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[发明专利]制造具有增强对高温载荷下蠕变滑动的抗性的工程表面的二氧化硅形成的制品的方法-CN201480060109.2在审
发明人： D·M·利普金;C·A·约翰逊;J·L·马戈利斯;L·S·罗森斯维希;J·万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：一种形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅区域上形成含硅层；在含硅层中形成多个沟道和隆起；和形成覆盖含硅区域的表面的至少一个外层。该多个沟道和隆起可通过对含硅层添加含硅材料而形成。该沟道和隆起可通过从含硅层去除材料而形成。沟道和隆起可通过在形成含硅层之前，在基底的表面的含硅区域中形成沟道或沟槽而形成。
制造具有增强高温载荷下蠕变滑动抗性工程表面二氧化硅形成制品方法

[发明专利]一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池-CN201911095735.6在审
发明人：袁号;李素丽;赵伟;唐伟超;李俊义;徐延铭 -专利权人：珠海冠宇电池有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及电池领域，尤其涉及一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池。本发明的含硅负极片，包括：集流体，第一含硅层，所述第一含硅层涂布于所述集流体至少一侧的表面，所述第一含硅层中的硅含量为50～80wt％；第二含硅层，所述第二含硅层涂布于所述第一含硅层的表面，所述第二含硅层中包括多孔纳米硅，所述第二含硅层中的硅含量为10～50％；以及外层，所述外层涂布于所述第二含硅层的表面；所述外层中的硅含量为0～10wt％。所述硅负极片材料用于锂离子电池时，锂离子扩散系数大，可抑制硅材料的体积膨胀，结构稳定，导电率高，循环稳定性高。
一种负极制备方法锂离子电池

[发明专利]环境阻障涂层及其方法-CN201380064866.2在审
发明人： P.J.梅施特;C.A.约翰逊;S.森达拉姆;J.万;D.M.利普金 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种制品，所述制品包括含硅区域，所述含硅区域包括其表面上的表面特征。所述表面特征包括凹部、突起或者它们的组合。至少一个外层覆盖在所述含硅区域的所述表面上。成分层提供在所述含硅区域的所述表面上以及所述含硅区域与所述至少一个外层之间并且与这二者接触。成分层由所述含硅区域的成分形成并且在所述制品的运行环境中易于蠕变。所述表面特征通过所述成分层将所述至少一个外层与所述含硅区域物理互锁。
环境阻障涂层及其方法

[发明专利]含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层-CN201310754122.5在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本申请公开了一种含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层。其中，含硅氧介质层的表面处理方法包括对含硅氧介质层进行UV处理，以除去含硅氧介质层中的残留有机物；以及对UV处理后的含硅氧介质层进行氧化处理，以氧化含硅氧介质层中的残留硅。该表面处理方法通过在形成含硅氧介质层的步骤后，增加对含硅氧介质层进行UV处理以及氧化处理步骤，从而去除了含硅氧介质层中缺陷，避免了由含硅氧介质层中缺陷造成的半导体器件稳定性下降的问题。
含硅氧介质及其表面处理方法半导体器件互连

[发明专利]一种经包覆处理的硅负极材料及其制备方法和应用-CN202310029359.0在审
发明人：岳敏;杨胜林;黄思琳;刘俊;董仕晋 -专利权人：深圳市研一新材料有限责任公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种经包覆处理的硅负极材料及其制备方法和应用。该经包覆处理的硅负极材料，包括：含硅活性材料以及包覆于所述含硅活性材料外表面的纳米纤维素。硅负极材料还可以包括导电剂，导电剂也包覆于含硅活性材料表面。本发明通过引入纳米纤维素对含硅活性材料进行表面包覆，优选用经过聚丙烯酸酯类表面改性的纳米纤维素包覆含硅活性材料，以进一步提高纳米纤维素和含硅活性材料表面之间的附着力，从而进一步改善含硅活性材料在循环过程中的膨胀老化问题
一种经包覆处理负极材料及其制备方法应用

[发明专利]硅复合材料及其制备方法和应用-CN202211411525.5在审
发明人：白文龙;王育文;游兴艳;武宝珍;郑蔚;叶永煌;金海族;吴凯 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅复合材料及其制备方法、负极组合物、负极浆料、负极极片、二次电池以及用电装置。硅复合材料包括掺杂型含硅基材和位于掺杂型含硅基材表面的含锂层，掺杂型含硅基材包括含硅基材和掺杂到含硅基材中的掺杂元素；掺杂型含硅基材的电导率大于含硅基材的电导率。该硅复合材料中通过对硅基材进行掺杂并在掺杂型含硅基材的表面设置含锂层，可以促进锂离子电池嵌入到硅复合材料中，充分发挥硅复合材料的容量，进而改善二次电池的性能。
复合材料及其制备方法应用

[发明专利]具有工程表面以加强对高温负载下的蠕变滑动的抵抗性的二氧化硅形成制品-CN201480059905.4在审
发明人： D.M.利普金;C.A.约翰逊;P.J.梅施特;S.森达拉姆;J.万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：一种制品包括：含硅区域；上覆含硅区域的表面的至少一个外层；以及在含硅区域的表面上且在含硅区域和至少一个外层之间且接触它们的组分层，组分层由含硅区域的组分形成，且易于在制品的操作环境内蠕变，其中含硅区域限定多个通道和多个凸脊，多个凸脊在形成于含硅区域中的多个通道内联锁，以使至少一个外层与含硅区域经由组分层物理地联锁。
具有工程表面加强高温负载滑动抵抗性二氧化硅形成制品

[发明专利]用于形成含钴材料的工艺-CN200780021549.7有效
发明人： S·甘古里;S·S·储;M·常;S-H·俞;K·莫赖斯;S-E·潘 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上提出形成硅化钴层、金属钴层和其它含钴材料的方法及设备。在一实施例中，在基板上形成含硅化钴材料的方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；在硅化钴材料上沉积金属钴材料、以及在基板上沉积金属接触材料。在另一实施例中，方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；使基板暴露于退火处理；在硅化钴材料上沉积阻挡材料、以及在阻挡材料上沉积金属接触材料。
用于形成材料工艺

[发明专利]使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法-CN201080017514.8有效
发明人：崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体限定内部空间，所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上，所述含硅涂层的外表面为至少35％原子数的硅。在一些实施例中，一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括：将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间；以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。
使用处理壁上涂层增强清除残余自由基方法

[发明专利]硅/碳复合物、硅合金/碳复合物及其制备方法-CN201510707460.2在审
发明人： A·杜蒙特;P·吉奈特;大窪清吾 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：提供制备可在导电碳材料表面上形成均匀含硅薄膜或含硅合金薄膜的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法，以及在用作用于形成电储存器件负极的负极材料时可实现大容量电储存器件并显示出优异的充电-放电循环特性的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物。制备硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法，其包括步骤(a)：通过使用含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料表面上形成含碳薄膜；和步骤(b)：通过单独地使用含硅气体或者使用含硅气体和含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料上形成含硅薄膜或含硅合金薄膜。
复合物合金及其制备方法

[发明专利]经蚀刻的硅结构、形成经蚀刻的硅结构的方法及其用途-CN201380015837.7无效
发明人：刘峰名;Y·江;克里斯托夫·迈克尔·弗兰德;乔纳通·斯皮德 -专利权人：奈克松有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：一种蚀刻含硅材料的硅的方法，该方法包括以下步骤：用元素金属部分地覆盖含硅材料的硅表面，然后通过将部分覆盖的硅表面暴露于蚀刻组合物进行硅的金属辅助化学蚀刻，其中，用于金属辅助化学蚀刻的至少一些元素金属由以下之一形成：(a)将硅表面暴露于含金属离子的组合物，其中，通过还原金属离子形成元素金属，并且其中，含金属离子的组合物基本上不含HF，或(b)将元素金属直接沉积在硅表面上。
蚀刻结构形成方法及其用途

[发明专利]一种碳化硅薄膜的制备方法-CN201110287216.7无效
发明人：饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。
一种碳化硅薄膜制备方法

[发明专利]一种硅复合材料及其制备方法、电池负极和锂离子电池-CN201610265144.9有效
发明人：王宏宇;李超;齐力 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅复合材料，包括：含硅颗粒；复合于所述含硅颗粒表面的氟化锂层。本发明提供了一种上述技术方案所述的硅复合材料的制备方法，包括：将锂化合物、氟盐和含硅颗粒在溶剂混合，得到硅复合材料；或将含硅颗粒和氟化锂混合后灼烧，得到硅复合材料；或将含硅颗粒、氟盐和锂化合物混合后灼烧，得到硅复合材料。本发明提供的硅复合材料通过改性硅表面的性质，复合氟化锂来减少硅表面副反应的发生，提高硅材料的性能，这种硅复合材料能够作为循环性能好的负极材料使用。
一种复合材料及其制备方法电池负极锂离子电池

[发明专利]提高介电膜的材料性能的活化化学方法-CN200810092038.0无效
发明人： S·J·韦格尔;M·L·奥奈尔;R·N·夫尔蒂斯;D·西纳托尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露到能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。
提高介电膜材料性能活化化学方法

[发明专利]一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁及制备方法-CN202011059274.X有效
发明人：林玉麟;廖宗博;谢菊华 -专利权人：福建省长汀金龙稀土有限公司;厦门钨业股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁及制备方法，所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁包括磁铁烧结体及复合在磁铁烧结体表面的含硅层及含重稀土层，所述含重稀土层位于所述含硅层上，所述磁铁烧结体表面的至少一部分被所述含硅层覆盖，所述含硅层表面的至少一部分被所述含重稀土层覆盖，所述含硅层含有硅、二氧化硅及碳化硅中的至少一种，所述含重稀土层含有重稀土，所述重稀土选自镝、铽和钬中的至少一种，所述磁铁烧结体表面至1μm以上深度分布有所述的重稀土本发明通过在磁铁烧结体的表面的至少一部分覆盖含硅层，可促进重稀土元素的扩散，改善磁铁的性能。当含重稀土层含有重稀土氟化物时，还可以有效减少氟元素往磁铁内部的扩散。
一种 fe 稀土烧结磁铁制备方法

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