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- [发明专利]超级结器件的制造方法-CN202010326495.2在审
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李昊
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-04-23
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2020-07-24
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H01L21/336
- 本发明公开了一种超级结器件的制造方法，超级结器件的器件正面单元结构形成于超级结上；器件正面单元结构包括栅极结构；超级结的形成工艺中超级结沟槽未被第二导电类型的第二外延层填满且顶部形成的V型开口被第一介质层完全填充或封口；结合栅极结构的形成工艺设置超级结的形成工艺在超级结器件的工艺流程中的顺序，超级结器件的工艺流程的设置包括：将超级结的形成工艺放置在栅极结构的形成工艺的后面。本发明能大幅度缩短超级结的形成工艺中填充超级结沟槽的外延生长时间及降低成本，同时能减少超级结的面内掺杂失配，提高超级结器件的击穿电压的面内均匀性，还能提高超级结器件的性能的稳定性。
- 超级器件制造方法
- [发明专利]一种磁传感器及其制作方法-CN202111386714.7在审
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刘恩隆;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-11-22
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2023-05-23
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H10N50/10
- 本申请公开了一种磁传感器，包括设有底电极的芯片和设于芯片上的器件组，器件组包括与底电极电连接的第一磁隧道结器件；设于第一磁隧道结器件上方的导线层；设于导线层上表面、依次层叠的第二磁隧道结器件和第二掩膜层，第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反；设于第二掩膜层上表面的顶电极；与导线层连接的信号引出部。第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件在垂直方向上分布，可以减小磁传感器的面积，且两个磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反，使得两个器件的电阻在相同磁场作用下的变化相反，即通过在同一芯片上形成第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件
- 一种传感器及其制作方法
- [实用新型]一种超结半导体器件-CN202122479887.5有效
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张志;周伟伟
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无锡维矽半导体科技有限公司
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2021-10-15
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2022-05-10
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H01L23/32
- 本实用新型公开了一种超结半导体器件，包括超结半导体器件本体和半导体安装板，所述半导体安装板的上方设有压紧盖，压紧盖压在超结半导体器件本体上，超结半导体器件本体的两侧均安装有多个半导体引脚，所述半导体安装板的顶侧开设有两个安装槽，压紧盖的两侧均固定安装有L型压杆，该超结半导体器件，将压紧盖盖在超结半导体器件本体上，超结半导体器件本体位于压紧盖上的适配槽内，能够对超结半导体器件本体起到一个防护作用，安装时，只需向下按压即可，较为方便，需要维修时，移动拨动杆，能够带动阻挡块移动至阻挡槽内，即可将压紧盖取出，从而便于将超结半导体器件本体取出，进行维修。
- 一种半导体器件
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