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[发明专利]一种植入物和一种植入物表面的处理方法-CN03817266.6有效
发明人： I·彼得松;K·尤莫－博斯特伦;G·约翰松－鲁登;F·安德松;S·汉松 -专利权人：艾斯特勒科技公司
申请日： 2003-05-06 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种对欲用于植入骨组织的植入物表面进行处理的方法，其中提供包含孔径≤1μm，孔深≤500nm和孔深一半处的峰宽为孔径的15－150％的孔和峰的微粗糙度。
一种植入表面处理方法

[发明专利]照明装置-CN201110392844.1有效
发明人：斋藤孝;槻谷绫子;野口公喜;户田直宏;山口萨亚卡 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：具备发光部(11)，该发光部(11)的峰值波长存在于470nm～505nm之间，相对于该峰值的半峰半宽(B)为20nm～40nm。
照明装置

[发明专利]有机电致发光元件和电子设备-CN202210649489.X在审
发明人：田崎聪美;西村和树;中野裕基 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：提供含有荧光谱的半峰宽窄的掺杂剂材料且显示优异寿命的有机电致发光元件和电子设备。一种有机电致发光元件，其含有阴极、阳极和存在于该阴极与该阳极之间的有机层，该有机层含有荧光发光层，该荧光发光层含有第一化合物、具有大于该第一化合物的空穴迁移率的第二化合物和荧光谱的半峰宽为30nm以下的掺杂剂材料；以及一种有机电致发光元件，其含有阴极、阳极和存在于该阴极与该阳极之间的有机层，该有机层包含荧光发光层，该荧光发光层含有第一化合物、具有大于该第一化合物的亲和势的第三化合物和荧光谱的半峰宽为30nm以下的掺杂剂材料
有机电致发光元件电子设备

[发明专利]正极活性材料、正极极片及钠离子电池-CN202211178783.3在审
发明人：刘倩;林文光;梁成都;郭永胜 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：0.32，0l≤0.68，0≤m0.1，h+k+l+m＝1，0≤y0.2；正极活性材料的水含量为6000ppm以下；正极活性材料具有六方层状晶体结构；正极活性材料在X射线衍射下包含(003)晶面的特征衍射峰和(104)晶面的特征衍射峰，且(003)晶面的特征衍射峰的半峰宽为0.01°～0.5°，(104)晶面的特征衍射峰的半峰宽为0.01°～0.5°。
正极活性材料钠离子电池

[发明专利]硫化物固体电解质-CN201880033384.3有效
发明人：寺井恒太;佐藤淳;宇都野太 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化物固体电解质，包含锂、磷以及硫，在使用CuKα射线的粉末X射线衍射中，在2θ＝25.2±0.5deg具有衍射峰A，在2θ＝29.7±0.5deg具有衍射峰B，在固体31P‑NMR测量中，将在60～120ppm的范围内观测到的峰进行峰分离而得的峰的至少一个峰的半宽值为500～800Hz。
硫化物固体电解质

[发明专利]测量半极性面Ⅲ族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用-CN202010787500.X有效
发明人：孙茂松;张纪才;孙文红 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量半极性面III族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用。所述的方法包括：采用X射线衍射仪测量生长在异质衬底的半极性面III族氮化物薄膜，从而获得所述薄膜面内摇摆曲线半高宽极大值与薄膜的(10‑10)晶面、(20‑20)晶面、(30‑30)晶面的摇摆曲线半高宽与峰位值；计算获得其a型位错的半高宽展宽、其半极性面的层错间距LLcL对半高宽的加宽；计算获得其c型位错的半高宽展宽；以及，依据修正的位错密度计算公式得出a型、c型位错密度，获得所述薄膜半极性面缺陷密度。本发明提供的方法能够方便、快捷地获得半极性面III族氮化物薄膜的位错密度，利于进行半极性面III族氮化物薄膜生长技术的快速反馈调控，同时其具有廉价、无损等优点。
测量极性氮化物薄膜缺陷密度方法及其应用

[发明专利]一种液化气船的总段搭载方法-CN202310445087.2在审
发明人：石惟;蒲鹏飞;李露露;付齐;王欣荣 -专利权人：江南造船（集团）有限责任公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B63B73/10 文献下载
摘要：本发明提供一种液化气船的总段搭载方法，包括：将船舶划分为艉部总段、机舱总段、货舱区域总段、艏部总段，烟囱总段、上建总段以及压缩机房总段；机舱总段包括机舱下总段、机舱上总段和可拆板分段；货舱区域总段包括U型货舱区域总段、多个液罐和全宽甲板区域总段；U型货舱区域总段包括从艉到艏的1号U型货舱总段、……、n号U型货舱总段；全宽甲板区域总段包括从艉到艏的1号全宽甲板总段、……、m号全宽甲板总段；艏部总段包括上下分布的艏部上总段和艏部下总段；以1号U型货舱总段为基准，获得舾涂完整的艉半船；在舾涂完整的艉半船上吊装剩余总段，获得成型的液化气船；通过采用总段入坞搭建方式，降低船坞建造周期。
一种液化气搭载方法

[发明专利]研磨液组合物-CN200780047959.9有效
发明人：代田真美;米田康洋 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。
研磨组合

[发明专利]蓄电元件用正极活性物质、蓄电元件用正极、蓄电元件和蓄电装置-CN202180075163.4在审
发明人：远藤大辅;大谷真也;星野哲志 -专利权人：株式会社杰士汤浅国际
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明的一个方面涉及的蓄电元件用正极活性物质为其表面的至少一部分被碳被覆，在通过使用CuKα射线的粉末X射线衍射法观察到的相当于(131)面的峰中，充电状态的峰相对于放电状态的峰的半峰宽比率为0.85～
元件正极活性物质装置

[发明专利]非水电解质二次电池用活性物质、该活性物质的制造方法、非水电解质二次电池用电极和非水电解质二次电池-CN201610161809.1在审
发明人：远藤大辅 -专利权人：株式会社杰士汤浅国际
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：为包含Mn、Ni和Co的过渡金属元素且0＜α＜1)表示且1.250≤(1+α)/(1‑α)≤1.425，所述非水电解质二次电池用活性物质在使用了CuKα球管的X射线衍射测定中，2θ＝18.6°±1°的衍射峰的半峰宽为0.20°～0.27°和/或2θ＝44.1°±1°的衍射峰的半峰宽为0.26°～0.39°，进行电化学氧化至电位5.0V(vs.Li/Li⁺)时，在X射线衍射图上作为归属于六方晶(
水电二次电池活性物质制造方法用电

[发明专利]低钴正极活性材料、其制备方法、电化学装置和电子设备-CN202210602204.7在审
发明人：莫方杰;朱呈岭;杨元婴;闫永思;李昊;杨文龙;孙化雨 -专利权人：远景动力技术（江苏）有限公司;远景睿泰动力技术（上海）有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：电化学装置和电子设备，所述低钴正极活性材料包括低钴正极活性材料内核和包覆在其表面的包覆层，低钴正极活性材料内核中包括钛元素和铝元素，包覆层中包括钛化合物和铝化合物；低钴正极活性材料的XRD谱图满足：(003)晶面衍射峰的位置为18.40°至18.60°，衍射峰的半高宽为0.140°至0.160°，晶粒尺寸为(104)晶面衍射峰的位置为44.28°至44.32°，衍射峰的半高宽为0.150°至0.190°。
正极活性材料制备方法电化学装置电子设备

[发明专利]锂二次电池用正极活性物质、其制造方法、锂二次电池用电极及锂二次电池-CN201310147636.4有效
发明人：远藤大辅;村上元信;村松弘将 -专利权人：株式会社杰士汤浅国际
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：所示的锂过渡金属复合氧化物的锂二次电池用正极活性物质，上述锂过渡金属复合氧化物中，上述Me中的Co的摩尔比Co/Me为0.24～0.36，在基于X射线衍射图案使用空间群R3‑m作为晶体结构模型时，归属于(003)面的衍射峰的半峰宽为0.204°～0.303°的范围，或者归属于(104)面的衍射峰的半峰宽为0.278°～0.424°的范围。
二次电池正极活性物质制造方法用电

[发明专利]一种基于图像处理的胶体金检测方法及系统-CN201710037576.9有效
发明人：蔡庆国;黄赋山;郑朝雄;孙红旗;江秋菊;樊晓星;杨彬;杨德辉 -专利权人：厦门海荭兴仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01N33/558 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图像处理的胶体金检测方法及系统，其通过对胶体金检测卡的检测图像的待识别区域进行灰度处理和计算灰度积分曲线，查找所述灰度积分曲线的所有波谷点，并计算各个波谷点的半峰宽、峰中心点、有效积分面积；根据最大波谷点的半峰宽进行判断所述胶体金检测卡的有效性，并根据所述最大波谷点的峰中心点的位置进行判断和查找C线位置和T线位置，从而实现胶体金检测卡的定性分析，对获取的图像限定条件少，C线、T线的定位识别分析准确
一种基于图像处理胶体检测方法系统

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法-CN201410136007.6无效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。
一种基于能级瞬态技术双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

[发明专利]掺钕钒酸镧激光晶体及其制备方法-CN03145668.5无效
发明人：张莉珍;王国富;林州斌;胡祖树 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：光谱计算表明在808nm处有一强的吸收峰，吸收系数为9.64cm^－1，半峰宽为20nm，吸收截面为2.32×10^－20cm²，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；另外，在其波长1060nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为6.13×10^－20cm²，半峰宽14nm。
掺钕钒酸镧激光晶体及其制备方法