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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]驱动电路内置型功率模块-CN201980006909.9有效
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：提供驱动电路内置型功率模块，其抑制了因开关元件中流通超过其额定电流值的电流而发生的关断时的栅电压的寄生振荡。由电流检测电路(15)监视流通于构成半桥电路的下臂部的开关元件(12、13、14)的电流，若开关元件(12、13、14)的电流比额定电流值高，则从介由通常接地布线(25)连接于电源侧接地端子的COM1切换为介由包含阻尼电阻(27)的接地布线(26)连接于电源侧接地端子的COM2。由此，提高下臂驱动电路(11)的驱动阻抗，开关元件(12、13、14)关断时的栅电压的寄生振荡受到抑制。
驱动电路内置功率模块

[发明专利]半导体装置和半导体芯片-CN202211334304.2在审
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：提供一种半导体装置和半导体芯片。缩小设置用于控制功率半导体元件的元素所需的区域。半导体装置具备：功率半导体元件；控制芯片，其具备包括第一端子和第二端子在内的多个端子，利用被提供到所述第二端子的电源电压来控制功率半导体元件；第一导体，其用于将规定的控制电压提供到第一端子；以及半导体芯片，其包括在生成电源电压的自举动作中使用的二极管。半导体芯片包括：半导体基板，其包括彼此位于相反侧的第一面和第二面，由第一面的p型半导体区和第二面的n型半导体区形成所述二极管的pn结；阳极，其形成于第一面上，与第一导体的表面接合；以及阴极，其形成于第二面上，经由第一布线来与第二端子电连接。
半导体装置芯片

[发明专利]评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置-CN201880003031.9有效
发明人：胜又洋树;玉手道雄;藤田美和子;浅野达见子;铃木佑平;皆见崇之;砂坂祐太;山田忠则;荒木龙;邱宝璁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
评价方法推定装置综合

[发明专利]驱动电路内置型功率模块-CN202110325031.4在审
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供改善了开关元件的关断时间的电流依赖特性的驱动电路内置型功率模块。高侧驱动电路(20)具备检测开关元件(30)的电流的电流检测电路(25)、以及能够使对于驱动开关元件(30)的输入信号延迟的延迟时间可变的可变延迟电路(22)。如果电流检测电路(25)检测出开关元件(30)的电流超过了预定的电流值这一情况，则可变延迟电路(22)将延迟时间调整得短。由此，由于被进行接通控制的开关元件(30)关断时的关断时间缩短，所以开关元件(30)的关断时在低电流域中增加的延迟时间被缩短了的延迟时间抵消。在低侧驱动电路(40)中也通过电流检测电路(44)和可变延迟电路(41)来实现相同的功能。
驱动电路内置功率模块

[发明专利]半导体装置及系统-CN202080018066.7在审
发明人：佐藤茂树;松井俊之;荒木龙;宫田大嗣;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
半导体装置系统

[发明专利]半导体装置-CN202080016044.7在审
发明人：佐藤茂树;荒木龙;宫田大嗣;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
半导体装置

[发明专利]开关元件驱动装置-CN201810160732.5有效
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供兼顾了开关元件的低损耗化和对于在开关时VB‑VS间电压瞬间地下降的现象的对策的开关元件驱动装置。栅极驱动能力确定部(15)的驱动能力改变电路(26)在从上臂驱动电路(16)接收到将MOS晶体管(11)接通的栅极驱动信号时，以高的驱动能力驱动MOS晶体管(11)，降低开关损耗。由此流通的MOS晶体管的输出电流由输出电流检测电路(21)检测，并由比较器(24)与样本保持电路(23)所保持的前次开关时的MOS晶体管的输出电流进行比较。在本次所检测的输出电流达到了前次的输出电流时，驱动能力改变电路(26)以低的驱动能力驱动MOS晶体管，抑制下臂的续流二极管(14)的反向恢复电流的变化。
开关元件驱动装置

[发明专利]评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置-CN201880003019.8有效
发明人：胜又洋树;玉手道雄;藤田美和子;浅野达见子;铃木佑平;皆见崇之;砂坂祐太;山田忠则;荒木龙;邱宝璁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
评价方法综合装置

[发明专利]集成电路、半导体装置-CN202010456984.X在审
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H03K5/133 文献下载
摘要：本发明提供在抑制噪声的同时对开关元件进行开关的集成电路。该集成电路是对开关电路的第2开关元件进行开关的集成电路，该开关电路包含串联连接的电源侧的第1开关元件及接地侧的所述第2开关元件、与所述第1开关元件并联连接的第1回流二极管、及与所述第2开关元件并联连接的第2回流二极管，其中，该集成电路包含：检测电路，该检测电路检测出流过所述开关电路的负载的负载电流；及驱动电路，该驱动电路在驱动信号为一个逻辑电平时，根据所述负载电流的大小来控制对所述第2开关元件的栅极电容进行充电的电流的大小，在所述驱动信号为另一个逻辑电平时，使所述第2开关元件截止。
集成电路半导体装置

[发明专利]评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置-CN201911248860.6在审
发明人：藤田美和子;玉手道雄;浅野达见子;铃木佑平;荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。
评价方法推定装置综合

[发明专利]半导体装置-CN201680008296.9有效
发明人： 荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H02M3/337 文献下载
摘要：提供一种能够降低开关损耗的半导体装置。半导体装置具有串联连接的第一半导体元件(Su)～(Sw)和第二半导体元件(Sx)～(Sz)，第一半导体元件是由具有比第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，第二半导体元件是由具有比第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的。
半导体装置

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