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[发明专利]发光器件及其制作方法-CN202111105021.6在审
发明人：李楚;苑立阁;陈新亮;甘诗阳 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件及其制作方法，上述发光器件包括发光主体和将所述发光主体封装的封装结构；所述发光主体中含有紫外光敏感材料；所述封装结构包括层叠设置的介质层和封装层，所述封装层为固化后的紫外光固化材料层，所述介质层位于所述发光主体与所述封装层之间，所述介质层的折射率小于所述紫外光固化材料层的折射率，上述通过对介质层材料以及封装层材料折射率的限定，可实现通过光固化的方式使封装层得到有效封装，同时保证了封装过程中光路只在紫外光固化材料层以及介质层中经过，减少对发光器件中发光主体的影响，提高发光器件的使用寿命和光学特性。
发光器件及其制作方法

[发明专利]基于电致发光原理的发光单元结构及显示器件-CN201610595306.5在审
发明人：赵薇薇;岳红延;魏仙琦 -专利权人：杭州大科柔显电子技术有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电致发光原理的发光单元结构，包括支撑芯，所述的支撑芯上设置导体镀层，所述的导体镀层套设在支撑芯外部，所述的导体镀层外部设置至少一个发光材料层，所述的发光材料层与导体镀层之间设置介质内层，所述的介质内层与发光材料层和导体镀层均贴合。本发明在金属导电镀层与发光材料层之间还设置了介质内层，介质内层可以用不隔离导体镀层与发光材料层，防止发光材料层与导体镀层接触，并且将原有的金属芯采用非金属制成的支撑芯，在支撑芯是外表面电镀一层金属导体镀层，利用金属导体镀层进行导电，使发光材料可以发光，这样可以大大减少金属材料的使用比例，降低了金属材料的消耗，还可以起到环保作用。
基于电致发光原理发光单元结构显示器件

[实用新型]基于电致发光原理的发光单元结构及显示器件-CN201620793511.8有效
发明人：赵薇薇;岳红延;魏仙琦 -专利权人：杭州大科柔显电子技术有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电致发光原理的发光单元结构，包括支撑芯，所述的支撑芯上设置导体镀层，所述的导体镀层套设在支撑芯外部，所述的导体镀层外部设置至少一个发光材料层，所述的发光材料层与导体镀层之间设置介质内层，所述的介质内层与发光材料层和导体镀层均贴合。本实用新型在金属导电镀层与发光材料层之间还设置了介质内层，介质内层可以用不隔离导体镀层与发光材料层，防止发光材料层与导体镀层接触，并且将原有的金属芯采用非金属制成的支撑芯，在支撑芯是外表面电镀一层金属导体镀层，利用金属导体镀层进行导电，使发光材料可以发光，这样可以大大减少金属材料的使用比例，降低了金属材料的消耗，还可以起到环保作用。
基于电致发光原理发光单元结构显示器件

[发明专利]制备纳米尺寸发光半导体材料的方法-CN201780076609.9在审
发明人： N·格兰巴赫;I·达维迪;S·内什塔特 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备纳米尺寸发光半导体材料的方法，纳米尺寸发光半导体材料，包含纳米尺寸发光半导体材料的光学介质，以及包含光学介质的光学器件。
发光半导体材料光学介质制备光学器件

[发明专利]超薄晶体霓虹发光技术-CN01135049.0无效
发明人：冯兴运 -专利权人：冯兴运
申请日： 2001-11-16 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H05B33/00 文献下载
摘要：超薄晶体霓虹灯发光技术涉及一种发光材料,其制作工艺为首先将透明导电薄膜(图①)在玻璃板上铺平,在透明导电薄膜(图①)面上用丝网板印刷一层发光材料(图②),发光材料(图②)是硫化锌材料,然后再在发光材料表面印刷一层绝缘介质材料,(图③)待绝缘材料完全干燥后,再在绝缘介质材料(图③)背部印刷一层导电激活剂(图④),导电激活剂(图④)的主要材料为银或碳,最后再在导电激活材料(图④)背部印刷一层绝缘胶材料(图⑤),晶体霓虹发光材料即先完成
超薄晶体霓虹发光技术

[发明专利]一种SOI基单片集成半导体激光器及其制作方法-CN202210039746.8有效
发明人：张昭宇;黄要然;谢文韬;龚元昊 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：该方法包括图案化SOI衬底的Si材料层，形成Si材料区；形成覆盖所述Si材料区的介质层；在所述介质层中形成开口，以便露出所述Si材料区；通过所述开口，对Si材料区进行侧向刻蚀，从而形成沿第一方向延伸的Si结构；通过所述开口，在所述Si结构的朝向所述开口的侧面上沿与所述第一方向正交的第二方向形成半导体发光材料；通过图案化所述介质层在所述半导体发光材料上形成介质层结构；以所述介质层结构为掩膜，去除露出的半导体发光材料，从而保留的半导体发光材料形成激光器的谐振腔。
一种 soi 单片集成半导体激光器及其制作方法

[发明专利]一种柔性电致发光复合材料及其制备方法-CN201610097487.9有效
发明人：杨萍;陈玲;车全德 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电致发光复合材料及其制备方法，该复合材料包括覆有导电层的柔性基质，所述导电层上覆有电介质层，所述电介质层上覆有发光层；其中，所述发光层为发光材料、石墨烯和聚乙烯基咔唑的混合物。本发明制备简单，在发光层中引入聚乙烯基咔唑和石墨烯，使发光层涂覆在柔性基质上不会破损，直接使用现在已经商用的各种无机发光材料作为发光材料，用交流电激发即可发光，节能、寿命长、发光稳定，可以弯曲、折叠、剪切该复合材料可以制成各种装置材料，可以作为电光源材料，发光颜色可调，发光材料适用面广，具有很好的应用前景，特别适合目前环境发展的需求。
一种柔性电致发光复合材料及其制备方法

[发明专利]一种具有大散射角的发光二极管-CN200510026739.0无效
发明人：宣华牛 -专利权人：宣华牛
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有大散射角的发光二极管，包括发光二极管，其特征在于：发光二极管的封装为透明高导光材料，发光二极管的光芯位于透明高导光材料的后部，在透明高导光材料的前部的光轴线上有一个锥体介质面。锥体介质面为圆锥体或多棱锥体。锥体介质面的锥尖相对于发光二极管的光芯。锥体介质面为在透明高导光材料上的一个锥形孔。锥体介质面为在透明高导光材料内的一个锥形体，锥形体的导光率低于透明高导光材料的导光率。锥体介质面的锥尖距离发光二极管的光芯为光芯宽的0.5－2倍。锥体介质的锥尖的夹角为90－120度。本发明的优点是使高亮度的发光二极管具有大的散射角。
一种具有散射发光二极管

[实用新型]一种具有大散射角的发光二极管-CN200520042457.5无效
发明人：宣华牛 -专利权人：宣华牛
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有大散射角的发光二极管，包括发光二极管，其特征在于：发光二极管的封装为透明高导光材料，发光二极管的光芯位于透明高导光材料的后部，在透明高导光材料的前部的光轴线上有一个锥体介质面。锥体介质面为圆锥体或多棱锥体。锥体介质面的锥尖相对于发光二极管的光芯。锥体介质面为在透明高导光材料上的一个锥形孔。锥体介质面为在透明高导光材料内的一个锥形体，锥形体的导光率低于透明高导光材料的导光率。锥体介质面的锥尖距离发光二极管的光芯为光芯宽的0.5—2倍。锥体介质的锥尖的夹角为90—120度。本实用新型的优点是使高亮度的发光二极管具有大的散射角。
一种具有散射发光二极管

[发明专利]自动扶梯显示装置-CN200780006302.8有效
发明人：中森正则;绪方正 -专利权人：奥蒂斯电梯公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：一种自动扶梯显示装置，包括设置在含有透明介质的侧壁边缘上的发光体。设置该发光体以在透明介质表面上显示显示项，且该发光体是感光材料，该感光材料与发光体的发光色进行感光反应。
自动扶梯显示装置

[发明专利]具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法-CN200910101320.5有效
发明人：王乐;金尚忠;李晓艳;袁坤 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管领域，旨在提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。
具有效应薄膜发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种Micro-LED显示面板及其制造方法-CN201810783898.2在审
发明人：孙小卫;王立铎;刘召军;闫思吴;魏枫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种Micro‑LED显示面板及其制造方法，该显示面板包括：键合基板；倒置于键合基板一侧，并与键合基板电连接的第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素；其中，第一颜色像素包括第一发光介质层，第二颜色像素包括第二发光介质层，第三颜色像素包括第三发光介质层；第一发光介质层和第二发光介质层分别为有机发光材料，第三发光介质层为氮化镓量子阱。本发明实施例提供的Micro‑LED显示面板中第一颜色像素和第二颜色像素通过有机发光材料分别发出第一颜色的光和第二颜色的光，第三颜色像素通过氮化镓量子阱层发出第三颜色的光，由此，通过有机发光材料和氮化镓量子阱层配合发光
颜色像素发光介质层有机发光材料氮化镓键合基量子阱层显示面板全彩化显示量子阱板电发光制造配合

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202080003031.6在审
发明人：王庆;马全扬;曾江斌;陈大钟;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括：导体发光序列，包括发光层；布拉格反射层，位于半导体发光序列的一侧，所述布拉格反射层为第一折射率的第一介质材料层和第二折射率的第二介质材料层重复堆叠分布形成，其中第一折射率低于第二折射率，其中所述第二介质材料层的光学厚度小于第一介质材料层的光学厚度。
一种半导体发光元件

[发明专利]有机EL元件及有机EL元件的制造方法-CN201280047036.4在审
发明人：明野康刚;大內琢马 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明为了提供一种使用凸版印刷法形成稳定的有机发光介质层、并且图案形成精度、膜厚均匀性和发光特性优异的有机EL元件，具备：基板（2）；设置于基板（2）上的第一电极层（3）、设置于第一电极层（3）上并通过通电来发光的有机发光介质层（5）；设置于有机发光介质层（5）上并通过在与第一电极（3）之间施加电压来对有机发光介质层（5）通电的第二电极（6）。并且，有机发光介质层（5）的至少一层通过包含重量平均分子量为150万以上且2500万以下的高分子材料、以及作为非重复构造的至少一种低分子材料的混合物来形成。另外，高分子材料和低分子材料的混合比率在重量比为0.05：1至0.5：1的范围内设定。
有机 el 元件制造方法

[发明专利]一种宽温度范围刺激响应型磷光材料及其制备方法和应用-CN202210601343.8有效
发明人：高鹏飞;赵家强;李彦杰 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽温度范围刺激响应型磷光材料及其制备方法和应用，该材料包括发光材料和介质材料，发光材料与介质材料以任意比例混合，介质材料包括硅胶和中性氧化铝中的一种，该磷光材料可有效解决现有的磷光材料存在的温度调控精细程度低
一种温度范围刺激响应磷光材料及其制备方法应用

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