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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]处理装置-CN201780001995.5在审
发明人：赤羽贤俊 -专利权人：日本电产三协株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：该处理装置例如具有载放处理对象(2)的多个载置台(8)；装设多个载置台(8)的旋转台(9)；及容纳载置台(8)等的箱体(13)，部分载置台(8)配置在对处理对象(2)实施处理的处理位置(8A)，部分载置台(8)配置在实施替换处理对象(8)的替换位置(8B)。如果配置在替换位置(8B)的载置台(8)被升起，则开口部(34c)被封闭，箱体(13)的内部变为被密闭了的空间，处理对象(2)露到箱体(13)的外侧。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201780063048.9在审
发明人：鸭田博美;山下直也 -专利权人：小森公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B41F19/02 文献下载
摘要：一种对实施了印刷的片材(3)实施处理的处理装置，其具备对片材(3)实施压花加工的压花装置(5)以及对片材(3)的表面实施最后的加工处理的最终处理装置。最终处理装置具备对片材(3)印刷号码的号码印刷装置(6)和对片材(3)涂敷清漆的上漆装置中的至少一方。提供一种能够在印刷工序的适当阶段进行压花加工，并且能够在不对进行印刷的最终工序时的供纸造成妨碍的情况下进行压花加工的处理装置。
片材处理装置压花最终处理装置印刷加工号码印刷装置上漆装置压花装置印刷号码供纸清漆涂敷

[发明专利]处理装置-CN201880033860.1在审
发明人：冢原保德;森川智史;出口友香里;古武佑香;栗原英资;渡辺久夫;栢森史浩;贝原加奈子 -专利权人：微波化学有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种可有效率地进行微波照射的处理装置。
照射第一过滤器第一端部方式配置分隔容器出射部开口部内容物处理装置反射构件反射微波分离对象微波反射微波照射固形物微波

[发明专利]处理装置-CN200880018879.5有效
发明人：野村正道;小泉建次郎;河西繁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明通过悬浮用电磁铁组件(F)的磁吸引力，使支撑被处理体(W)的旋转悬浮体(30)悬浮，通过位置用电磁铁组件(H)的磁吸引力控制旋转悬浮体(30)的水平方向位置，同时通过旋转电磁铁组件(R)的磁吸引力使旋转悬浮体悬浮用电磁铁组件(F)使磁吸引力向垂直方向下方作用，以非接触地悬吊在处理容器(2)的内壁的方式，使旋转悬浮体(30)悬浮。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201280017059.0有效
发明人： J·肯尼迪;J·于 -专利权人：赛诺龙美容有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：皮肤处理装置包括在一端部处具有处理头部和在另一端部处具有施配器头部的主体。所述处理头部包括包含用于发射电磁辐射的至少一个光源的壳体，所述电磁辐射具有用于处理一种或多种皮肤状况的所需特性。施配器头部包括用于施配所需物质的施配组件，其用于处理一种或多种皮肤状况。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201280015592.3有效
发明人：长田智明;长谷川雅己 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：处理装置具备：在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板的基板支撑部；包含具有开口部的顶盖部并将所述处理空间从外部空间分隔的第1分隔构件；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞所述开口部并与所述第1分隔构件一起从所述外部空间分隔出所述处理空间。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201180037946.X有效
发明人：三田一登 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：处理装置（100）具有：第一线材部（112）及第二线材部（122），在俯视下处理对象构件（GB）横跨第一线材部（112）及第二线材部（122）来配置，并且第一线材部（112）及第二线材部（122）从下方侧支撑处理对象构件
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201080012229.7有效
发明人：守谷修司;进藤丰彦;田村登 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201180033847.4有效
发明人：国吉太;中山昭二 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，其具备：扩散处理部（10），一边加热R-T-B类烧结磁石体（1）和包含重稀土元素RH（包含Dy和Tb中的至少一种）的金属或合金的RH扩散源（2），一边进行旋转；分离部（20），从由扩散处理部（10）接收的R-T-B类烧结磁石体（1）和RH扩散源（2）中选择性地分离RH扩散源（2）；和热处理部（30），对于扩散有重稀土元素RH的R-T-B类烧结磁石体（1），在去除RH扩散源（2）的状态下进行热处理
处理装置

[发明专利]处理装置-CN201080042447.5有效
发明人：中野要介;小矢岛良章;石川修;关根靖由;高桥雄介 -专利权人：日本焦化工业株式会社
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B01J2/10 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，进行例如给粉粒体施加较强压缩力或者剪切力这样的复合化等处理，结构简单且可以很简单地找出最佳的处理条件。该处理装置包括：立式混合槽(20)；以贯穿混合槽(20)的槽底的方式插入设置的旋转轴(30)；设置在旋转轴(30)上的多个搅拌叶片(40)；固定设置在所述混合槽(20)中的多个碰撞板(50)。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN200980145914.4无效
发明人：清水正裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种采用电磁波对被处理体(W)进行热处理的处理装置(2)，包括：具有规定长度的金属制的处理容器(4)；设置在处理容器的一端的搬出搬入口(6)，能够对搬出搬入口进行关闭和打开的关闭体(52，102)；从搬出搬入口被搬出和搬入处理容器内，对多块被处理体隔着规定的间隔进行保持，并且包括透过电磁波的材料的保持单元(42)；向处理容器内导入电磁波的电磁波供给单元(14)，向处理容器内导入所需气体的气体导入单元(22)和对处理容器内的气氛进行排气的排气单元(32)。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN200680001198.9无效
发明人：西本伸也;汤浅珠树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN200780001297.1无效
发明人：柿本明修 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体进行规定的处理，特别是进行HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等的high－k电介质膜的成膜，在暴露于处理容器内的处理气氛中的处理容器的构成部件的表面、例如在处理容器内壁面形成由SAM(Self assembled monolayer)构成的膜附着防止层。由此可以防止在构成部件的表面堆积难以通过干洗除去的无用膜，可以大幅度降低处理装置的清洗频率。
处理装置

[发明专利]处理装置-CN200780000456.6无效
发明人：野泽俊久;汤浅珠树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，
处理装置

[发明专利]处理装置-CN200580002527.7无效
发明人：纲仓学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：设置在处理容器(24)天井部的喷头安装框架(76)上设置有贯通孔，喷头主体(78)侧壁(78B)的上侧部分插入其中，由此，侧壁(78B)的一部分露出于处理容器的外部。
处理装置

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