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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410058669.2有效
发明人：山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。
显示装置及其制造方法

[发明专利]固体电池-CN202180031050.4在审
发明人：中岛护 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：本发明的固体电池具备一个以上的包括隔着固体电解质层层叠的正极层和负极层的电池构成单元，正极层和负极层在俯视下具有中央部和包围中央部的外缘部，正极层和负极层中的至少一方为1.05≤(外缘部的膜厚的最大值)/(中央部的平均膜厚)1.34，(固体电解质层的平均膜厚)/(中央部的平均膜厚)0.35。
固体电池

[发明专利]一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法-CN200610028762.8无效
发明人：李晗玲;刘艳平 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： B24B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其根据实际测得的产品平均研磨时间、平均前膜厚度、平均先导光片研磨速率、平均研磨速率和平均厚度控制研磨时间，本发明结合实际生产中获得的影响研磨时间的因素，较为准确地确定所需研磨时间，最终可实现对CMP研磨后膜厚的有效控制。
一种有效控制 cmp 研磨残膜厚方法

[发明专利]抛光工艺的控制方法-CN200510137553.2有效
发明人：邓清文;林进坤;梁文中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：量测薄膜在晶片上的数个区域的膜厚，以得到平均膜厚的分布。之后，依据这些平均膜厚的分布设定一个抛光速率配方。接着，依据此抛光速率配方对该晶片进行抛光工艺。此方法可以改善抛光后膜厚的均匀度，进而提升抛光工艺的效率与晶片的良率。
抛光工艺控制方法

[发明专利]一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法-CN202210149529.4在审
发明人：邹家宝;何萌;卢维尔;谭明生;夏洋;刘涛;冷兴龙;屈芙蓉;赵丽莉;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，S100：在反应腔室中放置样品和陪片；S200：进行原子层沉积，获得多层膜样品；S300：获得膜层生长数据；S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率；S500、S600：当平均生长速率不满足第一生长速率变化趋势时，进行误差数据排除，重复S400‑S600；S700：将平均生长速率作为初始生长速率；S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100‑S700；S900：获得多层膜器件。解决了现有技术对原子层沉积多层膜膜厚控制方法的研究相对较少，导致控制精度不高，存在无法获得理想的多层膜膜厚控制精度的技术问题。
一种用于提高原子沉积多层膜膜厚控制精度方法

[发明专利]一种镀膜方法及镀膜设备-CN202110254976.1在审
发明人：盛兆亚;宋文庆;王凯;张建飞 -专利权人：立讯电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜方法及镀膜设备，其属于镀膜技术领域，镀膜方法包括初始化步骤，对镀膜设备的治具架上多个位置进行编码标定分配相应编号；进行多次循环步骤；该循环步骤包括：依次检测每个编号位置处的产品的编号位置膜厚，得到多个编号位置膜厚，并得到多个编号位置膜厚的平均膜厚；根据平均膜厚及每个编号位置对应的编号位置膜厚，得到每个编号位置的膜厚差值；根据每个编号位置的膜厚差值及预设算法，得到每个编号位置对应的旋转速度；本发明能使每个编号位置的产品的膜层厚度达到一致，以提高镀膜厚度的均匀性。
一种镀膜方法设备

[发明专利]透明导电膜及其制造方法-CN201010003998.2有效
发明人：鬼头朗子;神崎寿夫;大下格 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电膜及其制造方法。通过使导电性无机粒子的体积含有率和平均粒径以及透明导电膜的膜厚满足特定的必要条件，得到防静电功能强并且透明性优良的透明导电膜。本发明的透明导电膜为含有导电性无机粒子和树脂成分的透明导电膜，其特征在于，上述导电性无机粒子的体积含有率A为25％～60％，上述导电性无机粒子的平均粒径B为30nm～200nm，上述透明导电膜的膜厚C为0.3μm～3.0μm，上述导电性无机粒子的体积含有率A、上述导电性无机粒子的平均粒径B以及上述透明导电膜的膜厚C的关系满足下述数学式(1)的必要条件：数学式(1)
透明导电及其制造方法

[发明专利]钟表用部件以及钟表-CN202010868938.0在审
发明人：古里大喜 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G04B19/04 文献下载
摘要：钟表用部件具备基材以及具有颜色吸收膜及颜色调整膜的装饰膜，基材的配置有装饰膜的表面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm以上且0.1μm以下，装饰膜的膜厚为0.25μm以上且1.0μm以下，所述装饰膜的膜厚与表面的算术平均粗糙度
钟表部件以及

[发明专利]监测膜厚均匀性的方法-CN200910057470.0无效
发明人：孙玲玲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测膜厚均匀性的方法，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。本发明可以监测薄膜在硅片中心位置和硅片边缘位置的厚薄差异、以及具体的膜厚差值，工程技术人员可以据此判定所形成的薄膜是否合格，并采取相应的处理方式。
监测均匀方法

[发明专利]血液处理用多孔中空纤维膜-CN200880119280.0有效
发明人：日高秀敏;一贵浩 -专利权人：旭化成可乐丽医疗株式会社
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： A61M1/18 文献下载
摘要：提供一种血液处理用的多孔中空纤维膜，其即便为经薄膜化的聚砜系中空纤维膜，在生产工序和输送中或操作时也不易产生机械性损伤，而且分级性优异。所述血液处理用多孔中空纤维膜包含聚砜系聚合物和聚乙烯基吡咯烷酮，其具有孔径从膜厚方向的内侧向外侧扩大的梯度多孔结构，该血液处理用多孔中空纤维膜的特征在于，该多孔结构的膜厚为25μm以上且低于40μm，而且，总平均粗度为100～200μm的原纤维以膜厚方向的外侧平均粗度(To)与内侧平均粗度(Ti)的比(To/Ti)在2以下的方式配置而成。
血液处理多孔中空纤维

[发明专利]电容器及其制造方法-CN201980021921.7有效
发明人：中川博;芦峰智行;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
电容器及其制造方法

[发明专利]覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法-CN202010169581.7在审
发明人：永田纯一;丹波裕规 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种覆铜积层板，其维持树脂膜与导体层的密接性并且抑制皱褶的产生。本发明是一种覆铜积层板(1)，其具备：由热塑性树脂构成的基膜(10)、通过干镀法在基膜(10)的表面成膜的基底金属层(21)、以及在基底金属层(21)的表面成膜的铜层(22)。基底金属层(21)的平均膜厚为0.3～1.9nm。由于基底金属层(21)的平均膜厚为0.3nm以上，因此能够维持基膜(10)与导体层(20)的密接性。由于基底金属层(21)的平均膜厚为1.9nm以下，因此能够抑制基底金属层(21)在成膜中膜的温度上升，并能够抑制皱褶的产生。
覆铜积层板制造方法

[发明专利]蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器-CN201980004087.0有效
发明人：江藤宗一郎;峯邑浩行;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在蚀刻处理中的晶片的膜厚/深度测定中，由于光源的光量波动、光通过的区域的空气的波动等而在检测光量中产生变动，膜厚/深度的测定精度下降，因此，根据在蚀刻处理中的各时刻测定的分光光谱而算出任意的波长的总光量或平均光量，算出使用比当前时刻靠前测定出的总光量或平均光量而推断的当前时刻的推断总光量或推断平均光量，算出当前时刻的总光量与推断总光量之比或者平均光量与推断平均光量之比，即变化率，使用算出的变化率来修正当前时刻的各波长的光量，使用修正后的各波长的光量来实施膜厚/深度测定。
蚀刻处理装置方法检测器

[发明专利]热冲压成型体-CN201680085368.X在审
发明人：仙石晃大;竹林浩史;秋冈幸司 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C23C2/28 文献下载
摘要：本发明的一个方案的热冲压成型体具备母材和镀层，所述镀层从所述母材侧朝向表面侧依次包含界面层、中间层和氧化物层；所述界面层的组织包含合计为99面积％以上的αFe、Fe₃Al及FeAl，平均Al含量为所述8.0质量％～32.5质量％的范围内，平均Zn含量限制为超过所述母材的Zn含量且为5质量％以下，化学成分的剩余部分包含Fe及杂质，并且平均膜厚为1.0μm以上；所述中间层的组织包含合计为99面积％以上的Fe(Al、Zn)₂及Fe₂(Al、Zn)₅，平均Al含量为30～50质量％，平均Zn含量为10～40质量％，化学成分的剩余部分包含Fe及杂质，并且平均膜厚为5.0μm以上；所述氧化物层的平均膜厚为0.1～3.0μm。
平均膜厚母材热冲压成型氧化物层界面层中间层镀层含量限制

[发明专利]一种中间涂层最小膜厚的确定方法-CN202310522556.6在审
发明人：陈林;熊芬;王冉冉;兰维;吴俊雄 -专利权人：东风汽车集团股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种中间涂层最小膜厚的确定方法，涉及涂层厚度确定技术领域，其包括：制作具有不同中间涂层膜厚的油漆漆膜样品，分别测量每个油漆漆膜样品于预设波段的紫外可见光的透过率；获取设定波长的透过率、以及各波长区间的平均透过率；分别获取每个油漆漆膜样品下，设定波长的透过率与各平均透过率的平均值，构建中间涂层膜厚模型，并获取模型参数；根据设定波长的透过率最大限制、各波长区间的透过率最大限制、以及模型参数，分别获取设定波长、以及各波长区间对应的最小膜厚，并以各最小膜厚中的最大值与安全系数的乘积，作为中间涂层的最小膜厚。本申请，不仅最小膜厚的确定过程简单，极大地减少了确定时间，节约确定成本。
一种中间涂层最小确定方法

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