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[发明专利]光发送设备-CN201880094936.1有效
发明人：大和屋武 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的光发送设备(60)具备：半导体激光器芯片(61)，其形成有具有在第一半导体基板(1)形成的多个分布反馈式半导体激光器(31)的半导体激光器阵列(30)；和半导体波导路芯片(62)，其形成有在第二半导体基板(21)形成并且具有与半导体激光器(31)相同数量的半导体调制器(41)的半导体调制器阵列(40)。光发送设备(60)将波导路(12)与波导路(13)对接来连接，使得半导体激光器阵列(30)的各个半导体激光器(31)中的半导体调制器阵列侧的波导路(12)的端面、与半导体调制器阵列(40)的各个半导体调制器(41)中的半导体激光器阵列侧的波导路(13)的端面的距离为10μm以内。
发送设备

[发明专利]堆叠半导体芯片-CN200810211547.0有效
发明人：克劳斯·普雷塞尔;戈特弗里德·比尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠半导体芯片。一个实施例提供了第一半导体芯片的阵列，利用模制材料覆盖第一半导体芯片的阵列，以及在第一半导体芯片的阵列上设置第二半导体芯片的阵列。减小第二半导体芯片的厚度。通过分离模制材料使第一半导体芯片的阵列独立。
堆叠半导体芯片

[发明专利]基于半导体激光器阵列的投影照明光路-CN201110295517.4无效
发明人：张运方;方青;段靖远;董辉;施安存;刘育梁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G02B27/48 文献下载
摘要：一种基于半导体激光器阵列的投影照明光路，包括：一半导体绿光激光器阵列模组、一半导体红光激光器阵列模组和一半导体蓝光激光器阵列模组；一合光模组；其中该半导体绿光激光器阵列模组、半导体红光激光器阵列模组以及半导体蓝光激光器阵列模组通过光路与合光模组连接，该半导体绿光激光器阵列模组、半导体红光激光器阵列模组以及半导体蓝光激光器阵列模组向合光模组提供光；一相位整形器件，位于合光模组的输出光路上，该相位整形器件一方面用于对合光模组混合的光进行整形，另一方面在起到进一步抑制散斑的作用
基于半导体激光器阵列投影明光

[发明专利]用于批量移转微半导体结构的方法-CN201810803304.X在审
发明人：陈显德 -专利权人：优显科技股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种用于批量移转微半导体结构的方法，包括下列步骤：于一半导体器件上贴附一黏着材；其中，该半导体器件包括一原生基板、以及由该原生基板成长的阵列式微半导体结构，该阵列式微半导体结构是定义多个微半导体结构以阵列排列所构成；自该原生基板选择性地剥离该阵列式微半导体结构的一部分，使被批量选择的阵列式微半导体结构于该原生基板离开后仍留置于该黏着材；以及提供一黏贴装置，将该批量的阵列式微半导体结构，移转至一目标基板。
半导体结构原生基板微半导体移转半导体器件黏着材目标基板阵列排列黏贴装置贴附剥离

[发明专利]半导体激光装置-CN201680001891.X有效
发明人：黑部立郎;铃木理仁;清田和明 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：半导体激光装置具备半导体光集成元件，该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片，从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光，该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成，具有：输入侧平板波导，其与所述多个半导体激光元件连接；阵列波导，其与所述输入侧平板波导连接，由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成；和输出侧平板波导，其与所述阵列波导连接，所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成
半导体激光装置

[发明专利]用以处理半导体装置阵列的方法-CN201910427527.5有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以处理半导体装置阵列的方法，该方法包含：将半导体装置阵列设置于接收基板上，其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分；以及修理半导体装置阵列内的故障部分，其中修理半导体装置阵列内的故障部分包含下面两者的至少一个：当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺，以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。
用以处理半导体装置阵列方法

[发明专利]一种大功率半导体激光光束复合装置-CN200910076298.3无效
发明人：王智勇;许春晓;曹银花;刘友强 -专利权人：嘉兴大合激光设备有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率半导体激光系统中的多光束复合装置，该装置采用空间复合的方法将八组半导体激光阵列发出的四种波长的光束合成一束。属于激光技术领域。本装置将第一半导体激光阵列、第二半导体激光阵列、第三半导体激光阵列、第四半导体激光阵列、第五半导体激光阵列、第六半导体激光阵列、第七半导体激光阵列及第八半导体激光阵列发出的八束四种波长的光首先利用偏振合束器进行偏振耦合
一种大功率半导体激光光束复合装置

[实用新型]一种大功率半导体激光光束复合装置-CN200920104954.1无效
发明人：王智勇;许春晓;曹银花;刘友强 -专利权人：嘉兴大合激光设备有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率半导体激光系统中的多光束复合装置，该装置采用空间复合的方法将八组半导体激光阵列发出的四种波长的光束合成一束。属于激光技术领域。本装置将第一半导体激光阵列、第二半导体激光阵列、第三半导体激光阵列、第四半导体激光阵列、第五半导体激光阵列、第六半导体激光阵列、第七半导体激光阵列及第八半导体激光阵列发出的八束四种波长的光首先利用偏振合束器进行偏振耦合
一种大功率半导体激光光束复合装置

[发明专利]一种有源矩阵显示器件的制造方法-CN201911097306.2有效
发明人：潘小和 -专利权人：潘小和
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种有源矩阵显示器件的制造方法，通过在衬底上设置有源矩阵显示控制模块和阳极电极阵列；在晶圆基底上外延生长半导体发光外延层；根据阳极电极阵列的尺寸以及间距对半导体发光外延层进行刻蚀以形成半导体发光器件阵列；将晶圆基底具有半导体发光器件阵列的一面与有源矩阵显示控制模块具有阳极电极的一面对准后进行键合；剥离晶圆基底，将半导体发光器件阵列保留在有源矩阵显示控制模块的阳极电极阵列上；填充半导体发光器件阵列之间的沟隙；在半导体发光器件阵列表面设置阴极电极层。通过具有至少三种基色的半导体发光器件阵列先后依次进行键合或通过在半导体发光器件阵列设置光致激发薄膜像素阵列得到有源矩阵彩色显示器件。
一种有源矩阵显示器件制造方法

[发明专利]封装具有盖帽部件的半导体管芯的方法-CN201110065715.1无效
发明人：骆军华;白志刚;许南;姚晋钟 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装具有盖帽部件的半导体管芯的方法，包括将半导体管芯阵列放置在管芯支撑物上。提供盖帽阵列结构，盖帽阵列结构包括以盖帽阵列结构支撑的盖帽的相应阵列。在模套内在管芯支撑物上对齐盖帽阵列结构和半导体管芯阵列，盖帽在相应的半导体管芯之上延伸。在模套内以模塑化合物封装半导体管芯阵列和盖帽阵列。从模套中取出并且切单具有相应盖帽的半导体管芯的封装单元。切单封装单元可以包括从封装单元去除盖帽阵列结构。
封装具有盖帽部件半导体管芯方法

[发明专利]半导体连续阵列层-CN201780032011.X有效
发明人：朱振甫 -专利权人：朱振甫
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：一种半导体连续阵列层，包含：复数个半导体单元所组成的一阵列；以及每一个半导体单元的一侧壁被一固化材料或一半固化材料所包围并连接在一起以形成一半导体连续阵列；其中，复数个空隙或气隙被该半固化材料或该固化材料包围在该半导体连续阵列内，或在该半导体连续阵列的边缘周围。
半导体连续阵列

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN201980044914.9在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片LED阵列前体，包括：共享第一半导体层的多个LED结构，其中，第一半导体层限定LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)第一半导体层上的第二半导体层，该第二半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第二半导体层具有倾斜侧面；(ii)第二半导体层上的第三半导体层，该第三半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第三半导体层具有与第二半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；(iii)第三半导体层上的第四半导体层，该第四半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第四半导体层具有与第三半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；以及(iv)第四半导体层上的主电触点，其中，触点仅在第四半导体层的与LED阵列前体的平面平行的上表面部分上，其中，第三半导体层包括多个量子阱子层，该量子阱子层的与LED阵列前体的平面平行的部分具有更大的厚度，与LED阵列前体的平面不平行的部分具有减小的厚度。
单片 led 阵列及其

[发明专利]异质结压电式纳米发电机及其制造方法-CN201110253998.2有效
发明人：邵铮铮;张学骜;王飞;王广;贾红辉;常胜利;秦石乔 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：异质结压电式纳米发电机及其制造方法，该异质结压电式纳米发电机包括半导体纳米棒阵列、半导体纳米凹槽阵列、导电衬底、封装层和引线，所述半导体纳米棒阵列垂直设于作为发电机下电极的导电衬底上，半导体纳米凹槽阵列与半导体纳米棒阵列形成嵌套结构，半导体纳米凹槽阵列为发电机的上电极，发电机上下电极分别由不同的引线接出；半导体纳米凹槽阵列和半导体纳米棒阵列外周设有封装层。
异质结压电纳米发电机及其制造方法

[发明专利]一种半导体材料臂阵列界面层的批量制备方法-CN202210107212.4在审
发明人：史迅;顾明;仇鹏飞;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料臂阵列界面层的批量制备方法，包括：（1）通过挤压法制备半导体材料臂阵列；（2）选用有机粘结剂作为镶嵌料浇注在半导体材料臂阵列中实现有机粘结剂的整体镶嵌，待镶嵌料固化后，通过物理处理或/和化学处理实现半导体材料臂阵列的端面的平整化，得到含有镶嵌料的半导体材料臂阵列；（3）在含有镶嵌料的半导体材料臂阵列表面沉积界面层后，去除镶嵌料和附着在镶嵌料表面上的界面层，从而实现半导体材料臂阵列界面层的批量制备
一种半导体材料阵列界面批量制备方法

[发明专利]叠式半导体激光器阵列与光纤阵列间的耦合方法-CN03118678.5无效
发明人：樊承钧;向清 -专利权人：樊承钧;向清
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种叠式半导体激光器阵列与光纤阵列间的耦合方法，其半导体激光器阵列由多个一维半导体激光器阵列叠合而成二维阵列，用柱透镜和柱透镜阵列对从多个一维半导体激光器阵列所发出的光束进行准直，然后将多个准直后的光束合束，合束后的光束再由透镜阵列聚焦耦合进多模光纤阵列。多个一维半导体激光器阵列有着相同数量的发光单元，各自的对应发光单元在慢轴方向基本平行对齐，多模光纤阵列与一维半导体激光器阵列有着同样数量的多模接收光纤，多模光纤阵列的周期P′与一维半导体激光器阵列的周期
半导体激光器阵列光纤耦合方法

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