“变薄”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6677个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]小畸变薄型摄影物镜-CN88208056.3无效
发明人：林金波 -专利权人：浙江大学
申请日： 1988-06-30 - 公布日： 1989-04-12 - 主分类号： G02B9/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小畸变薄型摄影物镜，它包括摄影物镜镜片一，二，三，其特征是半径r1＝9.117，r2＝23.04，r3＝-28.64，r4＝9.772，r5＝27.17，r6＝-18.75，间隔d1
畸变摄影物镜

[发明专利]一种可感测运动轨迹的音圈马达-CN201811424957.3在审
发明人：沈文振;吴承諹;陈周聪;黄芳;刘东晓;上官关贤 -专利权人：厦门新鸿洲精密科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H02K11/21 文献下载
摘要：可上下移动的配合于壳体内的镜头支架、配合在镜头支架周壁上的驱动线圈以及至少一个固定在壳体侧壁上的驱动磁铁，驱动线圈与控制电路板电连接；所述的一种可感测运动轨迹的音圈马达还包括一个与控制电路板电连接的应变薄膜，所述应变薄膜设置在镜头支架顶部与壳体的内顶壁之间并随镜头支架移动而产生相应形变。本发明通过应变薄膜来感测镜头支架的运动轨迹，结构上简单，成本也低。
镜头支架运动轨迹控制电路板音圈马达应变薄膜电连接驱动线圈壳体可上下移动壳体侧壁驱动磁铁内顶壁形变感测周壁配合体内移动

[发明专利]一种生物阻变薄膜的制备方法及其制备顶电极的方法-CN202211333493.1在审
发明人：李颖;李琛;徐雷;赵志明;雷黎;严富学;任洋 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物阻变薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，按照1：(1‑5)的体积比称取鸡蛋蛋黄液和去离子水，并将两者混合进行混合搅拌，直至鸡蛋蛋黄液均匀分布，得到鸡蛋蛋溶胶；步骤2，采用浸渍提拉法在20‑25℃，使用提拉机，将鱼嘴夹夹住基片的一角，拨动拉膜设备开关，以13‑15mm/s的速度在鸡蛋蛋黄溶胶中进行提拉，将提拉制得的鸡蛋蛋黄薄膜在20℃‑25℃下进行干燥1‑2min，即可获得生物阻变薄膜本发明还公开了一种生物阻变薄膜制备顶电极的方法。
一种生物薄膜制备方法及其电极

[发明专利]一种柔性高导热复合相变薄膜及其制备方法与应用-CN202310366744.4在审
发明人：刘乐浩;兰若;肖文元;张冬梅;李美成;刘高朋;张少奇;尹昊杰;孟祥龙 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08L77/10 文献下载
摘要：本发明属于相变材料技术领域，本发明公开了一种柔性高导热复合相变薄膜，所述复合相变薄膜将芳纶纤维分散于有机溶剂以得到高分散性的芳纶纳米纤维溶液，再加入碳纳米管溶液并搅拌分散，通过刮刀涂覆、冷冻干燥得到碳纳米管/芳纶纳米纤维多孔薄膜，然后通过浸入石蜡、真空干燥获得石蜡/碳纳米管/芳纶纤维复合相变薄膜。
一种柔性导热复合相变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种高一致性阻变存储器及其制备方法-CN201610809598.8有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;康健;方亦陈;喻志臻;杨雪 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。
一种一致性存储器及其制备方法

[发明专利]一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用-CN201610625855.2有效
发明人：翟继卫;吴卫华;陈施谕 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ti‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料为钛锑(Ti‑Sb)二元材料，组分通式为Ti_xSb_1‑x，02/Si(100)基片表面、背面，去除灰尘颗粒、有机与无机杂质、采用磁控溅射制备Ti_xSb_1‑x相变薄膜的前期准备、用镀膜监控程序进行镀膜等步骤制备得到Ti‑Sb纳米相变薄膜材料，应用于PCRAM器件。
一种 ti sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]用于光学性能精细调控的相变薄膜结构-CN201710257962.9有效
发明人：孟云;王阳;温帅 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种用于光学性能精细调控的相变薄膜结构，上下两层为二氧化硅层，中间为相变层，所述的相变层的材料为碳化钛或碳化硅掺杂的锑‑碲材料，相变层材料结构通式为MC‑(Sb₂Te_{3<本发明相变薄膜结构经过激光辐照处理后，在50‑250℃温度区间内，其电阻率(或反射率)随温度变化没有显著的突变点，可用于光学精细调控。该相变薄膜结构可广泛应用于纳米尺度光电开关、超快光转换、超分辨光存储等多个领域。}
用于光学性能精细调控相变薄膜结构

[发明专利]高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用-CN201710422075.2有效
发明人：翟继卫;吴卫华 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用，该薄膜为掺金属元素Ti的Ge₈Sb₉₂纳米相变薄膜，其化学组成符合化学通式Ti_{xsub>，其中，x为金属Ti元素的原子百分比，且02}/Si(100)基片表面、背面，去除灰尘颗粒、有机与无机杂质，然后利用磁控溅射共溅射法制备相变薄膜
高速功耗 ti ge sb 纳米复合相变薄膜及其制备应用

[发明专利]铝锅体的拉伸变薄成型方法-CN200710069158.4无效
发明人：王勇 -专利权人：王勇
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：一种铝锅体的拉伸变薄成型方法，其特征在于依次包括如下加工步骤：①取待处理的铝坯料置于能绕一轴线转动的模芯上并紧贴模芯，铝坯料与模芯的中心均处在模芯转动轴线上；②用尾顶把铝坯料夹紧，并且模芯、铝坯料及尾顶处于同一轴线上；③模芯带动设置于其上的铝坯料一起转动，旋轮开始根据进给量同时在轴向和径向对铝坯料按照铝锅体外形轮廓轨道运动；④铝坯料在旋轮作用下，开始局部拉伸变薄，直至旋轮走完整个铝锅体外形轮廓轨道，旋压过程结束。本发明具有设备投入少、拉伸变薄量大的优点。
铝锅拉伸变薄成型方法

[实用新型]快捷包扎压力包-CN201720385416.9有效
发明人：张健;刘红兵;张永寿 -专利权人：刘红兵
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： A61B17/132 文献下载
摘要：快捷包扎压力包,包括止血部，所述止血部包括医用纱布，医用纱布为中间厚，四周逐渐变薄的圆板状结构，医用纱布的一侧安装医用海绵，医用海绵的一侧安装绒布，所述止血部外侧安装绑带，止血部整体为四周逐渐变薄的圆板状结构本实用新型将止血部设计为四周逐渐变薄的圆板状结构当止血部被绑定在伤口上时，止血部可以利用自身形变后的产生的压力对伤口施加压力，从而不需太多的绑缚就能自动产生合适的压紧力，从而提高了止血效率，适应战场环境
快捷包扎压力

[实用新型]一种新型金刚石磨轮-CN202220612663.9有效
发明人：郝宏铎 -专利权人：海安玻克超硬材料有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B24D7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型金刚石磨轮，包括：磨轮基体、底座，磨轮基体通过金属粘接在底座上，所述磨轮基体为圆筒结构，磨轮基体远离底座的一面为打磨面，打磨面由磨轮基体中心向边缘方向厚度逐渐变薄，打磨面上设有多个大凹槽和多个小凹槽，每个小凹槽设置在相邻的大凹槽之间；本实用新型通过打磨面由磨轮基体中心向边缘方向厚度逐渐变薄，可以提高前期打磨时的排屑效率，保证对加工物品的质量，通过在打磨面上在相邻的大凹槽之间设置小凹槽，使磨轮基体在打磨变薄的过程中还可以保证其切削效率
一种新型金刚石磨

[发明专利]一种钣金件翻孔挤丝工艺-CN202210618132.5在审
发明人：王飞翔;李义 -专利权人：重庆宏华唯实达汽车部件有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钣金件翻孔挤丝工艺，包括在钣金件的冲压翻孔攻丝处进行打凸包；将所述凸包加高；将所述凸包变薄；冲孔并进行挤压攻丝等步骤。其显著效果是：通过将翻孔攻丝位置处进行打凸包、加高、变薄等处理后进行冲孔、攻丝，使得包装翻孔攻丝后不破裂，保证钣金件的合格率100％。
一种钣金件翻孔挤丝工艺

[发明专利]一种Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用-CN201810987180.5在审
发明人：张丹;胡益丰;卢雅琳;朱小芹;孙月梅;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子材料技术领域，具体涉及一种Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用。Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜中单层Sb₇₀Se₃₀薄膜和单层Si薄膜交替堆叠排列成多层膜结构，单层Sb₇₀Se₃₀薄膜的厚度范围为1～10nm，单层Si薄膜的厚度范围为1～10nm，所述Sb₇₀Se₃₀/Si复合相变薄膜总厚度为与传统的Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的Sb₇₀Se₃₀/Si复合薄膜材料具有较快的晶化速度
薄膜单层多层复合相变薄膜制备方法和应用晶化复合薄膜材料相变薄膜材料多层膜结构微电子材料相变存储器薄膜材料复合相变交替堆叠交替溅射纳米量级传统的激活能沉积存储复合

[发明专利]一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用-CN201810986616.9在审
发明人：张丹;胡益丰;卢雅琳;朱小芹;孙月梅;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子材料技术领域，具体涉及一种Sb₇₀Se₃₀/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用。Sb₇₀Se₃₀/C多层复合相变薄膜中单层Sb₇₀Se₃₀薄膜和单层C薄膜交替堆叠排列成多层膜结构，单层Sb₇₀Se₃₀薄膜的厚度范围为1～10nm，单层C薄膜的厚度范围为1～10nm，所述Sb₇₀Se₃₀/C复合相变薄膜总厚度为与传统的Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的Sb₇₀Se₃₀/C复合薄膜材料具有较快的晶化速度
薄膜单层多层复合相变薄膜制备方法和应用晶化复合薄膜材料相变薄膜材料多层膜结构微电子材料相变存储器薄膜材料复合相变交替堆叠交替溅射纳米量级传统的激活能沉积存储复合

[发明专利]一种耦合适配器-CN202010266760.2在审
发明人：伍斌;阮扬 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：设置在第一通孔内，并具有与第一通孔同轴的第二通孔；陶瓷插芯，设置在第一通孔内并部分插入第二通孔内，陶瓷插芯开设有与第一通孔同轴的第三通孔；其中，陶瓷插芯靠近第一端的入口端和外套筒围合的空间内部分填充有渐变薄膜，渐变薄膜与陶瓷插芯的入口端以及外套筒的内壁面均接触，渐变薄膜的折射率随靠近陶瓷插芯的入口端而增大。通过在陶瓷插芯的入口端设置折射率变化的渐变薄膜，逐渐收拢发散光束的发散角，降低了成本以及缩小了透镜占据的空间。
一种耦合适配器