“半峰全宽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果762005个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]掺钕硼酸二镧钡激光晶体及其制备方法和用途-CN03145669.3无效
发明人：王国富;潘尚可;林洲斌;胡祖树;张莉珍 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：光谱表明，该晶体806nm处有一强的吸收峰，半峰宽13nm，吸收截面2.29×10^－20cm²，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；其在波长1063nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为7.96×10^－20cm²，半峰宽28nm，易于产生波长为1063nm的激光输出，并有望获得实际应用。
硼酸二镧钡激光晶体及其制备方法用途

[发明专利]像素单元、显示面板及其亮度补偿方法和显示装置-CN202010120284.3有效
发明人：李田田;刘孟宇;周小康;刘俊哲 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素单元，包括至少三种不同发光颜色的像素；至少一种发光颜色的像素包括具有不同发光材料的第一类型子像素和第二类型子像素；同种颜色像素的所述第一类型子像素发射的光的半峰全宽大于所述第二类型子像素发射的光的半峰全宽
像素单元显示面板及其亮度补偿方法显示装置

[发明专利]锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极活性物质的制造方法、锂离子二次电池-CN202080015640.3有效
发明人：金田治辉;中村拓真 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：0.0003≤d≤0.02，0.01≤e≤0.50，添加元素M为从Co、W、Mo、V、Mg、Ca、Al、Ti、及Ta中选出的1种以上的元素)，其中，锂复合氧化物的根据X射线衍射图谱所算出的(003)面的峰的半峰全宽为
锂离子二次电池正极活性物质制造方法

[发明专利]一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统-CN202111629595.3在审
发明人：刘德峰;李欣;杨羽;张守超;高云端;黄漫国 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01K11/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统，包括：对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体；对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体；基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数；获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线；获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱
一种基于碳化硅散射高峰温度测量方法系统

[发明专利]一种纯无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料及生长方法-CN202010181827.2在审
发明人：丁建旭;井琳;姚青;张杰;王开宇;袁野;孙海清 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：该单晶为二维晶体结构；发光峰半峰宽窄，发光峰位417nm，半高宽小于18nm，单晶尺寸大。
一种无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料生长方法

[发明专利]固体电解电容器元件和固体电解电容器-CN202180070976.4在审
发明人：吉井孝拓;廣田兄;小泽博美 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01G9/028 文献下载
摘要：通过使用如下的固体电解电容器元件，从而提供耐热性优异的固体电解电容器，该固体电解电容器元件中，在上述固体电解质层的拉曼光谱中，在用洛伦兹函数对归属于来自上述共轭系高分子的CC伸缩振动的第1峰进行拟合时，上述第1峰的半峰全宽为35cm‑1以上且80cm‑1以下。
固体电解电容器元件

[发明专利]用于外延生长的基材、其制造方法、及用于超导线材的基材-CN201380050056.1有效
发明人：神代贵史;冈山浩直;黑川哲平;南部光司 -专利权人：东洋钢钣株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层，该基材的特征在于，基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小，并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。
用于外延生长基材制造方法超导线材

[发明专利]基于平顶照明的高时空分辨多路复用宽场拉曼成像系统及方法-CN202310579464.1在审
发明人：任斌;周雨生;刘川 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：基于平顶照明的高时空分辨多路复用宽场拉曼成像系统及方法，包括光源模块、激光调制模块、共聚焦激发模块、基于平顶照明的宽场激发模块、光谱模块、宽场成像模块、光谱与图像控制模块。利用共聚焦激发模式获得高信噪比的拉曼光谱确定拉曼光谱特征峰；利用基于平顶照明的宽场激发模式能够以大视场、均匀强度激发样品，同时以高时空分辨率实现单个拉曼特征峰的快速检测或动态变化过程的监测，还能采集全光谱范围的宽场高光谱图像通过多路复用宽场成像方式实现完全时空同步的多特征峰动态变化监测与比较。有利于实现对存在样品空间分布异质性、强度波动或动态变化等体系的准确定量或定性分析，在生物医学、物理化学等领域具有广泛的应用前景。
基于平顶照明时空分辨多路复用宽场拉曼成像系统方法

[发明专利]基于傅里叶变换磁共振成像叠加式峰形的磁共振成像方法-CN201710910214.6有效
发明人：陈舒平 -专利权人：福建加谱新科科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01R33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于傅里叶变换磁共振成像叠加式峰形的磁共振成像方法，对核磁共振成像装置中的k空间信号进行傅里叶变换处理，获取傅里叶变换吸收峰形、傅里叶变换发散峰形以及傅里叶变换幅度峰形，并分别经离散化处理；通过一叠加函数，对所获取的峰形进行峰形叠加处理，分别获取傅里叶变换叠加吸收峰形、傅里叶变换叠加发散峰形、傅里叶变换叠加幅度峰形以及离散化处理后的信号；进行磁共振成像。本发明所提出的种基于傅里叶变换磁共振成像叠加式峰形的磁共振成像方法，将傅里叶变换后的峰宽缩窄一半，峰值信号增加一倍。用同等采样时间获取磁场增大一倍的效果，在同台仪器上，可缩短一半的采样时间，获取同等像素成像效果。
基于傅里叶变换磁共振成像叠加式峰形方法

[发明专利]无镉量子点及其制备方法-CN201910635027.0在审
发明人：刘雅俊;刘玉婧;林佳丽;韩璐 -专利权人：天津卓达科技发展有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：所述壳层包括包覆在所述核层上的内壳层及包覆在所述内壳层上的外壳层，所述内壳层的材料为ZnSeS，所述外壳层的材料为ZnS；所述无镉量子点的粒径大小为6nm～12nm，所述核层的半径为1.2nm～4.5nm，所述无镉量子点的荧光发射峰的波长范围在510nm～650nm，半峰宽为35nm～40nm，发光效率为70％～85％。本发明的无镉量子点的半峰宽较窄且发光效率较高。
量子点无镉核层内壳层发光效率半峰宽外壳层包覆壳层荧光发射峰组成元素磷元素铟元素波长粒径制备

[发明专利]碳化硅基板-CN201880090463.8有效
发明人：冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm
碳化硅

[发明专利]一种固态照明LED用多氟化物红光材料及其制备方法和应用-CN202110453772.0有效
发明人：周强;普海琦;谢晓玲;万婧;屈睿;汪正良 -专利权人：云南民族大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：base:Sup>4+离子相对于In3+离子所占的摩尔百分比系数，且0x≤0.05，本发明制备得到的红光材料在400‑520nm范围内具有半峰宽为55‑60nm的蓝光激发带，在628‑633nm范围内具有半峰宽不超过5nm的窄带红光发射峰。
一种固态照明 led 氟化物红光材料及其制备方法应用

[发明专利]制备阿托伐他汀半钙的晶形的方法-CN200780007197.X无效
发明人： M·平查索夫 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2007-03-01 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C07D207/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备结晶阿托伐他汀半钙的方法，所述结晶阿托伐他汀半钙的特征在于其粉末X-射线衍射图在2θ为18.5-21.8和21.8-25.0±0.2度的范围内具有宽峰。
制备阿托伐汀半钙晶形方法

[发明专利]量子点及其制造方法、使用量子点的波长转换构件、照明构件、背光装置以及显示装置-CN202110710825.2在审
发明人：小椋佑子;高三潴由香;饭田和则;堤绘美;田中雅典;荷方惣一朗 -专利权人： NS材料株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种无Cd且荧光半峰宽窄，发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(1)的特征在于不包含镉，荧光半峰宽为25nm以下。在本发明中，量子点优选为含有锌和硒，或锌、硒和硫的纳米晶体。
量子及其制造方法使用波长转换构件照明背光装置以及显示装置

[发明专利]量子点及其制造方法、使用量子点的波长转换构件、照明构件、背光装置以及显示装置-CN201880065902.X有效
发明人：小椋佑子;高三潴由香;饭田和则;堤绘美;田中雅典;荷方惣一朗 -专利权人： NS材料株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种无Cd且荧光半峰宽窄，发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(1)的特征在于不包含镉，荧光半峰宽为25nm以下。在本发明中，量子点优选为含有锌和硒，或锌、硒和硫的纳米晶体。
量子及其制造方法使用波长转换构件照明背光装置以及显示装置