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[发明专利]一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法-CN201610841507.9在审
发明人：涂准;白忠学;白喜军;王文华;魏国锋;杨正华;刘平虎 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法，包括步骤拉制并提出一段多晶；将加热功率提高到引晶功率以上，降低氩气流量，并将石英坩埚位置下降至引晶埚位以下以挥发杂质；调整氩气流量、设定节流阀开度后进行吹拂；重新调整石英坩埚位置并更换籽晶和重锤，调整石英坩埚转速和氩气流量；然后利用直拉单晶法执行引晶、放肩、等径、收尾、停炉工序，得到单晶棒材。本发明的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法解决了现有的直拉单晶法拉晶过程中由于单晶炉台异常导致晶体成晶困难的问题，其通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶率和成品率。
一种提高直拉单晶法成晶率方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201810204001.6有效
发明人：任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管及其

[实用新型]高成晶率局部涂层石英坩埚-CN202022126047.6有效
发明人：贾建亮;贾建恩;孙丽娜 -专利权人：廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了高成晶率局部涂层石英坩埚，包括石英坩埚；还包括碳酸钡涂层、格挡盘、格挡板固定圈口和硅酸钡涂层；沿所述石英坩埚的内壁设有凸出于所述石英坩埚内壁的所述格挡板固定圈口，所述格挡盘放置固定在所述格挡板固定圈口上本坩埚的反应层厚度均匀且可控，不会出现脱落现象，坩埚使用寿命可延长至180‑200小时，且侵蚀沟明显变浅，掺入多晶硅溶液杂质量大大降低，可提高单晶硅成晶率，满足一炉两棒、一炉三棒的要求，特别适合于规模化推广使用
高成晶率局部涂层石英坩埚

[发明专利]一种提高110单晶硅成晶率的制备方法-CN201110084305.1无效
发明人：蔡芸 -专利权人：浙江晨方光电科技有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。采取本发明方法，因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度，就可以在引晶过程排尽位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长，因此能提高成晶率，保证成品率。
一种提高 110 单晶硅成晶率制备方法

[发明专利]一种高成膜率合成NaA沸石膜的方法-CN201310560448.4有效
发明人：陈赞;于海斌;胡毅;臧毅华;郑秋红;季超;刘宗园 -专利权人：中国海洋石油总公司;中海油天津化工研究设计院;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明为一种高成膜率合成NaA沸石膜的方法，特征在于应用热浸渍法涂覆纳米NaA分子筛晶种，然后在抽空的条件下，对载体表面的晶种层进行擦拭，保证了晶种层的厚度、晶种均匀连续的涂覆，在80-100℃下水热晶化合成2-6h，制备出高通量、分离效果好NaA沸石膜，主要解决传统制备NaA膜需要多次涂晶、多次水热合成、成膜率低的问题。
一种高成膜率合成 naa 沸石膜方法

[发明专利]非晶碳膜、半导体装置、成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200780044435.4无效
发明人：菊地良幸;小林保男;川村刚平;野沢俊久;石川拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Si(硅)的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在3.3以下的较低值的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜。因而在将该非晶碳膜用作构成半导体装置的膜的情况下，膜脱落等不良情况被抑制。
非晶碳膜半导体装置方法存储介质

[发明专利]一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法-CN202111015641.0在审
发明人：张文霞;吴树飞;郝瑞军;赵国伟;王林;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，石英坩埚在装料之前，对石英坩埚进行高温空烧，以使得坩埚内表面形成析晶层。本发明的有益效果是阻止石英坩埚在使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入熔硅中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率。
一种提高首颗成晶率石英坩埚预处理方法

[发明专利]一种有机/无机晶须复合电解质膜的制备方法-CN202310043433.4在审
发明人：黄富强;李德星 -专利权人：中科（宜兴）新材料研究有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机/无机晶须复合电解质膜的制备方法，包括以下步骤：配置浆料，水热反应：将初步浆料加热搅拌，使得晶须原料完全转化为晶须，A原料完全转化为α半水硫酸钙晶须或使B原料晶须原料碱式硫酸镁晶须；过滤干燥；加热混合：将干燥晶须与有机聚合物电解质基质、分散剂混合，加热得到混合溶液，涂布成膜：将混合溶液涂布成膜，干燥后得到成品膜。本发明以有机聚合物电解质为基质，采用常压醇水法制备的无机半水硫酸钙晶须和碱式硫酸镁晶须作为一维无机填充材料，保留了有机聚合物电解质高柔性、延展性和易于成膜的特点，无机晶须制备工艺简单，可有效降低复合电解质膜界面电阻、提高机械性能、断裂伸长率和室温电导率。
一种有机无机复合电解质膜制备方法

[发明专利]微晶玻璃-CN202111113393.3在审
发明人：平尾拓树;秋叶周作 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C03C10/12 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，其为换算成厚度0.7mm时的可见光透射率为88％以上的微晶玻璃，其中，所述微晶玻璃的晶化率为30％以上，所述微晶玻璃含有SnO2，并且在所述微晶玻璃中
玻璃

[发明专利]一种壳聚糖-氧化微晶纤维素多层高孔隙率医用生物薄膜的制备方法-CN201811469165.8在审
发明人：陈淑花;许利丽;刘学武;詹世平;王景昌 -专利权人：大连大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： A61L15/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种壳聚糖‑氧化微晶纤维素多层高孔隙率医用生物薄膜的制备方法。本发明通过偶联剂EDC和NHS，将壳聚糖和氧化微晶纤维素接枝，利用流延成膜法将接枝率不同的壳聚糖‑氧化微晶纤维素制备成多层高孔隙率的壳聚糖‑氧化微晶纤维素医用生物薄膜。通过两者接枝成膜的方法，使两者在性能上相互改进，改善单一原料的性能，获得更优异的生物医用膜。本发明工艺流程简单，操作简便安全，条件温和；本发明制备的医用生物膜多层且高孔隙率，能够响应组织愈合的不同阶段而发挥不同的功能，吸收组织渗出液，加快物质的扩散传输和代谢物的排放，保持伤口湿润，促进伤口愈合
氧化微晶纤维素制备医用生物薄膜壳聚糖孔隙率接枝聚糖种壳流延成膜法生物医用膜医用生物膜组织渗出液高孔隙率扩散传输伤口湿润伤口愈合组织愈合工艺流程代谢物接枝率偶联剂成膜多层排放响应吸收改进安全

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202210457998.2在审
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202310803785.5在审
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202111261226.3有效
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]超细晶青铜材料的制备方法-CN202211333734.2在审
发明人：赵智勇;许铮喆;李小飞;马凌志;马文;赵健;杨永胜;潘菲 -专利权人：中铜华中铜业有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明申请提供的超细晶青铜材料的制备方法，包括：选取青铜旧料和锡锭，制备青铜超细晶坯料；将青铜超细晶坯料铣面后粗轧开坯，经软化退火后轧到第一预定厚度并切边，随后退火处理得到第一坯料；将第一坯料进行第一精轧和第一回火，得到第二坯料；将第二坯料进行第二精轧和第二回火得到第一成品，第二精轧的加工率为7％～10.5％；清洗第一成品后进行拉弯矫直，拉弯矫直的延伸率为0.5％～1.0％，剪裁后得到超细晶青铜带材。本发明提供的超细晶青铜材料的制备方法采用青铜超细晶坯料，坯料经二次分段退火、一次高温回火等工艺，退火间配合适当的加工率轧制，构成独特的防止晶粒长大的工艺方法，可有效地将青铜超细晶坯料以较大的规模，工业化制备成超细晶带材
超细晶青铜材料制备方法

[发明专利]一种改善直拉单晶成晶方法-CN201910963840.0在审
发明人：吴树飞;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种改善直拉单晶成晶方法，包括：在直拉单晶初期装料阶段依次向石英坩埚装入硅原料和碳酸钡粉；所述石英坩埚包括本体，所述本体包括透明层和气泡层，所述透明层和所述气泡层依次从内到外设置；在所述本体外壁设有外涂层本发明提出一种用于改善且适用于P型和N型单晶硅棒拉制的成晶方法，解决了现有技术多次在复投装料时进行重复撒入碳酸钡粉而使硅液中钡元素含量增加，导致直拉单晶成晶率低的技术问题，不仅可提高单晶拉制的成晶率，而且还可有效控制硅液中钡元素的含量
直拉单晶装料石英坩埚钡元素气泡层碳酸钡透明层硅液单晶拉制含量增加生产效率有效控制拉制硅原料外涂层外壁装入重复

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