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[发明专利]一种高分辨率中性团簇红外光谱装置-CN202111048294.1在审
发明人：江凌;王冲;蒋述康;李刚 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明属于中性团簇解析技术领域，特别涉及一种高分辨率中性团簇红外光谱装置。包括源腔、检测腔、团簇源、激光系统及飞行时间质谱，其中源腔和检测腔之间设有孔板，源腔和检测腔用于提供真空环境；团簇源设置于源腔内、且通过输样管与外部的样品源连接，团簇源用于将样品转化为中性团簇束流，孔板用于将中性团簇束流导入检测腔内；激光系统设置于检测腔的外侧，用于对检测腔内的中性团簇进行解离和电离，使中性团簇转化为团簇离子；飞行时间质谱利用不同质量团簇离子飞行时间差异对其进行检测。本发明通过采用高分辨率反射式飞行时间质谱和低真空的解离激光光路真空箱，得到高分辨率的红外光谱，可以提供更为丰富的中性团簇结构信息。
一种高分辨率中性红外光谱装置

[发明专利]利用低压源形成气体团簇离子束的装置和方法-CN202110415788.2在审
发明人：曹路;宋凤麒;刘翊;张同庆 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种形成具有多个气体源的气体团簇离子束的方法，包括：提供减压外壳；使用静态泵将低压过程源和高压稀释剂源混合以形成混合源，其中低压过程源到静态泵的输送压力大于约5托而小于约5托高压稀释气体至静态泵的输送压力大于约使用混合源产生气体团簇射流，该混合源包括在减压外壳内的多个气体团簇；在减压外壳内提供电离区域；和引导气体团簇射流通过电离区域以使气体团簇射流中的至少一部分气体团簇电离以形成气体团簇离子束。
利用低压形成气体离子束装置方法

[发明专利]一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法及离子源-CN201910047089.X有效
发明人：曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;谢尔盖·别雷赫;亚历山大·托斯托古佐夫;付德君 -专利权人：武汉江海行纳米科技有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法，首先利用气体团簇离子源产生气体重团簇；接着气体重团簇轰击纳米靶材，溅射出靶物质，包括单体和小团簇；最后溅射出的单体、小团簇与电子碰撞被电离成离子，本发明同时提供了一种基于所述方法的气体团簇溅射固体离子源，包括由依次连通的气体团簇离子源管段、溅射室和靶材原子溅射管段组成的真空腔室，所述靶材原子溅射管段依次设有第一离化器、第一加速器、单透镜和电磁铁。本发明提供的一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法及离子源，成本低、安全可靠、无污染，能在不使用铯和钽丝的情况下获得离子束。
一种利用气体溅射引出离子束方法离子源

[发明专利]一种粒子成像装置-CN201811016534.8在审
发明人：郭强;索奕双;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本发明涉及粒子成像领域，一种粒子成像装置，包括团簇源、真空腔、分流器、离子透镜I、门阀I、离子透镜II、门阀II、质量过滤器、微通道盘I、屏蔽罩、基准电压管、速度成像电极组、微通道盘II、探测器、激光器I和真空泵组，团簇源包括储液池、流量控制器、进样管、气管、储气罐、保护腔、冷凝腔、加热器、样品腔、喷口和激光器II，用于研究掺杂的大分子团簇的光反应，结合了气体聚集和激光蒸发方法来产生掺杂的大分子团簇，团簇中掺杂的计量精确可控，且团簇生成后能够快速被冷却，采用电极上电压切换的方法对团簇进行有效聚集，光反应效率高。
团簇粒子成像掺杂的大分子团簇离子透镜激光器光反应微通道门阀储气罐加热器流量控制器质量过滤器电压切换基准电压激光蒸发气体聚集速度成像真空泵组保护腔储液池电极组分流器进样管冷凝腔屏蔽罩样品腔真空腔电极探测器可控喷口气管冷却计量研究

[实用新型]一种粒子成像装置-CN201821426509.2有效
发明人：张向平;方晓华;赵永建 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及粒子成像领域，一种粒子成像装置，包括团簇源、真空腔、分流器、离子透镜I、门阀I、离子透镜II、门阀II、质量过滤器、微通道盘I、屏蔽罩、基准电压管、速度成像电极组、微通道盘II、探测器、激光器I和真空泵组，团簇源包括储液池、流量控制器、进样管、气管、储气罐、保护腔、冷凝腔、加热器、样品腔、喷口和激光器II，用于研究掺杂的大分子团簇的光反应，结合了气体聚集和激光蒸发方法来产生掺杂的大分子团簇，团簇中掺杂的计量精确可控，且团簇生成后能够快速被冷却，采用电极上电压切换的方法对团簇进行有效聚集，光反应效率高。
团簇粒子成像掺杂的大分子团簇离子透镜激光器光反应微通道门阀储气罐加热器本实用新型流量控制器质量过滤器电压切换基准电压激光蒸发气体聚集速度成像真空泵组保护腔储液池电极组分流器进样管冷凝腔屏蔽罩样品腔真空腔电极探测器可控喷口气管冷却计量研究

[发明专利]一种粒子成像方法-CN201811016533.3在审
发明人：索奕双;郭强;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本发明涉及粒子成像领域，一种粒子成像方法，粒子成像装置主要包括团簇源、真空腔、分流器、离子透镜I、门阀I、离子透镜II、门阀II、质量过滤器、微通道盘I、屏蔽罩、基准电压管、速度成像电极组、微通道盘II、探测器、激光器I和真空泵组，团簇源包括储液池、流量控制器、进样管、气管、储气罐、保护腔、冷凝腔、加热器、样品腔、喷口和激光器II，采用气体聚集和激光蒸发结合的方法来生成掺杂的大分子团簇，团簇的尺寸较为均匀，且团簇中掺杂的计量精确可控，并能够对生成的团簇进行快速冷却，通过采用切换电极上电压的方法对团簇进行有效聚集，增加光反应强度，提高光反应效率。
团簇粒子成像离子透镜激光器掺杂的光反应微通道门阀储气罐加热器大分子团簇流量控制器质量过滤器基准电压激光蒸发快速冷却气体聚集速度成像真空泵组保护腔储液池电极组分流器进样管冷凝腔屏蔽罩样品腔真空腔电极探测器可控喷口气管计量

[发明专利]一种双反射式飞行时间质谱光电子速度成像仪-CN201711229002.8在审
发明人：唐紫超;王永天;施再发;张将乐;刘方刚;王可 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：一种双反射式飞行时间质谱光电子速度成像仪，设有激光溅射离子源、冷却离子阱、飞行时间质谱和负离子光电子速度成像系统；激光溅射离子源用于生成团簇离子，产生的团簇离子进入冷却离子阱囚禁冷却后被加速场垂直加速进入飞行时间质谱，负离子光电子速度成像系统对出射光电子进行探测，得中性团簇电子结构的光电子能谱。利用激光溅射离子源生成团簇离子，产生的团簇离子进入线性离子阱囚禁冷却后被加速场垂直加速进入飞行时间质谱，通过质谱探测获得产生团簇离子的强度分布。分析质谱后，选择特定团簇负离子，与脱附激光相互作用，产生中性分子和光电子。利用负离子光电子速度成像系统对出射光电子进行探测，得中性团簇电子结构的光电子能谱。
一种反射飞行时间光电子速度成像

[发明专利]单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法-CN201811569589.1有效
发明人：韩民;刘飞;邵伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H05H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法，所述方法选择单一尺寸的团簇沉积于基座表面，基座保持低温并喷射氙气，形成团簇嵌埋于固态氙气膜中的团簇靶；脉冲激光照射团簇靶，释放单一尺寸强流团簇脉冲束。本发明所述方法能够在保证束流中团簇尺寸高度均一的情况下，实现极强的瞬时束流强度；本发明所述方法产生的团簇束的品质不受团簇先驱物材料性质的影响，是一种简单、普适、高稳定的脉冲团簇束，能够应用于所有常温下为固体的物质；本发明所述脉冲团簇束的形成中不含团簇成核生长的过程，因此可以在团簇源尺寸、脉冲频率和脉冲宽度的选择上具有更大的自由度，满足更多的应用需求。
单一尺寸强流团簇脉冲产生方法

[发明专利]三维结构微米级钴酸镍团簇、其制备方法及用途-CN201710650742.2在审
发明人：罗绍华;王志远;孙梅竹;闫绳学;王庆;张亚辉;刘延国;郝爱民 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维结构微米级钴酸镍团簇、其制备方法及用途，属于超级电容器技术领域。本发明的钴酸镍团簇为褶皱延展状且表面具有纳米针团簇。所述方法(1)将镍源、钴源和尿素按照12(3‑6)的摩尔比加水分散，得到混合溶液，然后于120℃水热反应0.5‑1.5h，得到前驱体；(2)将前驱体于300‑400℃煅烧，得到三维结构微米级钴酸镍团簇。本发明提供了一种新形貌的钴酸镍团簇，促进了钴酸镍在新形貌制备及应用的发展。
三维结构微米级钴酸镍团簇制备方法用途

[发明专利]一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源-CN202310026786.3在审
发明人：马雷;赵金波;苗琳;刘朝君;陈泽洋 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明属于团簇物理学技术领域，公开了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，包括设置有团簇生长腔室的中心源体，团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口；低温制冷机和中心源体外部分别安装冷头真空热屏蔽罩和源真空热屏蔽罩，用于减少温度向外扩散及热辐射影响；中心源体通过导热带和低温制冷机连接座与低温制冷机连接，导热带对中心源体传递低温且调整位置；载气通路通过预冷气管与脉冲阀连接，预冷气管盘绕并焊接在冷头真空热屏蔽罩外部，实现载气进入中心源体之前预先冷却。本发明能够将低温下中心源体与周围环境的热传导和热传递均降到很低的水平，进而达到8.7±1K的超低温，实现超低温金属团簇制备。
一种用于制备超低温激光溅射脉冲团簇源

[发明专利]通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法-CN200680043695.5有效
发明人：韦德·A·克鲁尔;托马斯·N·霍尔斯基 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的PMOS晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼团簇植入来说明对USJ形成的扩散控制。更明确地说，首先，以与后续硼植入大致相同的剂量将例如C－IeHx+的团簇碳离子植入到源极/漏极区中；然后优选使用例如B18Hx+或BioHx+的硼氢化物团簇，进行浅硼、硼团簇、磷或磷团簇的离子植入以形成源极
通过植入碳团簇制造半导体装置系统方法

[发明专利]一种改进的载气团簇源发生方法与装置-CN202110415778.9在审
发明人：曹路;宋凤麒;刘翊;张同庆 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种载气团簇源装置，用于向目标提供团簇，包括：用于产生簇束的束源装置，所述束源装置包括用于发射原子束的蒸发源装置和气体混合室，其中载气与原子束混合以形成具有与原子团混合的原子簇的簇束；载气流量调节装置，用于在形成簇之后调节簇束，使得基本上所有簇都处于液态；和发射装置，其在撞击目标之前以几乎所有的集群处于液态的方式将调节后的集群束的集群发射到目标。
一种改进气团发生方法装置

[发明专利]WO₃团簇束流沉积系统及利用其制备WO₃薄膜的方法-CN201410017311.9有效
发明人：董鹏玉;张勤芳 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种WO₃团簇束流沉积系统及利用其制备WO₃薄膜的方法，包括如下步骤：1）选择WO₃陶瓷靶作为溅射靶材；2）将衬底清洗后固定在高真空沉积室的衬底基座上；3）利用机械泵和分子泵预抽真空，使沉积室的真空压强小于等于1×10^-5Pa；4）在团簇源室侧壁管道内通入液氮，分别通过溅射气体入口和缓冲气体入口通入惰性气体Ar气和He气，使团簇源室的压强达到100～500Pa，使用溅射电源，溅射出的W离子和O离子通过气体聚集法在团簇源室中与He原子不断地碰撞而逐渐生长成WO₃团簇；5）形成的WO₃定向团簇束流对准衬底开始沉积，沉积速率为0.1～0.5Å/s，沉积时间为10～30分钟，在衬底上形成厚度为100～200纳米的WO₃团簇薄膜；6）获得的WO₃团簇薄膜经快速热处理系统在400
wo sub 团簇束流沉积系统利用制备薄膜方法

[发明专利]自由团簇时间分辨发光谱的测量方法-CN202111465235.4有效
发明人：刘飞;蒋逸伦;韩民 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了自由团簇时间分辨发光谱的测量方法，所述方法通过团簇源产生团簇束流，通过团簇离子光学聚焦系统形成沿系统轴线飞行的平行束流，经团簇质量选择器形成单一尺寸团簇束流，然后经离子加速系统使团簇进入以选定的速度自由飞行的空间，在飞行过程中通过激光照射窗口对团簇给予连续激光照射，并通过单光子探测器测量团簇发光强度。与现有技术相比，本发明的优点在于：实现了对单个团簇粒子发光的动态追踪测量，可以对大量的单团簇粒子发光信号进行长时间累积测量，克服了以往采用离子阱技术通过电磁场进行精细的三维定点约束所带来的操控复杂、实验困难
自由时间分辨光谱测量方法

[实用新型]一种直线式飞行时间质谱垂直式光电子速度成像仪-CN201922272472.3有效
发明人：唐紫超;张将乐;陈善俊;邱兴泰;陈玉婉 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：一种直线式飞行时间质谱垂直式光电子速度成像仪，包括离子源室、加速室、透镜室、探测室及成像室,该离子源室用于生成离子团簇，该加速室将离子团簇加速推出，该透镜室用于保证离子团簇的聚焦及其飞行方向；该探测室用于检测离子团簇的分布信息，并选择感兴趣的离子团簇进入成像室；成像室设有离子透镜、加速电极、磁屏蔽筒和成像探测器；该离子透镜用于聚焦离子团簇至加速电极，在加速电极处与一脱附激光互相作用产生光电子并加速，成像探测器探测光电子并采集图像信息
一种直线飞行时间垂直光电子速度成像

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