地覆盖沟渠填入台阶与牺牲氧化物。在一例中，抗反射涂层被旋涂并硬化，再以选择性干电浆蚀刻牺牲氧化物上已硬化的抗反射涂层，并留下附于沟渠填入侧壁未受蚀刻的抗反射涂层。剩余的侧壁材料为保护屏蔽，以延缓后续等向性蚀刻剂达沟渠填入材料侧壁。在一例中，在O₂加Cl₂的电浆中氧含量的百分比及/或电浆蚀刻期间的偏功率将可作为调整参数。
制造半导体元件方法

[发明专利]一种耐迁移低温银浆及其制备方法-CN202310894345.5在审
发明人：孙宝全;刘佳伟;宋涛 -专利权人：苏州英纳电子材料有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明属于电子浆料技术，具体涉及一种耐迁移低温银浆及其制备方法。本发明的耐迁移低温银浆由15‑30％的有机载体、40‑60％的苯骈三氮唑包覆的银粉(BTA@Ag)和20‑40％的银包铜粉组成。本发明通过引入BTA@Ag和银包铜来提高银浆抗迁移能力，同时通过选材，配比及工艺优化从而有效降低银浆电阻率，同时简化制备流程，提高生产效率。该导电银浆主要用于电子薄膜产品，能在保证较高电性能的同时提供良好的抗迁移能力，提高产品使用寿命。本发明的耐迁移低温银浆在高湿通电情况下依旧能取得极佳的耐迁移性能，进一步拓宽银浆应用领域。本发明通过银粉和银包铜复配的方式来制备银浆，既有价格优势又有良好的电性能表现。
一种迁移低温及其制备方法

[实用新型]一种基于导电银浆的高温线缆-CN201420073821.3有效
发明人：柯文祥 -专利权人：苏州硕禾电子材料有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及高温输电线缆，具体公开了一种基于导电银浆的高温线缆，包括电芯和套接在电芯外的线缆套；所用的电芯由空心铜芯和包覆在空心铜芯外的银浆层组成，使电芯的抗弯折能力增强，增长了电芯的使用寿命，并且减少了该高温电缆的生产成本；线缆套由内到外依次设有内屏蔽层、绝缘层、外屏蔽层和阻燃层,使该高温线缆具有了阻燃和电绝缘的性能，并且不干扰周围的设备；阻燃层内设有金属网，增加了线缆套的抗拉性能。
一种基于导电高温线缆

[实用新型]抗电浆腐蚀薄膜结构-CN202220435547.4有效
发明人：吴宗丰;李文亮;林佳德;蔡宇砚;苏修贤;邱国扬;陈柏翰 -专利权人：翔名科技股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。本实用新型的有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。
抗电浆腐蚀薄膜结构

[发明专利]一种水下不分散净浆材料抗分散性能综合测试仪及其应用-CN202110088585.7有效
发明人：芦浩;孙啸;田正宏;刘恒瑞;徐伟;戴波 -专利权人：河海大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种水下不分散净浆材料抗分散性能综合测试仪及其应用，属于净浆材料抗分散性能测试仪器技术领域，包括主支架，主支架上固定连接有分支架一和分支架二，分支架一上设置有质量测试装置，质量测试装置与自动化升降装置连接，自动化升降装置通过连接绳与净浆容器连接，分支架二上设置有pH测试装置，pH测试装置下方设置有盛水容器，质量测试装置、pH测试装置和自动化升降装置与电脑处理端电性连接。本发明提供的测试仪采用称重法与pH法结合的方式来表征水下不分散净浆材料的抗分散性能，为水下不分散净浆的抗分散性能要求提供测试依据和方法，且可达到自动化、准确化和智能化测试水下不分散净浆材料抗分散性能的要求
一种水下分散材料性能综合测试仪及其应用

[实用新型]防污抗指纹大气奈米喷镀设备-CN201220674967.4有效
发明人：方铭国;萧建仁 -专利权人：锜玮科技(深圳)有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防污抗指纹大气奈米喷镀设备，包括机架及传输机构、大气电浆处理机构和喷镀机构；通过利用大气电浆处理机构对玻璃层进行大气电浆处理，配合利用喷镀机构对玻璃层由上往下、两边及侧面进行全方位奈米喷镀以使得在玻璃层表面及侧面均可形成防污抗指纹薄膜，喷镀面由原来2D变为3D，喷镀面可由操作者进行控制，3D可一体成型，本实用新型占地小、操作简单、生产作业效率高，适合量产，连续性平面作业较强，有利于大尺寸产品生产，且生产出来的防污抗指纹薄膜耐磨性好，
防污指纹大气奈米喷镀设备

[发明专利]通过形成具有不同改质的本身应力的蚀刻阻碍层以于不同沟道区域中产生不同机械应力的方法-CN200580017374.3有效
发明人： K·弗罗贝格;M·沙勒;M·阿明普 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。
通过形成具有不同本身应力蚀刻阻碍沟道区域产生机械方法

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