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[实用新型]具有低导通电阻的栅压自举开关-CN201220495197.7有效
发明人：谢循;方飞 -专利权人：泰凌微电子（上海）有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路领域，公开了一种具有低导通电阻的栅压自举开关。本实用新型中，起开关作用的M1的衬底并不直接与其源端短接，而是通过一个控制开关与其源端相连。因此，当栅压自举电路处于预充电模式时，M1的衬底相当于接地，保证了M1的彻底关断；而当栅压自举电路处于自举模式时，M1的衬底将通过该控制开关与其漏端连通，消除衬偏效应，使得无论输入信号为多少，开关M1的导通电阻都保持不变
具有通电开关

[实用新型]稳定导通电阻开关电路设备及系统-CN201120497441.9有效
发明人： N·加涅;J·L·斯图兹;S·马卡卢索 -专利权人：快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本实用新型中涉及了一种稳定导通电阻开关电路设备及系统，其中的补偿电路配置成当开关处于导通状态时在环境温度范围内调节该开关的控制电压，以维持该开关的第一和第二节点之间的规定的电阻。所述补偿电路包括提供检测电流的温度不敏感电阻器、利用检测电流提供镜像电流的电流镜以及利用镜像电流提供控制电压的热敏电阻器。
稳定通电开关电路设备系统

[实用新型]一种接地导通电阻测试仪-CN201822022405.1有效
发明人：萧瑞豪 -专利权人：深圳市美瑞克电子科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G01R27/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种接地导通电阻测试仪，包括控制器，与控制器连接的电阻测量模块、LCD显示屏、声光警报器、控制按钮和电流变换模块，分别与调压器、电阻测量模块连接的电流变换模块，所述电阻测量模块与LCD显示屏连接，所述电阻测量模块与电流变换模块连接；所述电流变换模块的输入端设有用于接入220V交流电的调压器供电控制继电器，所述控制器与调压器供电控制继电器之间设置有驱动电路，所述控制器上还连接有时间调节按钮。
电流变换模块电阻测量模块控制器调压器继电器本实用新型电阻测试仪供电控制接地导通交流电时间调节按钮控制器连接声光警报器测试效率控制按钮驱动电路输入端智能化测试

[实用新型]接地导通电阻测试仪校准系统-CN201822037640.6有效
发明人：朱小明;陆新东;郭美玉;陈兵;宁亮;余昊阳;陈昊;李东波;王尧;王蕾;殷智祺;李锦华 -专利权人：河南省计量科学研究院
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种接地导通电阻测试仪校准系统，包括外壳、四个接线端子及设置在外壳内的标准电阻系统、电流采集系统、电压采集系统、C1继电器组、C2继电器组、P1继电器组、P2继电器组、电压采集继电器组、电流采样选择继电器组及主控制系统，本实用新型是采用多个实物标准电阻组成校准用的标准电阻系统，通过继电器控制参与校准的标准电阻数量组合及电阻值，利用实物标准电阻对接地导通电阻测试仪进行校准检测，实物电阻及继电器控制的智能化组合，灵活方便
继电器组电阻测试仪标准电阻接地导通电阻本实用新型继电器控制实物标准校准系统校准电流采集系统电压采集系统四端接线法选择继电器主控制系统电流采样电压采集电阻组成接线端子通用性强校准检测接线法智能化实物灵活

[发明专利]具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件-CN02823246.1有效
发明人：石甫渊;苏根政;约翰·E·阿马托;崔炎曼 -专利权人：通用半导体公司
申请日： 2002-11-20 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种沟槽MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底(200)；第一导电类型的外延层；其中该外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；延伸到外延区中的沟槽；沟槽内的绝缘导电区(211)；在沟槽底部和衬底之间的外延层内形成的第一导电类型的掺杂区(206)，其中该掺杂区具有比衬底低和比外延层高的多数载流子浓度；在外延层的上部内且邻近沟槽形成的第二导电类型的体区(204)；其中体区从外延层的上表面延伸的深度比沟槽小；体区内的源区(212)。
具有增加通电沟槽 mosfet 器件

[发明专利]具有低导通电阻的高电压功率MOSFET-CN03804389.0无效
发明人：理查德·A·布朗夏尔 -专利权人：通用半导体公司
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种功率MOSFET，该MOSFET包括第一导电类型的衬底(2)。在衬底(2)上淀积也是第一导电类型的外延层(1)。在外延层(1)中设置第一和第二体区(5，6)并限定其间的漂移区。体区具有第二导电类型。在第一和第二体区(5，6)分别设置第一导电类型的第一和第二源区(7，8)。在外延层的漂移区中的体区下面设置多个沟槽。从第一和第二体区朝衬底延伸的沟槽填有薄氧化层和多晶半导体材料，例如，多晶硅，该材料包括第二导电类型的掺杂剂。薄氧化层溶入外延层，掺杂剂从沟槽扩散到邻近沟槽的部分外延层中，多晶半导体材料转变为单晶材料，由此形成使得反向电压在水平方向和垂直方向都增加的p－型掺杂区。
具有通电电压功率 mosfet

[发明专利]一种横向SOI功率LDMOS-CN201610155953.4在审
发明人：罗小蓉;马达;吴俊峰;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：三栅结构增加了沟道长度，调制了体内电流分布，从而减小了导通电阻；凹槽形成的分离栅结构减小了栅漏交叠，降低了器件的栅漏电容，从而减小了开关损耗；凹槽形成的分离栅结构辅助耗尽漂移区，使得漂移区的掺杂浓度提高，从而减小器件的导通电阻(导通损耗)。
一种横向 soi 功率 ldmos

[实用新型]一种开关电源的供电装置-CN202023004632.5有效
发明人：刘孟伟;魏晓辉 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种开关电源的供电装置，应用于供电技术领域，该供电装置包括：缓启电阻和旁通电路，缓启电阻和旁通电路并联连接，形成并联支路，该并联支路串联于UPS与变流器内开关电源的输入端之间，且旁通电路的控制端与开关电源的输出端相连，在开关电源的输出电压小于额定电压时，旁通电路处于断开状态，在开关电源的输出电压达到额定电压时旁通电路处于导通状态，将缓启电阻旁路，供电电流不再经过缓启电阻，从而避免缓启电阻的工作温度升高，持续处于高电阻状态本装置中缓启电阻在开关电源启动完成后即不再流过电流，不会因为工作温度升高而降低阻值，即使UPS在断电后迅速恢复供电，缓启电阻依然能够起到限制电流的作用。
一种开关电源供电装置

[实用新型]一种应用于输出电压调节的可分级负载电路-CN202223609697.1有效
发明人：贺凯建;王永彬;李晓刚 -专利权人：深圳迈特电源技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种应用于输出电压调节的可分级负载电路，连接于充电器的USB充电电路和主电路之间，包括第一开关单元、第二开关单元、多个负载电阻，第一开关单元分别与USB充电电路、负载电阻和第二开关单元连接，多个负载电阻的一端均与主电路连接，第一开关单元用于在USB充电电路的输出电压大于其导通电压时使得至少一个负载电阻导通至主电路中，同时在USB充电电路的输出电压大于第二开关单元的导通电压时使得剩余的负载电阻导通至主电路中本实用新型通过设置第一开关单元、第二开关单元和多个负载电阻，使得USB充电电路的输出不同时，对主电路5V输出时电压稳定，9V、12V、15V、20V待机时假负载退出工作，减小损耗。
一种应用于输出电压调节分级负载电路

[发明专利]一种传输门电路-CN201710249643.3在审
发明人：方健;王科竣;陈智昕;刘振国;冯磊;张波;杨健 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明的电路相对于传统的模拟开关电路，本发明的技术方案中设计了衬底电位控制电路，当模拟开关电路导通时使其衬底电位可以跟随最高输入信号，减弱了衬偏效应。当模拟开关电路关闭时，又可以增强衬偏效应。本发明的有益效果是本发明可以减小模拟开关导通电阻和导通电阻平坦度；还可以使模拟开关电路可以工作在更低工作电压下；另外还可以增大模拟开关的关断电阻，减小信号之间的串扰。
一种传输门电路

[实用新型]一种接地线漏电流测控装置-CN201921514730.8有效
发明人：胡荣强;王颂锋;周跃;周朋振;邓海 -专利权人：武汉里得电力科技股份有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种接地线漏电流测控装置，包括串联接入接地线中的采样电阻电路；采样电阻电路包括：第一二极管、第二二极管和电阻；第一二极管和第二二极管反向并联后与电阻并联。正常情况下，接地线路中的电流为微安级，二极管均不导通，且二极管等效电阻远远大于采样电阻，认为泄露电流正比于采样电阻，通过测量电阻的两端电压确定该接地线路的电流；当出现电网异常或极端接地误操作时，接地线路中的电流达到百安级别，电阻两端的电压高于二极管导通电压，二极管导通把电压钳位在二极管导通电压，并且持续发热，此时通过双向二极管泄放电网保护电流，解决欧姆级电阻发热问题，对于接地线安装泄露电流并进行监控使用具有重要应用价值。
一种接地线漏电测控装置

[发明专利]一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件-CN202110861761.6在审
发明人：郑崇芝;信亚杰;段力冬;王方洲;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与p型buffer层之间形成等效的寄生电容，使器件栅源间寄生电容增大，从而提升器件的工作电流，也即降低器件的导通电阻。另外由于p型缓冲层的存在，使AlGaN/GaN界面三角势阱变窄，从而提升栅极控制2DEG沟道的能力，也即提升器件的跨导。研究结果表明，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，在同等量级击穿电压的条件下，导通电阻能够降低46.1％，跨导峰值提升26.9％。
一种通电阻高跨导 gan hemt 器件

[发明专利]线缆导通测试方法、装置和测试设备-CN201810515429.2在审
发明人：张洪月;黄召明;常杰;耿天宇;栾明;房少君;闫君 -专利权人：中车青岛四方机车车辆股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种线缆导通测试方法、装置和测试设备。根据待测线缆的起点端和终点端各自对应的物理地址，进行测试设备的输入通道与所述起点端之间的连通，以及所述测试设备的输出通道与所述终点端之间的连通；根据所述待测线缆对应的测试配置，启动所述起点端到所述终点端的点对点导通测试；根据点对点导通测试的结果，确定所述待测线缆的导通电阻，若所述待测线缆的导通电阻处于预设的电阻判据范围之外，则识别所述待测线缆为故障线缆。
线缆测试设备导通测试导通电阻点对点连通测试准确率测试配置故障排查快速识别输出通道输入通道物理地址现场作业电阻判据预设测试节约

[发明专利]一种钻孔机电设备用根据建筑阻力自断电保护的辅助设备-CN202110383773.2在审
发明人：潘紫婷 -专利权人：厦门胜浩贸易有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01H71/10 文献下载
摘要：本发明涉及机电设备技术领域，且公开了一种钻孔机电设备用根据建筑阻力自断电保护的辅助设备，包括安装座，所述安装座顶部固定连接有防护板，所述防护板顶部固定连接有导动杆，所述导动杆顶部固定连接有支撑杆，所述支撑杆顶部活动连接有复位弹簧，所述导动杆左右两侧均活动连接有电性块，通过安装座受到的阻力增大，从而压缩复位弹簧带动分流触点在限位腔内沿着导向块滑动，直至分流触点与通电触点接触，当分流触点与通电触点接触后电路接通，此时电流经由电性块流入通电线路内，再经由通电线路流入分流电阻，使得分流电阻通电，如此便达到了在钻孔过程中遇到坚硬物体阻力过大时自动降低钻头转速并收缩防止其断裂的效果。
一种钻孔机电备用根据建筑阻力断电保护辅助设备

[发明专利]有助于多芯电缆连通性快速检测的装置和方法及快速检测方法-CN202011455955.8在审
发明人：刘培培;雷云龙;严海;刘景云;郑直飞 -专利权人：西安精密机械研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01R31/58 文献下载
摘要：装置包括用于筛选出待测多芯电缆中具有最大导通电阻芯线的电源电路和发光单元；电源电路中具有可调电阻RX；发光单元包括多个发光二极管；待测多芯电缆中的每根芯线与发光单元的发光二极管一一对应串联后，整体连接在电源电路的两端；电源电路为发光二极管提供工作电压，并且通过调节所述可调电阻RX，实现发光二极管的亮灭转换。通过上述装置筛选出具有最大导通电阻的芯线后，再对该芯线的导通电阻进行测量，与工作要求值比较，从而判断该多芯电缆的连通性是否合格。
有助于电缆连通性快速检测装置方法