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[发明专利]一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法-CN201410228144.2有效
发明人：康鹏超;武高辉;李晓鹏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法，本发明涉及SiC纳米线的制备方法。本发明要解决现有SiC纳米线的制备方法存在成本高及纯度低的问题，且现有技术没有采用在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法。方法：一、混合；二、球磨；三、酸洗；四、水洗；五、超声分散及碳纤维的处理；六、干燥及真空炉处理，即得到包覆在碳纤维表面的SiC纳米线。本发明制备的包覆在碳纤维表面的SiC纳米线直径在10nm～50nm之间，长度能达到100微米以下，工艺简单、反应过程中不添加催化剂、成本低、转化率高、纯度高。本发明用于一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备。
一种碳纤维表面 sic 纳米制备方法

[发明专利]一种富硒养生锅的制备方法及富硒养生锅-CN202211357627.3在审
发明人：唐明强;赵放;林晨;乐晨;陈义华;蔡佳宁;李鑫 -专利权人：泉州天智合金材料科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B22F5/10 文献下载
摘要：一种富硒养生锅的制备方法及富硒养生锅，具有以下步骤：S1、铜合金粉末制备：将Cu90‑95％、Al0‑5％、Mg0‑3％、Si0‑2％加入水气联合雾化制粉炉中，获得d50为5‑20微米的铜合金粉末；S2、硒粉制备：选用d50为3‑10微米的硒粉；S3、SiC粉末制备：选用d50为5‑20微米的碳化硅粉体；S4、混料：将铜合金粉末30％‑80％、硒粉0.1‑4.0％、SiC粉末20％‑65％混合；S5、喷雾造粒：将复合材料加入浓度为5％的PVA中，充分搅拌2‑3小时获得浆料；将浆料打入喷雾造粒机制得d50为100‑120微米的粉体颗粒；S6、热压烧结：将造粒后的复合材料装入锅形模具中，置入热压烧结炉得到锅体；本发明采用粉末冶金热压烧结方法制备SiC/Cu复合材料富硒养生锅，简化工艺，成本低廉；且富硒养生锅可以持续不断的释放硒元素补充人体所需，符合健康的需求。
一种养生制备方法

[发明专利]一种多尺度陶瓷颗粒混杂高弹性模量高强度铝合金及其制备方法-CN201811608130.8有效
发明人：邱丰;佟昊天;杨宏宇;舒世立 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：％；SiC：2‑8wt.％；TiCN、AlN和TiB2：0.1‑0.6wt.％；余量为Al。本发明还提供一种多尺度陶瓷颗粒混杂高弹性模量高强度铝合金的制备方法，将Al粉、Ti粉以及BN和B4C粉烧结原位内生纳米尺寸的TiCN颗粒、亚微米尺寸的TiB2与AlN颗粒并外加微米SiC陶瓷颗粒制备高弹性模量高强度铝合金，并优化了TiCN、AlN和TiB2颗粒以及SiC颗粒的含量，实现在铝基体中纳米尺寸陶瓷颗粒和微米尺寸陶瓷颗粒的叠加效应
一种尺度陶瓷颗粒混杂弹性模量强度铝合金及其制备方法

[发明专利]制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法-CN201980077888.X在审
发明人：威廉·格雷格·霍金斯;列扎·甘迪;克里斯托弗·鲍尔;鲁少昕 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本文所公开的主题涉及宽带隙半导体功率器件，并且更具体地涉及用于形成如电荷平衡(CB)碳化硅(SiC)功率器件等SiC功率器件的高能量植入掩模。一种中间半导体器件结构(126)包括：具有第一导电类型的碳化硅(SiC)衬底层(36)；以及具有所述第一导电类型的SiC外延(epi)层(34)，所述SiC epi层布置在所述SiC衬底层(36)上。所述中间半导体器件结构(126)还包括硅高能量植入掩模(SiHEIM)(40)，所述SiHEIM直接布置在所述SiC epi层(34)的第一部分上并且具有介于5微米(μm)与20μm之间的厚度。所述SiHEIM(40)被配置成在植入能量大于500千电子伏(keV)的高能量植入过程期间阻断对所述SiC epi层(34)的所述第一部分的植入。
制作宽带半导体器件高能量植入期间掩蔽系统方法

[发明专利]一种高温抗氧化的CfSiC复合材料及制备方法-CN201910287824.4在审
发明人：陶金旺 -专利权人：陶金旺
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料技术领域，且公开了一种高温抗氧化的CfSiC复合材料，包括以下重量份数配比的原料：45～65份微米SiC陶瓷粉、15～35份微米C_f粉、5～10份抗氧化剂、8～15份陶瓷粘结剂；其中，抗氧化剂由微米ZrB₂粉与纳米的Al₂O₃粉等质量混合组成。本发明解决了C_f/SiC复合材料中的增韧相碳纤维，在高温氧化性的使用环境下，容易发生氧化反应的技术问题。
复合材料高温抗氧化抗氧化剂制备碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料重量份数配比高温氧化性陶瓷粘结剂使用环境氧化反应微米SiC 碳纤维陶瓷粉增韧相

[发明专利]一种微米碳化硅纤维毡及其制备方法-CN201310585839.1在审
发明人：张博;田秀梅;冯春祥 -专利权人：苏州中宝复合材料有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： D04H1/4209 文献下载
摘要：本发明涉及一种微米碳化硅纤维毡及其制备方法，该毡由聚碳硅烷经熔融纺丝成聚碳硅烷微米纤维，并均匀排布于收丝盘中，然后经不熔化和在含有有机硅聚合物蒸汽和惰性气氛下烧结制备而成。本发明制备出的微米碳化硅纤维毡是一种微米陶瓷毡体，在高温过滤、高温催化、制备SiCf/SiC复合材料等领域着广阔的应用前景。
一种微米碳化硅纤维及其制备方法

[发明专利]一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法-CN201110174575.1无效
发明人：郝维昌;辛宪栋;程晋阳;王天民 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，它有六大步骤：一、将载有金属镓的SiC衬底放于管式炉中的加热区域升温；二温度到达500℃之前，给炉内通入氩气，并继续加热升温至900-1000℃时，保温1-3小时；三、冷却至室温，得到白色絮状的氧化镓Ga2O3一维亚微米结构；四、在显微镜下，利用半导体探针将已制好的在SiC基底上的Ga2O3一维亚微米结构单根或者多根挑出并置于传感器基底上；五、将该传感器基底上的全部Ga2O3一维亚微米结构固定，并利用磁控溅射或热蒸发镀膜装置蒸镀Au或Ag制作电极；六、将制作好的电极连接导线，并使用专用胶水进行封装，保证导线，电极和Ga2O3一维亚微米结构的良好接触。
一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器方法

[发明专利]一种纳米SiC颗粒增强镁基复合材料的制备方法-CN202310054659.4在审
发明人：曹喜娟;任广笑;马二波;郑云凯;王宁超;魏成瑜;成波;李沛森;付志军;权登辉;王楠;赵云鹏 -专利权人：山西江淮重工有限责任公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米SiC颗粒增强镁基复合材料的制备方法，属于合金制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：1)将纳米SiC颗粒依次在600℃～800℃和800℃～1100℃进行高温处理；2)将预处理纳米SiC颗粒与微米铝粉混合进行球磨处理；3)在氩气保护下将镁基合金加热至半固态，在搅拌状态下将中间合金粉末加入至半固态镁基合金中；4)在氩气保护下将混合浆料升温至液相线以上；5)在氩气保护下将液态混合浆料进行超声，将超声后的浆料进行铸造，得到纳米SiC颗粒增强镁基复合材料。本发明提供的方法可提高纳米SiC在镁基合金中的分散性，改变纳米SiC与镁基合金基体之间的润湿性。
一种纳米 sic 颗粒增强复合材料制备方法

[发明专利]一种电弧喷涂丝材及其制备方法-CN201510009704.X有效
发明人：马康智;曾一兵;吴朝军;杨杰;倪立勇;杨震晓 -专利权人：航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：首次将铝带剪裁为适当尺寸，并经成型模具弯折为“U型”结构，作为电弧喷涂丝材的表皮；分别选取一定量的微米级粒径的Al2O3粉料和纳米级粒径的Al2O3粉料以及微米级的SiC粉末，并混合均匀，制备出粉芯材料电弧喷涂丝材包括铝制外壳以及粉芯，铝制外壳紧密包裹粉芯；粉芯包括微米级粒径的Al2O3粉料、纳米级的Al2O3粉料以及微米级粒径SiC的粉料；粉芯占电弧喷涂丝材的质量含量为28％～40％。
一种电弧喷涂及其制备方法

[发明专利]一种制备亚微米级碳化硅粉体的方法-CN201310748935.3有效
发明人：买智勇;梁西正;梁贵振;杨正宏;吕春长;魏志勇;张强;刘俊杰;方国辉 -专利权人：平顶山易成新材料股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种制备亚微米级碳化硅粉体的方法，将从铁超料或碳超料或除尘料中回收得到的碳化硅原料先浮选除杂和除碳，再进行研磨，然后采用先碱后酸的方法进行提纯处理，最后通过非硫化床干燥设备干燥和破碎，最终得到高品质的碳化硅亚微米级粉体该方法通过物理提纯和化学提纯方式并举的形式，将SiC含量较低的粉体处理成为满足SiC≥98.5%的高品级碳化硅粉体，粉体颗粒的D50≤0.75μm，包装后的产品能够在使用过程中不结团，该方法不仅能够处理SiC含量较高的粉体，也能够处理SiC含量较低的粉体，解决了企业在生产碳化硅线切割微粉生产过程中，物料粒度偏细尾料的回收再处理难题，增加了产品结构，实现了资源的高效利用。
一种制备微米碳化硅方法

[发明专利]碳/碳化硅复合材料表面耐高温涂层的制备方法-CN200810150372.7有效
发明人：殷小玮;成来飞;伊拉扎·古特曼纳什;张立同;王东 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳/碳化硅复合材料表面耐高温涂层的制备方法，分别将金属锆粉和碘粉球磨制成Zr－I₂混合粉体；将C/SiC复合材料打磨抛后洗涤，烘干；在C/SiC复合材料上沉积SiC涂层和热解碳涂层；将经上述步骤处理的C/SiC复合材料包埋于Zr－I₂混合粉体中，用三层不锈钢容器密封；将三层密封的不锈钢容器在高温炉中氩气氛保护下850～1100℃热处理5～30本发明采用在难熔金属粉体中加入碘来制备涂层，由于涂层由难熔金属粉体与基体之间反应生成，使得涂层与基体间有良好的结合界面，制备的Zr－Si－C涂层也由现有技术的0.1～0.2微米提高到2～10微米。
碳化硅复合材料表面耐高温涂层制备方法

[发明专利]SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法-CN201510274602.0在审
发明人：蒋建华;梁红伟;夏晓川;黄慧诗;闫晓密 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司;大连理工大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-Al_xGa_1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光吸收同时，也实现了外延片和器件的垂直电流输运、高光提取效率及高散热能力
sic 衬底 gan 紫外 led 外延器件制备方法

[发明专利]一种SiC/SiC复合材料闪烧快速致密化的方法-CN202211496130.X在审
发明人：陈照峰;汪晶;卢乐 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC/SiC复合材料闪烧快速致密化的方法，首先，将亚微米碳化硅粉体和包覆热解碳涂层的短切碳化硅纤维按照一定比例混合，经过球磨、干燥、造粒、研磨、过筛得到混合均匀的闪烧配方，制备出SiC/SiC复合粉体；其次将复合粉体置于模具中压制成型，制备出碳化硅生坯，最后将生坯用石墨毡包裹住与电路串联后置于闪烧设备中，制备出致密的SiC/SiC复合材料。本发明制备的复合粉体特点在于闪烧配方可在SiC粉体表面均匀形成赛隆晶界，通过石墨毡包覆生坯闪烧技术在不施加任何外力的情况下快速实现致密化，在陶瓷部件快速修复、批量生产、绿色节能等领域具有广泛应用前景。
一种 sic 复合材料快速致密方法

[发明专利]一种SiC晶须与C-AlPO4-CN201910032041.1有效
发明人：李杨;肖鹏;陈鹏举;李专 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/185 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶须与C‑AlPO4粉末协同改性莫来石涂层的制备方法，选用C/SiC复合材料为基体，通过化学气相沉积法制备SiC内涂层，后在SiC内涂层包覆C/SiC复合材料上采用溶胶‑凝胶结合空气喷涂工艺制备SiC晶须与C‑AlPO4粉末协同改性莫来石涂层前驱体，最终通过烧结即可获得SiC晶须与C‑AlPO微米级涂层厚度地控制，具有制备工艺简单，制备成本低，制备效率高，可满足大型构件、异性构件制备等诸多优势，便于大规模产业化应用
一种 sic alpo base sub

[发明专利]短纤维/SiC_p增强泡沫铝基轴瓦的半固态制备工艺-CN201410659570.1有效
发明人：赵升吨;王永飞;张晨阳;韩晓兰;赵永强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： B22D17/00 文献下载
摘要：短纤维/SiC_P增强泡沫铝基轴瓦的半固态制备工艺，先预先准备的纳米颗粒状TiH₂发泡剂、微米颗粒状SiC颗粒以及短纤维添加到微米颗粒状铝基体材料内，均匀混合后制成混合材料并在半固态等温处理装置的模具型腔内壁上涂抹隔离剂通过半固态等温处理装置将混合材料加热到铝基体材料的半固态区间并保温以形成半固态状的轴瓦坯料；随后，对该轴瓦坯料进行镦压处理以提高其致密性；最后，将镦压后的轴瓦坯料取出、冷却后精加工，从而制备出短纤维/SiC
短纤维 sic sub 增强泡沫轴瓦固态制备工艺