“吸收边波长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1468541个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]太阳能电池的激光清边方法及装置、制备方法和加工设备-CN201811625492.8在审
发明人：樊成源 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的激光清边方法及装置、制备方法和加工设备。该激光清边方法包括先使第一波长的激光透过基底去除光电转换层和背电极的待去除边缘；然后使第二波长的激光透过基底去除前电极的待去除边缘；光电转换层和背电极对第一波长激光的吸收率大于其对第二波长激光的吸收率；前电极对第二波长激光的吸收率大于其对第一波长激光的吸收率。该激光清边方法能够实现背电极和前电极的待去除边缘分别在两次不同波长的激光清边工艺中去除，从而避免现有的一种波长的激光在一次激光清边工艺过程中去除背电极与前电极的待去除边缘所导致的二者的待去除边缘互熔而发生短路
太阳能电池激光方法装置制备加工设备

[发明专利]照明装置-CN201480011743.7有效
发明人：山内哲;渡边加津己;土井佐智子;关井广行;福田恒 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： F21S6/00 文献下载
摘要：照明装置的灯具(2)具有光源部(3)、内含将规定波段的光有选择地吸收的色素(51)的波长选择吸收部(5)、和将从光源部(3)射出的光一边朝向灯具(2)的内方导光一边朝向波长选择吸收部(5)导出的面状导光体根据该结构，来自光源部(3)的光在面状导光体(4)的内部被导光后向波长选择吸收部(5)入射。因此，与来自光源部的光直接向波长选择吸收部入射的情况相比，色素(51)不易暴露在来自光源部(3)的高亮度光或热下，此外，波长选择吸收部(5)的光路长度变得均匀。
照明装置

[发明专利]莫桑宝石真伪鉴定方法及装置-CN201910289066.X在审
发明人：徐现刚;陈秀芳;王垚浩 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种莫桑宝石真伪鉴定方法及装置，具体的，使鉴定光源发出的光束照射向待鉴定莫桑宝石，并且该鉴定光源发出的光束中包含波长范围处于250～380nm的紫外光。由于莫桑石是一种半导体材料，其禁带宽度约3.0～3.25eV，对应的带边吸收波长约为400～380nm，即低于带边吸收波长的紫外光可以被莫桑钻完全吸收，而对于其它宝石材料，由于其带边吸收波长均小于250nm因此，上述波长范围的紫外光，通过待鉴定莫桑宝石后，可以被莫桑石吸收且不被其它宝石材料吸收，进而利用本实施例提供的方法可以快速准确的鉴别莫桑钻。
紫外光带边吸收波长宝石光源宝石材料真伪鉴定波长吸收半导体材料紫外光探测器光束照射检测装置禁带鉴别申请

[实用新型]莫桑宝石真伪鉴定装置-CN201920485618.X有效
发明人：徐现刚;陈秀芳;王垚浩 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种莫桑宝石真伪鉴定装置，包括鉴定光源和紫外光检测器，使鉴定光源发出的光束照射向待鉴定莫桑宝石，且该鉴定光源发出的光束中包含波长范围处于250～380nm的紫外光。由于莫桑石是一种半导体材料，其禁带宽度约3.0～3.25eV，对应的带边吸收波长约为400～380nm，即低于带边吸收波长的紫外光可以被莫桑钻完全吸收，而对于其它宝石材料，由于其带边吸收波长均小于250nm因此，上述波长范围的紫外光，通过待鉴定莫桑宝石后，可以被莫桑石吸收且不被其它宝石材料吸收，进而利用上述装置可以快速准确的鉴别莫桑钻。
宝石真伪鉴定装置

[发明专利]利用带隙吸收法的温度校正-CN202180030384.X在审
发明人：丛者澎;舒伯特·S·楚;N·O·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：非接触式温度传感器的校正包括利用带边检测器来确定基板的带边吸收波长。带边检测器被配置为测量波长范围的强度，并基于基板的带边吸收波长及材料确定基板的实际温度。
利用吸收温度校正

[发明专利]一种用于半导体吸收式光谱测温的信号处理方法及系统-CN202010317680.5有效
发明人：张文松;周航 -专利权人：西安和其光电科技股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明属于光纤测温技术领域，具体涉及一种半导体吸收式光谱测温的信号处理方法及系统。为了克服利用现有信号处理方法获得的温度数据误差较大的问题，主要包括设置吸收时间、测量吸收光谱、选取特征数据点、选取吸收边波形、判断波形幅值、归一化处理、求解吸收边波长及查表输出温度值的步骤，在消除背景误差的吸收光谱曲线的基础上，通过PID控制积分时间，可以将吸收边光谱精确地控制在一定范围内，优化了吸收边波长的计算精度，间接提高了温度解调精度。
一种用于半导体吸收光谱测温信号处理方法系统

[发明专利]利用光学吸收边波长测量薄膜的温度-CN201080036979.8有效
发明人：达里尔·巴利特;查尔斯·A·泰勒二世;巴里·D·维斯曼 -专利权人： K-空间协会公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种确定样品温度的方法，样品包括沉积在透明基底(22)上的半导体薄膜(20)，所述半导体薄膜具有可测量光学吸收边，所述透明基底材料没有可测量光学吸收边，例如沉积在Al2O3基底(22)上用作蓝白发光二极管的根据光谱确定薄膜(20)的厚度和光学吸收边的波长值。利用光谱、厚度校准表、温度校准表，根据光学吸收边波长和薄膜(20)的厚度来确定薄膜(20)的温度。
利用光学吸收波长测量薄膜温度

[发明专利]等离子显示器面板衬底的制造方法和该方法所用的模具-CN00805471.1无效
发明人：横山周史 -专利权人：美国3M公司
申请日： 2000-02-16 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： H01J9/24 文献下载
摘要：一种通过在基板上提供肋条制造等离子体显示器面板衬底的方法,包含以下步骤使包含具有第一吸收边缘的第一光定形引发剂和第一光定形组份的肋条母体与所述基板紧密接触;用所述肋条母体填充通过光定形具有第二吸收边缘的第二光定形引发剂获得的模具,第二吸收边缘的波长小于所述第一光定形引发剂的所述第一边的波长;将所述肋条母体暴露在波长大于对于所述第二吸收边缘的波长的光线下,从而使所述肋条母体定形;以及去除所述模具。
等离子显示器面板衬底制造方法所用模具

[发明专利]一种利用中子衍射技术测试厚板残余应力的方法-CN201810275227.5有效
发明人：蒋文春;万娱;李建;孙光爱;涂善东;赵旭;凌祥 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明提出一种利用中子衍射技术测试厚板残余应力的方法，该方法针对不同测试材料对应的晶体结构、所含元素成分，计算测试材料的布拉格边、中子总吸收截面与波长的对应关系；通过计算布拉格边、中子总吸收截面与波长的对应关系，确定几种能提高中子在厚板样品中穿透深度的波长值；测试样品的织构，根据织构的测试结果选择初步测试波长，并根据峰高/本底值、应变误差值、中子总计数、中子实际穿透路径长度选取测试样品在透射模式和反射模式下对应的最佳波长；从而通过改变波长，提高中子在厚板样品中的穿透深度，降低测试时间和误差，准确测试厚板残余应力。本发明通过改变波长的方式，提高中子在厚板样品中的穿透能力，提高中子衍射测试厚板残余应力的效率，降低测试时间和测试误差。
一种利用中子衍射技术测试厚板残余应力方法

[发明专利]激光加工系统和激光加工方法-CN201780073789.5有效
发明人：柿崎弘司;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：激光加工系统具有：A、波长可变激光装置，其输出脉冲激光，并且能够使脉冲激光的波长发生变化；B、光学系统，其对被加工物照射从波长可变激光装置输出的脉冲激光；C、基准波长取得部，其取得与基于被加工物的材料的光子吸收对应的基准波长；D、激光加工控制部，其对波长可变激光装置进行控制，在对被加工物实施主加工之前执行预加工，并且一边使波长可变激光装置所输出的脉冲激光的波长在包含基准波长的规定范围内变化，一边按照多个波长执行波长搜索用预加工；E、加工状态计测器，其计测按照多个波长进行的波长搜索用预加工的每个波长的加工状态；以及F、最佳波长确定部，其对每个波长的加工状态进行评价来确定用于主加工的最佳波长。
激光加工系统方法

[发明专利]精制方法-CN202180023513.2有效
发明人：藤内谦光;加藤大贵;近藤良夫;山田和成 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明的精制方法是使具有至少1种晶型的化合物结晶化的精制方法，其中，将从使该化合物溶解于溶剂而成的溶液中析出特定的晶型的特定的红外线波长设定为目标波长，使用能够放射包含目标波长的红外线的红外线放射装置，一边对溶液照射包含目标波长的红外线一边使溶剂蒸发，从而使特定的晶型析出。在将特定的红外线波长设定为目标波长时，优选基于晶型的红外吸收光谱和化合物在溶剂中的溶解速度来设定。
精制方法

[发明专利]微尺度颗粒物中元素三维成像的方法和系统-CN201911235889.0在审
发明人：王黎明;陈春英;赵宇亮;丁洁;关勇;陈亮;李玉锋;丛亚林;田扬超;刘刚 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;国家纳米科学中心
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本说明书提供一种微尺度颗粒物中元素三维成像的方法和系统，方法包括：在各个照射角度，采用第一波长的X射线照射微尺度颗粒物而形成第一特征图像，以及采用第二波长的X射线照射微尺度颗粒物而形成第二特征图像；比较同一照射角度获取的第一特征图像和第二特征图像，获得灰度差异图像；基于各个照射角度对应的灰度差异图像，采用三维重构技术获得目标元素的三维图像；其中：第一波长的X射线的能量大于或等于目标元素的吸收边处能量，所述第二波长的X射线的能量为所述目标元素的吸收边前能量；所述第一波长的X射线和所述第二波长的X射线为软X射线、中能X射线或者硬X射线。
尺度颗粒元素三维成像方法系统

[发明专利]基于激光器的LED大面积可控表面粗化及刻蚀方法-CN201010178809.5有效
发明人：刘铎;左致远;张百涛;何京良;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明此方法利用半导体材料对于波长小于其带边吸收波长的大功率激光强吸收发生气化，实现对LED表面半导体材料的表面粗化。激光器选用以波长小于被加工半导体带边吸收波长为准。
基于激光器 led 大面积可控表面刻蚀方法

[发明专利]电波暗室-CN201210382910.1无效
发明人：何等乾 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01R1/18 文献下载
摘要：一种电波暗室，包括一周壁及一顶壁，该周壁及顶壁的内表面铺设有若干正六边形的铁氧体板，这些铁氧体板紧密排列呈蜂窝状，每一铁氧体板的边长小于待吸收电磁波的波长的四分之一。所述电波暗室的铁氧体板呈正六边形，边长小于待吸收电磁波的波长的四分之一，相邻的两铁氧体板的对应边之间形成的缝隙的长度小于四分之一电磁波的长度，使大部分射入缝隙内的电磁波被吸收，提高了电波暗室的吸波率，确保测试结果的准确性
电波暗室

[发明专利]基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法-CN201010544701.3有效
发明人：左致远;刘铎;徐现刚;何京良 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明利用半导体材料对于波长小于其带边吸收波长的大功率激光强吸收发生气化，实现对SiC衬底以及LED半导体材料的表面粗化。激光器选用以波长小于被粗化刻蚀半导体带边吸收波长为准。
基于激光器 sic 衬底 led 大面积可控表面刻蚀方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条