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[发明专利]用于电子器件的材料-CN201280037908.9有效
发明人：埃米尔·侯赛因·帕勒姆;阿尔内·比辛;克里斯托夫·普夫卢姆;特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;菲利普·斯托塞尔;托马斯·埃伯利;弗兰克·福格斯 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)、(II)或(III)的化合物，涉及所述化合物在电子器件中的用途，并且涉及包含式(I)、(II)或(III)化合物的电子器件。本发明还涉及式(I)、(II)或(III)化合物的制备方法，并且涉及包含一种或多种式(I)、(II)或(III)化合物的制剂。
用于电子器件材料

[发明专利]用于电子器件的化合物-CN201280009263.8有效
发明人：伊里娜·马丁诺娃;埃米尔·侯赛因·帕勒姆;克里斯托夫·普夫卢姆 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)、(II)或(III)的化合物，涉及该化合物在电子器件中的用途，并且涉及包含一种或多种式(I)、(II)或(III)的化合物的电子器件。本发明还涉及用于制备式(I)、(II)或(III)的化合物的方法，并且涉及包含一种或多种式(I)、(II)或(III)的化合物的制剂。
用于电子器件化合物

[发明专利]金属工件热处理用的甑式炉-CN201110045945.1有效
发明人： R·扎勒斯;H·施瓦尔 -专利权人：易普森国际有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C21D1/74 文献下载
摘要：为了提高使用价值以及为了提高用于热处理金属工件的甑式炉(I.1，II.1，III.1)，所述甑式炉包括管形的曲颈甑(I.3，II.3，III.3)，该曲颈甑被炉罩(I.2，II.2，III.2)包围，按第一变体，物料的重量于曲颈甑(I.3)脱接；按第二变体，第二翻转装置(II.18.2)设置用于曲颈甑(II.3)的加热元件(II.6)；并且按第三变体，曲颈甑(III.3)的底部(III.9)装备有第二底部(III.9.1)和/或调节阀门(III.20，III.21)，上述三种变体的组合为甑式炉(I.1，II.1，III.1)的多样化的构造创造了前提条件，所述甑式炉提高金属工件的热处理的效率。
金属工件热处理甑式炉

[发明专利]金属工件热处理用的甑式炉-CN201110045847.8有效
发明人： R·扎勒斯;H·施瓦尔 -专利权人：易普森国际有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C21D1/74 文献下载
摘要：为了提高使用价值以及为了提高用于热处理金属工件的甑式炉(I.1，II.1，III.1)，所述甑式炉包括管形的曲颈甑(I.3，II.3，III.3)，该曲颈甑被炉罩(I.2，II.2，III.2)包围，按第一变体，物料的重量于曲颈甑(I.3)脱接；按第二变体，第二翻转装置(II.18.2)设置用于曲颈甑(II.3)的加热元件(II.6)；并且按第三变体，曲颈甑(III.3)的底部(III.9)装备有第二底部(III.9.1)和/或调节阀门(III.20，III.21)，上述三种变体的组合为甑式炉(I.1，II.1，III.1)的多样化的构造创造了前提条件，所述甑式炉提高金属工件的热处理的效率。
金属工件热处理甑式炉

[发明专利]金属工件热处理用的甑式炉-CN200980128640.8有效
发明人： R·扎勒斯;H·施瓦尔 -专利权人：易普森国际有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：为了提高使用价值以及为了提高用于热处理金属工件的甑式炉(I.1，II.1，III.1)，所述甑式炉包括管形的曲颈甑(I.3，II.3，III.3)，该曲颈甑被炉罩(I.2，II.2，III.2)包围，按第一变体，物料的重量于曲颈甑(I.3)脱接；按第二变体，第二翻转装置(II.18.2)设置用于曲颈甑(II.3)的加热元件(II.6)；并且按第三变体，曲颈甑(III.3)的底部(III.9)装备有第二底部(III.9.1)和/或调节阀门(III.20，III.21)，上述三种变体的组合为甑式炉(I.1，II.1，III.1)的多样化的构造创造了前提条件，所述甑式炉提高金属工件的热处理的效率。
金属工件热处理甑式炉

[发明专利]氨基糖苷衍生物及其在治疗遗传紊乱中的用途-CN201880051071.0在审
发明人：帝莫·巴索夫;薇拉·菲尔松;瓦莱丽·贝拉克霍夫;巴特亨·埃隆 -专利权人： ELOXX制药有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C07H15/224 文献下载
摘要：本发明提供了由本说明书定义的式表示的经设计以表现出终止密码子突变读出活性的新颖的氨基糖苷(例如，式A，B，I，I*，III或III*的化合物，包括由式Ia，I**，I*a，I*b，IIIa，III**，III*a和III*b表示的化合物)。
氨基糖苷衍生物及其治疗遗传紊乱中的用途

[发明专利]合成6-羟基-8-氯辛酸乙酯的方法-CN202310273327.5在审
发明人：祁彦涛;葛永超;李涛;王博 -专利权人：风火轮（上海）生物科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07C67/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成6‑羟基‑8‑氯辛酸乙酯的方法，包括如下步骤：使2‑(2‑氯乙基)环己‑1‑酮(IV)发生Baeyer‑Villiger氧化反应，得到式(III)‑1所示7‑(2‑氯乙基)己‑2‑内酯；或者使化合物(III)‑1进一步发生开环，得到式(III)‑2所示6‑羟基‑8‑氯辛酸或6‑酯基‑8‑氯辛酸；或者形成化合物(III)‑1和化合物(III)‑2的混合物III；使化合物(III)‑1、(III)‑2或者混合物III在乙醇体系中发生开环酯化反应，得到式II所示6‑羟基‑8‑氯辛酸乙酯。
合成羟基辛酸方法

[发明专利]一种制备泼尼卡松中间体的方法-CN201810722205.9在审
发明人：毛晖;杨建;何柯 -专利权人：成都文帆生物医药研发有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C07J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种泼尼卡松关键中间体(如式III所示化合物)的制备方法，该方法以式II化合物为原料，用水和乙醇作为溶剂，在酸性条件下，经水解反应得到式III化合物。与现有技术相比，该方法提高了式II化合物的转化率，解决了式III化合物不易分离纯化、难析晶等问题，能方便快捷地得到高纯度的式III化合物，适合应用于工业化生产。
式III 式II 关键中间体分离纯化水解反应酸性条件高纯度溶剂乙醇卡松析晶制备应用

[发明专利]含氮杂环取代的酰肼类化合物及其制备方法和用途-CN201010254144.1有效
发明人：钟宪斌;程笠人;谭孟群 -专利权人：深圳市湘雅生物医药研究院
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C07D295/15 文献下载
摘要：具体地，本发明涉及一类新颖的式I、式II和式III所示含氮杂环取代的酰肼类化合物：或其药学可接受的盐、溶剂合物、立体异构体或前体药物，其中各符号如说明书所述。本发明还涉及式I、式II和式III所述化合物的制备方法，式I、式II和式III化合物在制备用于治疗和/或预防肿瘤和/或癌症的药物中的用途，使用式I、式II和式III化合物治疗和/或预防肿瘤和/或癌症的方法，以及包括治疗和/或预防有效量的式I、式II和式III化合物的药物组合物。本发明式I、式II和式III化合物能够选择性地杀死某些癌细胞，具有很强的抗癌活性，并且能够抑制肿瘤的生长。
含氮杂环取代酰肼类化合物及其制备方法用途

[发明专利]一种磺酰叠氮类化合物的制备方法-CN201210474126.3有效
发明人：王鹏;叶辉;孙长海;刘永辉;袁海新;郭伟康;周立飞;曹雪峰 -专利权人：天津红日药业股份有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C07D233/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种磺酰叠氮类化合物的制备方法，包括如下步骤：(a)将式(II)化合物和三氟甲烷磺酸甲酯反应得到式(III)化合物；所述式(Ⅱ)化合物为式(II-1)或者式(II-2)化合物中一种，所述式(III)化合物为式(III-1)或者式(III-2)化合物；(b)将步骤(a)得到的式(III)化合物和叠氮钠反应得到式(I)磺酰叠氮类化合物；所述式(I)磺酰叠氮类化合物为式(I-1)或者式(I-2)磺酰叠氮类化合物
一种磺酰叠氮类化合物制备方法

[发明专利]1-羟烷基-5-硝基咪唑的制备方法-CN89100185.9无效
发明人：维维阿耐·马松尼奥;米切尔·姆尔豪瑟;阿尔布特·布放;伯纳代特·曼达得·沙辛 -专利权人：罗纳-布朗克制药公司
申请日： 1989-01-13 - 公布日： 1993-12-29 - 主分类号： C07D233/92 文献下载
摘要：式(I)的1-羟烷基硝基咪唑制备方法是将式(II)的硫酸亚烷基酯作用于式(III)的咪唑衍生物，然后水解或醇解所得产物。式(I)和(II)中，n为2或3。式(I)和(III)中，R为氢原子或1-4碳烷基，式(III)中，X为氢原子或可水解或醇解去除的基团。
烷基硝基咪唑制备方法

[发明专利]一种制备恩杂鲁胺合成中间体的式（III）化合物的方法-CN201910300841.7在审
发明人：孟祥国;汪硕闻;邱诗 -专利权人：令灏远（苏州）科技有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C07C253/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备恩杂鲁胺合成中间体的式(III)化合物的方法，式III化合物是制备抗前列腺癌药物恩杂鲁胺的重要中间体。所述方法包括如下步骤：以式(I)化合物与式(II)化合物为原料发生反应，生产式(III)化合物。
式( I )制备合成抗前列腺癌药物重要中间体式III 生产

[发明专利]伊伐布雷定及其药学上可接受的加成盐的制备方法-CN200810084450.8无效
发明人：庞亚龙;刘裴华 -专利权人：北京深蓝海生物医药科技有限公司
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C07D223/16 文献下载
摘要：制备式(III)所示化合物及其药学上可接受的加成盐的方法，包括将式(I)化合物与式II)的化合物反应，得到式(III)所示的化合物。如需要，可进一步将式(III)的化合物制备成药学上可接受的加成盐。本发明还公开了式(I)所示的化合物。式中，X代表卤原子。
布雷及其药学可接受加成制备方法

[发明专利]半导体芯片及其形成方法-CN201711241717.5有效
发明人：刘铭棋;李汝谅;蔡嘉雄;陈逸群;亚历山大·卡尼斯基;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：提供一种半导体芯片的形成方法，包括：提供硅承载晶片，其具有第一面及第二面，其中外延III‑V族半导体区及氧化区设置在第一面上，且外延III‑V族半导体区及氧化区具有从硅承载晶片的第一面量起大抵相同的高度，外延III‑V族半导体区侧壁接触氧化区侧壁；在外延III‑V族半导体区及氧化区顶表面形成共晶接合层；接合互补式金氧半晶片至共晶接合层；随后去除硅承载晶片；单粒化互补式金氧半晶片以形成三维集成电路，其皆包含互补式金氧半基板及III‑V族光学装置，互补式金氧半基板及III‑V族光学装置分别对应互补式金氧半晶片及III‑V族光学装置的一部分。
半导体芯片及其形成方法

[发明专利]3-羟甲基-1-炔丙基咪唑烷-2，4-二酮的制备方法-CN93102995.3无效
发明人：田辺阳;村上正成;山本仁已 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 1993-03-10 - 公布日： 1996-07-24 - 主分类号： C07D233/72 文献下载
摘要：本发明提供3-羟甲基-1-炔丙基咪唑烷-2，4-二酮的生产方法，它包括(i)将式(I)化合物与式(II)化合物在碱存在下反应，得到式(III)的1-炔丙基咪唑烷-2，4-二酮衍生物；(ii)将式(III式(I)、式(II)和式(III)如下，其中各取代基定义见说明书。
甲基丙基咪唑制备方法

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