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[发明专利]一种晶圆刻蚀清洗设备及方法-CN202211513686.5在审
发明人： 方铭国;张少波 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆刻蚀的技术领域，特别是涉及晶圆背面减薄金属化工艺的一种晶圆刻蚀清洗设备及方法，其提高镀膜膜层粘附性，减少晶圆变形量；包括以下步骤：步骤1、对晶圆无需金属镀膜的正面进行贴膜保护；步骤2、对晶圆需要金属镀膜的背面进行研磨；步骤3、通过真空等离子对研磨后的晶圆背面进行刻蚀，使晶圆背面表面粗糙化，同时降低应力；步骤4、对刻蚀后的晶圆进行清洗；步骤5、将清洗后的晶面正面保护膜揭除；步骤6、对刻蚀清洗后的晶圆背面进行金属镀膜。
一种刻蚀清洗设备方法

[实用新型]一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备-CN202120627725.9有效
发明人：张少波;刘江;方铭国 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备，真空前处理室与中真空抽气机组连接，真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。本实用新型立式设置，占地空间小，降低了设备成本及功率消耗，提高了产品品质及生产效率，避免了持续镀膜造成急速温升不降，旋转镀膜使得镀膜更加均匀。
一种 sip 芯片低温 emi 真空磁控溅射镀膜设备

[发明专利]一种高精度半导体边框切割装置及其方法-CN202110726899.5在审
发明人：刘江;程勇;方铭国;彭博 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明为一种高精度半导体边框切割装置及其方法,通过设置有机架组件、XYZ运动系统、定位治具系统、激光及CCD定位系统、除尘系统共五个模块，来实现产品的切割作业，其中XYZ运动系统用于带动定位治具系统、激光及CCD定位系统作水平、垂直和竖直运动，当需要对产品进行切割时，把产品放置在定位治具系统上方，再通过激光及CCD定位系统对产品进行精准定位及高精密切割，切割过程产生的废料和粉尘进入废料盒，再由工业集尘器进行收集，工作效率高、卫生环保。
一种高精度半导体边框切割装置及其方法

[发明专利]一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法-CN202110326801.7在审
发明人：张少波;刘江;方铭国 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法，真空前处理室与中真空抽气机组连接，真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。本发明立式设置，占地空间小，降低了设备成本及功率消耗，提高了产品品质及生产效率，避免了持续镀膜造成急速温升不降，旋转镀膜使得镀膜更加均匀。
一种 sip 芯片低温 emi 真空磁控溅射镀膜设备方法

[发明专利]一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺-CN202010542197.7在审
发明人：张少波;方铭国;刘江;程勇 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺,其包括以下步骤：S1、获取SIP封装体；S2、在SIP封装体上形成半切割道沟槽；S3、通过低温磁控离子溅射，在SIP封装体外表面及半切割道沟槽镀膜以形成金属覆层，以形成共形屏蔽、区域屏蔽；S4、以激光除去SIP封装体外表面待除去的金属覆层，以裸露出未屏蔽区，形成局部屏蔽采用激光和低温磁控离子溅射工艺，可以同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工艺流程的简洁化程度。另外，能够解决金属屏蔽层内的子系统共振问题，局部屏蔽则是进一步划分屏蔽区及非屏蔽区，如此可以提高SIP封装技术的应用空间。
一种系统封装实现选择性电磁屏蔽工艺

[实用新型]一种基于镭射切割快速检测方法的QFN封装结构-CN201921546330.5有效
发明人： 方铭国 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于镭射切割快速检测方法的QFN封装结构，包括带状封装体和于该封装体内矩形阵列布置的芯片，相邻两芯片之间设置间断的纵列支撑铜导线架和间断的横排支撑铜导线架。本实用新型采用镭射光局部切断导线电路，但仍保留各个芯片之间的结构连结，以方便芯片电气检测，这种间断设置可以对全部单芯片进行电气检测后再对结构连结进行完全切断，使得电气检测效率提高，且采用镭射光进行局部间断设置并不需要在背面贴保护膜，就不会造成保护膜高温烘烤作业造成的残胶问题，更可以节省材料及作业成本，也可解决传统方法撕膜残胶造成的测试误差。
一种基于镭射切割快速检测方法 qfn 封装结构

[发明专利]疏水镀膜液及其所制备的抗污抗指纹镀膜层的生产工艺-CN201210551082.X无效
发明人： 方铭国;萧建仁 -专利权人：锜玮科技(深圳)有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C09D183/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种疏水镀膜液及其所制备的抗污抗指纹镀膜层的生产工艺，该疏水镀膜液包括有氟硅氧烷100质量份、全氟聚醚0.1～0.5质量份、蒸馏水或去离子水1～20质量份、醇10～50质量份以及无机酸0.1～2质量份；该镀膜层的生产工艺，包括如下步骤：首先将基材进行清洗，清洗后在基材的表面上进行羟基化处理；b、将疏水镀膜液倒入喷镀设备中，并将羟基化后的基材放入喷镀设备中进行喷镀作业；c、将喷镀后的基材放入烘烤箱中进行烘烤；烘烤温度为150℃；烘烤时间为30分钟。d、最后，将烘烤后的基材取出冷却10分钟即得具有抗污抗指纹镀膜层的基材。该镀膜层具有良好的抗污抗指纹性能且具有良好的超疏水性能和耐磨性能。
疏水镀膜及其制备抗污抗指纹生产工艺

[实用新型]防污抗指纹触摸保护玻璃-CN201220674921.2有效
发明人： 方铭国;萧建仁 -专利权人：锜玮科技(深圳)有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防污抗指纹触摸保护玻璃，包括防污抗指纹薄膜以及表面经过大气电浆处理的玻璃层，该防污抗指纹薄膜设置于玻璃层的表面上；藉此，使玻璃层的耐磨耗性能得到很大提升，通过大气纳米喷镀的方式将防污抗指纹薄膜设置于玻璃层的表面上，利用防污抗指纹薄膜可对玻璃层起到很好的防污抗指纹作用，并大大提高触摸操作应用上更爽滑之触感，使产品外观保持美观，使用性能不受影响，本实用新型可应用于汽车反光镜、手机/平板电脑/平板电视触控荧幕保护玻璃、光学镜头/镜片、挤胶头、太阳能电池保护玻璃、键盘防污抗菌处理、若干模具防沾黏功能、大楼帷幕玻璃及任何玻璃、金属材料需要抗污防尘的地方，应用范围广泛，值得市场推广使用。
防污指纹触摸保护玻璃

[实用新型]防污抗指纹大气奈米喷镀设备-CN201220674967.4有效
发明人： 方铭国;萧建仁 -专利权人：锜玮科技(深圳)有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防污抗指纹大气奈米喷镀设备，包括机架及传输机构、大气电浆处理机构和喷镀机构；通过利用大气电浆处理机构对玻璃层进行大气电浆处理，配合利用喷镀机构对玻璃层由上往下、两边及侧面进行全方位奈米喷镀以使得在玻璃层表面及侧面均可形成防污抗指纹薄膜，喷镀面由原来2D变为3D，喷镀面可由操作者进行控制，3D可一体成型，本实用新型占地小、操作简单、生产作业效率高，适合量产，连续性平面作业较强，有利于大尺寸产品生产，且生产出来的防污抗指纹薄膜耐磨性好，可应用于汽车反光镜、手机/平板电脑/平板电视触控荧幕保护玻璃、光学镜头/镜片、挤胶头、太阳能电池保护玻璃等领域当中，应用范围广泛，值得市场推广使用。
防污指纹大气奈米喷镀设备

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