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[发明专利]一种SiC陶瓷颗粒表面改性工艺-CN201911316239.9有效
发明人：谢志勇;许涛;熊晖;刘小磐;高朋召 -专利权人：合肥水泥研究设计院有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC陶瓷颗粒表面改性工艺，步骤如下：SiC颗粒的预处理；表面改性料浆的制备；SiC颗粒的表面改性处理。本发明工艺在SiC颗粒表面形成MoSi2金属间化合物薄膜。该薄膜能与SiC颗粒形成Mo‑Si‑C键，与SiC颗粒结合性良好。用涂膜后的SiC颗粒制成陶瓷预制体，然后采用浇铸法制备SiC/Fe基复合材料材料时，SiC颗粒与熔融的铁合金润湿性良好，SiC颗粒表面的MoSi2薄膜能抑制铁水与SiC颗粒产生有害的化学反应，SiC颗粒能与铁合金基体形成牢固的界面结合，在磨损载荷下SiC颗粒不会因为界面结合强度低而从铁合金基体表面脱落，能将SiC/Fe复合材料的耐磨性提高50%以上。
一种 sic 陶瓷颗粒表面改性工艺

[发明专利]一种SiC基板的制造方法-CN201910165370.3在审
发明人：袁纪文 -专利权人：扬州港信光电科技有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC基板的制造方法，S1、准备SiC粉末，将其作为原料，S2、将S1中的SiC粉末原料放置在坩埚内，在坩埚的盖体中安装由SiC单晶构成的籽晶，通过使原料升华进行再结晶，使SiC单晶在籽晶上生长，然后得到大致为圆柱状的SiC的块状单晶，S3、将待切割的SiC块状单晶安装在工作台上，涉及SiC基板制作技术领域。该SiC基板的制造方法，采用金刚石切割线进行切割，并在切割时进行喷浆，可以对大直径的SiC单晶进行切割，切出的SiC基板表面平整，每次可以切割多块SiC的块状单晶，提高了SiC基板的制作质量，在制作SiC的块状单晶时，碳化硅粉末升华速度快，从而SiC单晶在籽晶上生长速度快，提高了碳化硅单晶的制作效率，降低了生产成本。
块状单晶切割单晶籽晶制作坩埚制造金刚石切割线碳化硅单晶碳化硅粉末升华表面平整粉末原料圆柱状再结晶生长多块盖体喷浆切出生产成本

[发明专利]一种长尺寸SiCf-CN202211380016.0在审
发明人：汤哲鹏;董凯;王梦千;刘坤;程仁政;谢宇辉 -专利权人：核工业第八研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明涉及一种长尺寸SiCf/SiC复合材料包壳(PyC/SiC)n多层界面层及其制备方法，(PyC/SiC)n多层界面层位于SiC纤维和SiC基体之间，其由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成，所述(PyC/SiC)n多层界面层中的n为PyC界面层和SiC界面层交替沉积的次数，n的范围为1‑3，所述(PyC/SiC)n多层界面层的总厚度为100nm～1000nm，所述(PyC/SiC)SiC界面层形成的(PyC/SiC)n多层界面层，实现了(PyC/SiC)n多层界面层的均匀沉积，也提高了SiCf/SiC复合材料包壳的抗氧化性能、界面稳定性和力学性能。
一种尺寸 sic base sub

[发明专利]一种包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维及其制备方法和应用-CN201811464457.2有效
发明人：李晓东;于新民;刘俊鹏;宋环君;霍鹏飞;王涛;王鹏;左红军;金鑫;于艺 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维的方法，包括：提供SiC纤维；采用有机溶剂稀释SiBCN前驱体，制得SiBCN前驱体溶液；以SiBCN前驱体溶液作为浸渍液通过前驱体浸渍裂解法在SiC纤维表面上形成SiBCN涂层，得到包含SiBCN涂层的SiC纤维；(4)以甲基三氯硅烷作为前驱体通过化学气相沉积法使SiC纤维进一步包含SiC沉积涂层，从而得到包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维。本发明还提供了一种包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维及其在制备SiC/SiC陶瓷基复合材料中的应用。本发明方法制得的SiC纤维具有高的抗氧化性能和涂纤维‑涂层界面结合力和拉伸强度，还为后期用于制备SiC/SiC复合材料时提供了良好的基体‑纤维界面结合力，从而提高了复合材料的综合性能。
一种包含交替形成 sibcn 涂层 sic 纤维及其制备方法应用

[发明专利]半导体装置-CN201610137248.1有效
发明人：尾原亮一;野田隆夫;堀阳一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。
半导体装置

[发明专利]一种SiC/SiC复合材料的连接方法-CN201711257277.2有效
发明人：谢巍杰;邱海鹏;陈明伟;刘善华 -专利权人：中航复合材料有限责任公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合材料的连接方法，特别涉及一种SiC/SiC复合材料的连接方法，主要适用于大型复杂薄壁和尺寸精度要求高的SiC/SiC复合材料构件的连接。本发明提供的SiC/SiC复合材料连接方法中，SiC/SiC复合材料螺钉起到了紧固连接的作用，先驱体转化法生成的碳化硅起到了锁紧与粘接的作用，巧妙结合了紧固连接与粘接并充分发挥各自优点，连接强度和可靠性高本发明提供了一种一体化制备大型复杂SiC/SiC复合材料构件的方法，在SiC/SiC复合材料的制造过程完成连接，缩短SiC/SiC复合材料构件的制备周期并降低成本。本发明提供一种SiC/SiC复合材料的连接方法，可以克服现有技术中粘接的脆性大且可靠性差、螺栓连接的构件表面形状改变、铆接的铆钉易脱出且可靠性差等缺点。
一种 sic 复合材料连接方法

[发明专利]SiC复合基板的制造方法-CN201680052879.1有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
sic 复合制造方法

[发明专利]一种SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管及其制备方法-CN201710604397.9有效
发明人：陈照峰;余盛杰 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B01D39/20 文献下载
摘要：一种SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管及其制备方法，其特征在于，所述的SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管包括管状SiC纤维三维织物预制体，SiC基体，(SiC/PyC)n界面层，SiC基体附着于SiC纤维表面，(SiC/PyC)n界面层介于SiC基体和SiC纤维之间，管壁从内到外，SiC基体厚度呈梯度分布。SiC基体厚度为30~100μm。(SiC/PyC)n界面层厚度为300nm~2μm。采用化学气相渗积法一体化成型得到SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管。
一种 sicf sic 陶瓷复合过滤及其制备方法

[发明专利]SiC晶圆在线加工方法-CN201711432420.7在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。
晶圆在线加工非透光淀积背面晶圆片光线传感器加工工序加工效率正面设置定位边有效地透光保证加工

[实用新型]一种复合半导体衬底-CN202121722381.6有效
发明人：田野;王晓宇 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种复合半导体衬底，包括：高掺杂SiC基底，用于降低电流损耗；低掺杂SiC转移层，用于作为SiC外延层的生长基底；键合界面层，设置在所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层之间，用于键合所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层。本实用新型通过采用基于键合剥离转移技术的高掺杂‑低掺杂复合半导体衬底，在能够使用高掺杂的SiC基底材料降低器件导通损耗的前提下，通过在高掺杂SiC基底材料上方引入低掺杂SiC转移层，解决了传统高掺杂SiC衬底在生长外延时难以控制SiC外延层掺杂浓度的弊端。
一种复合半导体衬底

[发明专利]一种自清洁环保水性聚氨酯涂料及其制备方法-CN201810335040.X在审
发明人：陈超 -专利权人：陈超
申请日： 2018-04-15 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C09D4/06 文献下载
摘要：该涂料包括以下重量份数的原料：改性水性聚氨酯树脂乳液70~80份，填料20~25份，改性珊瑚礁5~10份，二丙二醇丁醚1~2份，烷基二苯醚双磺酸盐1~2份，甲基戊醇2~3份，六偏磷酸钠0.2~0.5份，氧化锌0.2~0.6份，SiC微米颗粒10~15份，乙烯基三甲氧基硅烷1~5份，水15~20份。
自清洁水性聚氨酯涂料制备涂料乙烯基三甲氧基硅烷改性水性聚氨酯二丙二醇丁醚六偏磷酸钠烷基二苯醚光稳定性甲基戊醇绿色环保树脂乳液涂料领域微米颗粒重量份数珊瑚礁磺酸盐氧化锌改性环保

[发明专利]高效强辐射节能强化剂及其制备方法-CN201711127573.0在审
发明人：徐叶 -专利权人：绵阳双甘科技有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：该组合物由耐火粘土、膨润土、棕刚玉、SiC、Al₂0₃、Fe₂O₃、ZrO₂、Cr_{原料粒度小于320目，粒径小于50微米，强化剂的全波段发射率>0.93，可广泛应用于各种高温工业炉窑及锅炉的内壁耐火墙的表面，节能效果显著。}
节能强化剂强辐射制备高温工业炉窑高温粘结剂无机混合物节能效果耐火粘土原料粒度发射率耐火墙膨润土强化剂全波段棕刚玉粒径内壁锅炉应用

[发明专利]具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料以及连接碳化硅陶瓷的方法-CN201610408135.0在审
发明人：黄庆;杨辉;周小兵;黄峰;都时禹 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，该连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米。将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面将待连接的SiC材料连接在一起，降低了外部热源的热量供给，具有连接温度低的优点，有利于节约成本，降低工业化生产难度；同时，利用该连接材料在该低连接温度条件下连接后的碳化硅陶瓷具有界面弯曲强度高的优点
具有连接温度弯曲强度碳化硅陶瓷材料以及方法

[发明专利]一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及其制备方法-CN202111671068.9在审
发明人：田春英;张俊举;曹俊杰;沙娓娓;王勇;陈若曦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及制备方法，属于光电阴极技术领域，所述结构由下至上依次是半导体衬底、GaAs发射层和表面激活层，衬底为Si或者SiC等绝缘体，发射层的上表面被制成了金字塔形的绒面结构本发明制成的金字塔结构尺寸在1微米左右，且分布均匀。通过表面制绒，降低光电阴极表面的反射率，增加光的吸收，进而提高光电阴极的量子效率。
一种基于结构 nea gaas 光电阴极及其制备方法

[发明专利]聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法-CN202211518539.7在审
发明人：王海龙;符潆心;刘雯;王海亮;李明亮;宋博;邵刚;张锐 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法，包括：以聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解生成无机陶瓷，通常有残余的自由碳存在，高温裂解使自由碳石墨化程度提高；经球磨将高温裂解产物与微米级碳化硅粉体混合
聚合物转化可控改性 sic 陶瓷制备方法