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[发明专利]自对准通孔-CN201680091230.0有效
发明人： J.M.布莱克维尔;K.L.林;R.L.布里斯托尔;R.霍拉尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在示例中公开了一种集成电路，包括：具有电介质、第一导电互连件和第二导电互连件的第一层；具有第三导电互连件的第二层；在第一层和第二层之间用来将第二导电互连件电耦合到第三导电互连件的导电通孔；电介质插塞，其被垂直设置在第一层和第二层之间，并被设置成防止通孔与第一导电互连件电短路；以及覆盖电介质插塞的电介质盖。
对准

[发明专利]用于由未对准孔形成对准孔的设备、系统和方法-CN202110387994.7在审
发明人： J·P·沙伊贝尔;J·L·谢勒;M·A·沃德 -专利权人：波音公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B23B51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于由未对准孔形成对准孔的设备、系统和方法。该设备包括具有恒定直径的第一部分和锥形的第二部分的扩孔钻。恒定直径的导向构件连接到扩孔钻。锥形部可以被构造成使扩孔钻居中并且减小该设备与由未对准孔产生的虚拟孔的中心线之间的偏移。导向构件的恒定直径对应于虚拟孔，并且扩孔钻的第一部分的恒定直径对应于清理孔，该清理孔被构造成接收过大尺寸紧固件并且完全包围未对准孔。如果导向构件不能穿过未对准孔，则需要具有较小直径的导向构件和较大直径的扩孔钻的设备来产生完全包围未对准孔的清理孔。
用于对准形成设备系统方法

[发明专利]用于对准结构构件中的孔的对准工具-CN201880006258.9有效
发明人： J·H·汉森;J·A·索伦森;J·托柏格 -专利权人：维斯塔斯风力系统有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B23P19/10 文献下载
摘要：公开了一种对准工具(1)，该对准工具(1)用于将延伸穿过第一结构构件(14)的孔(13)和延伸穿过第二结构构件(15)的孔(19)对准。对准工具(1)包括具有圆柱形或类似圆柱形的构造的两个轴部分(2，3)。第二轴部分(3)与第一轴部分(2)相邻布置。第二表面的一部分形成第一表面的一部分的延续部分。
用于对准结构构件中的工具

[发明专利]一种轴系法兰装配孔对准结构及对准方法-CN201610476677.1在审
发明人：曹中华;鲜于应龙;鲁广科;陈炽平 -专利权人：广州文冲船厂有限责任公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： B23P19/12 文献下载
摘要：一种轴系法兰装配孔对准结构及其对准方法，通过铜质锥套与锥棒的配合，实现两个连接的法兰上的装配孔对准，由于锥套采用铜材，因此，塑性好，可通过锥棒与锥套的过盈配合安装，使锥套径向外扩，从而使两法兰可相对转动，迫使法兰装配孔对准，由于锥套外径小于法兰装配孔孔径，因此，可轻松将锥套插入两法兰对应的装配孔中，避免原有安装结构中，因两法兰的装配孔没有对准，而使铜质定位销的插入端直接撞击在法兰端面上，以损坏定位销及法兰；由于通过锥套与锥棒的涨紧方式使相邻连接的法兰装配孔对准，因此，装配省时省力，工作效率高，无需人工通过反复调节而实现精准对准。
一种法兰装配对准结构方法

[发明专利]形成自对准通孔的方法-CN201911060797.3在审
发明人：苏克图·阿伦·帕里克;米哈埃拉·巴尔西努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了电子器件和用于形成具有自对准通孔的电子器件的方法。利用粘着增强层来促进在导电材料与至少一个通孔开口的侧壁之间的粘着。自对准通孔降低通孔电阻并且减小短路至错误金属线的可能性。
形成对准方法

[发明专利]自对准接触孔的制备方法-CN202310333687.X在审
发明人：汪彬彬;蒋章;刘须电 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准接触孔的制备方法，提供衬底，在衬底上形成硬掩膜层，之后在硬掩膜层上进行涂胶、显影定义沟槽图形；之后刻蚀裸露的硬掩膜层至衬底裸露并去除光刻胶；之后进行各向同性硅刻蚀至目标刻蚀深度；之后继续刻蚀裸露的衬底形成沟槽刻蚀栅极多晶硅层至沟槽内目标深度；在衬底上形成覆盖沟槽的层间介质层，之后利用层间介质层回流平坦化处理；刻蚀层间介质层至衬底上，使得位于栅极多晶硅层上方的部分层间介质层保留；以保留的层间介质层为掩膜刻蚀衬底形成接触孔。本发明的方法改善了元胞缩小带来的应力问题，消除了接触孔到沟槽位置偏移对良率的影响。
对准接触制备方法

[发明专利]自对准接触孔的制备方法-CN202310341479.4在审
发明人：汪彬彬;蒋章;邵向荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准接触孔的制备方法，提供衬底，在衬底上生长硬掩膜层，之后在硬掩膜层上进行涂胶、显影定义沟槽图形；之后刻蚀裸露的硬掩膜层至衬底裸露，刻蚀裸露的衬底形成沟槽，之后去除光刻胶层和硬掩膜层，沟槽的剖面的形状为之后进行栅极多晶硅刻蚀，刻蚀到沟槽中一定深度处；利用热氧化的方法增厚沟槽顶端的栅极氧化层，使得沟槽顶端侧壁的栅极氧化层自下而上厚度依次增加；形成覆盖栅极氧化层的层间介质层；刻蚀层间介质层至硅衬底表面；刻蚀衬底形成接触孔。本发明的方法解决了元胞缩小带来的应力问题，固定了接触孔到沟槽的距离，提升小元胞产品的良率。
对准接触制备方法

[发明专利]自对准接触孔刻蚀的方法-CN201010602421.3有效
发明人：陈广龙;张可钢;陈昊瑜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准接触孔刻蚀的方法，在传统方法的基础上增加了氧化硅侧墙，利用双层侧墙即氮化硅侧墙和氧化硅侧墙来增强自对准接触孔刻蚀工艺的能力，使其能达到孔到多晶硅最小距离缩小到0.02μm。
对准接触刻蚀方法

[发明专利]自对准接触孔的制备方法-CN201610596374.3有效
发明人：陈宏;许昕睿 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准接触孔的制备方法，在自对准接触孔工艺的刻蚀、干法去胶以湿法清洗等各个阶段过程中均实施了对聚合物分布情况的监测和控制，并将收集的前一步骤后的聚合物分布情况反馈到后一步骤中的工艺配方中，从而使得后一步骤中具有较高的去除率/刻蚀率、良好的去除均匀性、可控的开口和接触孔侧壁形貌和特征尺寸以及较少的下层膜层的损伤等，大大改善了所述后一步骤后的工艺效果，进而可以保证自对准接触孔刻蚀的均一性，避免晶圆边缘区域的自对准接触孔中的聚合物残留过多
对准接触制备方法

[发明专利]自对准接触孔的制造方法-CN200610119142.5有效
发明人：吴关平;陈耀祖;张颂周;高燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种自对准接触孔的制造方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底上至少有两个栅极；沿所述栅极表面形成刻蚀阻挡层，在所述刻蚀阻挡层上形成介质层，所述介质层的顶部高于所述栅极顶部；在所述介质层上形成光刻胶的接触孔图案本方法能够消除或减少自对准接触孔的制造方法中接触孔底部没有打开及栅极肩部被削去的缺陷。
对准接触制造方法

[发明专利]自对准接触孔的工艺方法-CN201710906184.1有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准接触孔的工艺方法，包含：步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；再对栅极上的氮氧化硅进行回刻蚀对栅极进行快速热退火或炉管，从而形成栅极二氧化硅保护层；步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极侧墙上和栅极顶部的氮氧化硅；进行源漏区注入及形成钴硅合金；步骤四，形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨，进行接触孔刻蚀。本发明有更高的栅极侧墙高度及更厚的栅极侧墙，更好的保护了栅极，改善了接触孔与栅极之间的击穿电压。
对准接触工艺方法

[实用新型]转子冲片孔位对准装置-CN202020861178.6有效
发明人：金志鹏;张振国;张许锋;崔茂达 -专利权人：洛阳航特机电技术有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种转子冲片孔位对准装置，包括固定台面，固定台面的下端设有支柱，所述固定台面的上端面中间位置固定有支撑底盘，支撑底盘的上方可拆卸连接有放置台，所述支撑底盘的外侧面前后两端对称设有下固定耳座，放置台的外侧面前后两端对应设有上固定耳座，下固定耳座与上固定耳座之间通过螺栓固定连接，放置台的上端面中间位置设有用于穿过冲片中心孔的套杆，固定台面的上端面设有两个通孔，两个通孔关于支撑底盘的中心轴呈中心对称分布，通孔内穿过有可升降调节的定位杆，可以在冲片叠落时使得孔位自动对准，节省大量的时间，大大提高了工作效率。
转子冲片孔位对准装置

[发明专利]形成自对准通孔的方法-CN201780059692.9在审
发明人：戴维·汤普森;本杰明·施密格;杰弗里·W·安西斯;阿布海杰特·巴苏·马利克;苏米特·辛格·罗伊;段子晴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：进一步的处理可产生自对准通孔。
第一材料自对准通孔掩模正交方法描述可移除生长延伸

[发明专利]层间对准提示模块和层间对准提示方法-CN201410729348.4在审
发明人：曾金;陈红军 -专利权人：北大方正集团有限公司;重庆方正高密电子有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种层间对准提示模块和一种层间对准提示方法，其中，所述层间对准提示模块包括：基准孔，所述基准孔下方设置有基准探针，用于插设在待测多层线路板的测试对准孔内；至少一个层间对准检测孔，所述至少一个层间对准检测孔中的每个层间对准检测孔下方均设置有层间对准检测针，当所述基准探针插设在所述测试对准孔内时，所述层间对准检测针将插设在所述待测多层线路板的测试孔内，且所述层间对准检测孔的上方设置有提示装置，用于提示所述测试孔是否偏移所述层间对准检测针。通过本发明的技术方案，可以使用户准确地判断多层线路板上的检测孔是否偏移，以及实际的偏移量，从而有效地提高多层线路板的对准检测的准确性和效率。
对准提示模块方法

[实用新型]一种高层次高精度对位的测试Coupon-CN202320334270.0有效
发明人：宋武举;陈志新;刘生根;位珍光 -专利权人：宜兴硅谷电子科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高层次高精度对位的测试Coupon，包括多个对准度孔组，多层PCB板中每层内层芯板上分别设置有一个对准度孔组，多层PCB板的表面对应内层芯板上的对准度孔组的位置设有钻孔，钻孔穿透多层PCB板，每个对准度孔组包括1‑4个测试Coupon模块，测试Coupon模块设置于多层PCB板中内层芯板的四角位置，测试Coupon模块包括第一对准度孔、第二对准度孔、GND测试孔及对准度孔连接孔，第一对准度孔竖直设置一列，第一对准度孔的一侧平行设置一列第二对准度孔，一列第一对准度孔的最下端设有一个GND测试孔，一列第二对准度孔的最下端对应设有一个对准度孔连接孔，本实用新型监控、判定板各层的对位精度，且能确定对位精度失效的层次
一种高层次高精度对位测试 coupon

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