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[发明专利]一种磁存储器件及其制备方法、MRAM-CN202111585644.8在审
发明人：韩谷昌;杨保林 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：底电极上形成有参考层，参考层的临界尺寸与底电极的临界尺寸相等。参考层上形成有隧道层。隧道层上形成有自由层，自由层的临界尺寸小于参考层的临界尺寸。通过参考层的临界尺寸和底电极的临界尺寸相同，而自由层的临界尺寸小于参考层的临界尺寸，能够使临界尺寸较大的参考层和钉扎层的磁场较稳定，使其产生的杂散场在自由层上分布较均匀，使参考层的杂散场不会对磁性隧道结中自由层的读写造成干扰减小刻蚀工艺对自由层及隧道层表面产生的损伤。
一种磁存储器及其制备方法 mram

[实用新型]一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器-CN202121291474.8有效
发明人：薛松生;沈卫锋;郭海平;宋晨 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器，该磁电阻薄膜结构包括：依次层叠设置的基底、种子层、参考层、间隔层、自由层和电极层；参考层在种子层上生长，且参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入被钉扎；自由层的磁矩方向随外部磁场的变化而变化。本实用新型实施例中，参考层生长在种子层上，电流通入种子层后会使种子层产生自旋流且该自旋流可注入相邻参考层，使得参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入影响而改变并钉扎。无需外部设备辅助即可精确控制参考层的钉扎方向，能够更加便捷的实现参考层的多角度钉扎，设计工艺简单且成本低廉，更具竞争力和市场前景。
一种磁电薄膜结构传感器

[发明专利]用于编码/解码图像的方法、设备以及计算机可读取介质-CN201810447030.5有效
发明人：姜晶媛;李河贤;李镇浩;崔振秀;金镇雄 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H04N19/30 文献下载
摘要：根据本发明，一种支持多层的画面解码方法包括步骤：接收并解析关于整个比特流中两层中的一层是否是该两层中的另一层的参考层的层依赖性信息；在使用层间预测用于解码当前层中的当前画面的情况下，接收并解析规定通过层依赖性信息导出的参考层之中的、当前画面能够参考的画面的层的层信息；和基于层信息来解码当前画面，其中，基于层信息来解码当前画面包括：基于层信息来生成参考画面列表；和通过基于参考画面列表中的参考画面来执行层间预测，生成当前块的预测块。
用于编码解码图像方法设备以及计算机读取介质

[发明专利]层间偏移量的测量方法及测量系统-CN201811645975.4有效
发明人：虞雪;庭玉文;崔永涛 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间偏移的测量方法及测量系统；该层间偏移的测量方法包括：获取电路板纵向截面的金相图片，得到电路板中至少两层铜层的分布图；在金相图片中设置参考线；获取每一层铜层在宽度方向的中线至参考线的最短距离值，记为Li，其中，i＝1、2、3…n，n为铜层的层数；以其中一层铜层为参考层，并以参考层在宽度方向的中线至参考线的最短距离值为参考值，记为H，记其余铜层在宽度方向的中线至参考线的最短距离值Kj，其中j＝1、2、3…m，m＝n‑1，计算其余铜层在宽度方向的中线至参考线的最短距离值与参考值的差值，记为偏移值δj，则δj＝Kj‑H；该层间偏移量的测量方法能够精确测量层间偏移量。
偏移测量方法测量系统

[发明专利]电路板及终端-CN201610105706.3有效
发明人：曾元清 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板，所述电路板包括层叠设置的第一信号线层、第二信号线层、第一参考层及第二参考层，所述第一参考层及所述第二参考层均设置于所述第一信号线层与所述第二信号线层之间，所述第一参考层与所述第一信号线层相邻，所述第二参考层与所述第二信号线层相邻，由所述第一信号线层传输的信号通过所述第一参考层回流至源端，由所述第二信号线层传输的信号通过所述第二参考层回流至源端。
电路板终端

[发明专利]一种电路板及其走线阻抗控制方法-CN201710501753.4有效
发明人：杨洁;王高兵;梅得军;李晓华 -专利权人：上达电子(深圳)股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板走线阻抗控制方法，所述电路板包括走线层和参考层，包括步骤：根据参考层区域的类型和阻抗目标要求，在该类型参考层区域对应的走线层位置，设计相应的走线线宽。本发明还公开了一种电路板，所述电路板包括参考层和走线层，所述参考层包括多种参考层区域，所述走线层上设置有走线，所述走线的线宽根据对应参考层区域的类型和阻抗目标要求设计。本发明涉及印制电路板领域，一种电路板及其走线阻抗控制方法，电路板走线层上走线的线宽根据对应参考层区域的类型和阻抗目标要求设计，使电路板产品的阻抗波形更加平稳，提高电路板制作合格率，从而节约制作成本。
一种电路板及其阻抗控制方法

[发明专利]可扩展视频信号编码/解码方法及装置-CN201480043530.2有效
发明人：李培根;金柱英 -专利权人：株式会社KT
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H04N19/30 文献下载
摘要：根据本发明的可扩展视频信号解码方法对与当前层的当前图片对应的参考层的相应图片进行解码；通过对所解码的相应图片进行上采样来生成层间参考图片；生成包括临时参考图片和层间参考图片的参考图片列表；以及基于所生成的参考图片列表来对当前图片进行帧间预测
扩展视频信号编码解码方法装置

[实用新型]显示基板和显示装置-CN201922312490.X有效
发明人：王丽;刘利宾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示基板包括第一参考电压线、第二参考电压线、第一参考电压辅助线，第一参考电压线、第二参考电压线、第一参考电压辅助线分别设置在第二布线层、第三布线层、第四布线层中的一层内，第一参考电压线与第一参考电压辅助线通过贯穿二者之间的绝缘层的过孔电连接，第一参考电压线与第一参考电压辅助线的延伸方向不同，第二参考电压线与第一参考电压辅助线的延伸方向相同，第一参考电压线沿行方向延伸或者沿列方向延伸,第二参考电压线沿行方向延伸或者沿列方向延伸。既能提高第一参考电压线所提供的电压的一致性，又能提高开口率。
显示显示装置

[发明专利]支持多个层的图像编码和解码方法以及使用该方法的装置-CN201480043602.3有效
发明人：李培根;金柱英 -专利权人：株式会社KT
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H04N19/105 文献下载
摘要：一种根据本发明的支持多个层的图像解码方法可以包括以下步骤：接收与当前图片能够参考的一个或更多个参考层的层间参考图片集被添加至参考图片列表中的位置有关的位置信息；基于该位置信息来生成包括层间参考图片集的初始参考图片列表；以及基于初始参考图片列表来预测当前图片。因此，本发明提供了一种用于用信号传递与层间参考图片被添加至参考图片列表中的位置有关的位置信息的方法以及使用该方法的装置。
支持多个层图像编码解码方法以及使用装置

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201210097760.X有效
发明人：西山胜哉;相川尚德;甲斐正;永濑俊彦;上田公二;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]基于双向预测的编码方法、解码方法和装置-CN201310003666.8有效
发明人：杨海涛;张金雷;李斌;李厚强 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学技术大学
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H04N19/51 文献下载
摘要：该解码方法包括根据增强层当前图像的至少一个增强层参考图像以及至少一个增强层参考图像对应的基本层图像生成至少一个残差图像，并将上述至少一个残差图像作为至少一个第一参考图像加入到该增强层当前图像的第一参考图像列表中；根据该增强层当前图像对应的基本层图像生成第二参考图像，并将第二参考图像加入到该增强层当前图像的第二参考图像列表中；基于第一参考图像列表和第二参考图像列表，采用双向预测方法对该增强层当前图像的图像块进行编码
基于双向预测编码方法解码装置

[发明专利]PCB走线跨参考层分割自动检查及调整方法-CN201710266508.X在审
发明人：吴艳;卞一名;翟西斌 -专利权人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种PCB走线跨参考层分割自动检查及调整方法，属于EDA技术领域，本发明是对参考层与PCB走线进行属性设置，然后对PCB走线进行逐步检查，若在PCB走线中检测到跨参考层分割时为1，反之为0.当检测值为0时，说明走线未跨参考层分割，则此时不再继续执行命令，为done。当检测值为1时，说明此处走线跨参考层分割，此时继续执行命令，为on。高亮要跨参考层分割的走线，并进行自动的微调，直至此层走线中无走线跨参考层分割现象。
pcb 走线跨参考分割自动检查调整方法

[发明专利]可伸缩解码方法/设备、可伸缩编码方法/设备和介质-CN201810093971.3有效
发明人：李河贤;姜晶媛;崔振秀;金镇雄;沁东圭;崔孝敏;南廷学 -专利权人：韩国电子通信研究院;光云大学校产学协力团
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H04N19/53 文献下载
摘要：本发明涉及一种可伸缩解码方法，包含：基于标记信息确定是否可应用层间预测用于解码增强层，该标记信息被信令传输用于要解码的增强层，并且指示层间预测是否可应用用于解码增强层；若确定可应用，从参考层的解码后画面生成归纳参考画面；若确定可应用，构造增强层的当前块的参考画面列表，该参考画面列表包括该归纳参考画面；基于该参考画面列表，对增强层的当前块执行帧间预测以生成预测块；生成该当前块的残差块；通过使用该预测块和该残差块重构该当前块，所述生成该残差块的步骤包含熵解码比特流以生成量化变换系数，以及其中如果确定不可应用，跳过生成归纳参考画面的步骤，并且构造的参考画面列表不包括参考层的解码后画面或归纳参考画面。
伸缩解码方法设备编码介质

[发明专利]磁头-CN200780023085.3无效
发明人：近藤玲子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：磁头具有：衬底，具有空气轴承面；自由层，在衬底上方与空气轴承面垂直地配置，在该垂直方向上划定元件高度，由铁磁层形成，根据外部磁场能够使磁化方向旋转；参考层，与自由层平行地配置，由铁磁层形成；第一中间层，在自由层和参考层之间配置，使两层磁性分离；固定层，与参考层平行地配置在与自由层相反一侧，由铁磁层形成，在元件高度方向上的长度比参考层更长；第二中间层，在参考层和固定层之间配置，与参考层、固定层一起构成层压铁氧体结构；反铁磁层，层叠在固定层上，用于固定固定层的磁化方向；而且由自由层、参考层、固定层构成自旋阀磁致电阻效应元件。
磁头

[发明专利]磁传感器-CN201910977680.5在审
发明人：高野研一;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁传感器(1)，其具有根据外部磁场改变磁化方向的自由层(26)；参考层(24)，其磁化方向相对于外部磁场固定；位于自由层(26)和参考层(24)之间且具有磁阻效应的间隔层(25)；钉扎层(22)，其与间隔层(25)一起夹住参考层(24)，并与参考层(24)反铁磁性耦合。满足关系‑2.5≤λP/λR≤0.5(不包括0)，其中λR是参考层的磁致伸缩系数，λP是钉扎层的磁致伸缩系数。
传感器