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[发明专利]半导体处理工具-CN202210201303.4在审
发明人：刘勇村;郑光伟;杨胜钧;李志聪;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种半导体处理工具的吸盘真空管线包含：第一部分，其穿过所述半导体处理工具的主泵管线的侧壁。所述吸盘真空管线包含：第二部分，其实质上平行于所述主泵管线的所述侧壁和所述主泵管线中的流动方向。
半导体处理工具

[发明专利]用于工具上半导体仿真的系统和方法-CN200480028518.0有效
发明人：安德杰·S·米托维克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G06F9/45 文献下载
摘要：一种用于辅助半导体处理工具(102)所执行的处理的方法、系统和计算机可读介质。该方法包括输入与半导体处理工具(102)所执行的处理有关的数据(104)，以及输入与半导体处理工具(102)有关的第一原理物理模型(106)。使用输入数据(104)和物理模型(106)来执行第一原理仿真(108)，以提供与半导体处理工具所执行的处理有关的虚拟传感器测量，并且虚拟传感器测量被用来辅助半导体处理工具(102)所执行的处理，并且仿真结果被用作为表征半导体处理工具(102)所执行的处理的数据集合的一部分。
用于工具上半导体仿真系统方法

[发明专利]钴表面上的钨沉积-CN202110630759.8在审
发明人：洪奇成;吴佩雯;王喻生;张佩珊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施方式中，一个或多个半导体处理工具可以将钴材料沉积在半导体器件的腔内。一个或多个半导体处理工具可以抛光钴材料的上表面。一个或多个半导体处理工具可以对半导体器件执行氢浸泡。一个或多个半导体处理工具可以将钨材料沉积在钴材料的上表面上。
表面上沉积

[发明专利]用于工具上半导体仿真的系统和方法-CN200480028517.6无效
发明人：埃里克·J·施特朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G06F9/45 文献下载
摘要：一种用于控制半导体处理工具所执行的处理的方法、系统和计算机可读介质，包括输入与半导体处理工具所执行的处理有关的数据，以及输入与半导体处理工具有关的第一原理物理模型。第一原理仿真然后使用输入数据和物理模型被执行，以提供第一原理仿真结果，并且第一原理仿真结果被用来控制半导体处理工具所执行的处理。
用于工具上半导体仿真系统方法

[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法-CN202110303986.X在审
发明人：沈宇骏;任啟中;洪雅琪;林玉珠;江文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及形成半导体装置的方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理工具可沉积第一介电层于半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积浮动栅极于第一介电层上。一或多个半导体处理工具可沉积第二介电层于浮动栅极上与半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积第一控制栅极于第二介电层的一第一部分上。一或多个半导体处理工具可沉积第二控制栅极于第二介电层的一第二部分上，其中第二介电层的第三部分位于第一控制栅极与浮动栅极之间以及位于第二控制栅极与浮动栅极之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]使用第一原理仿真分析半导体处理工具执行的处理的系统和方法-CN200480028479.4有效
发明人：埃里克·J·施特朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种用于分析半导体处理工具所执行的处理的方法、系统和计算机可读介质。该方法包括输入与半导体处理工具所执行的处理有关的数据，以及输入与半导体处理工具有关的第一原理物理模型。使用输入的数据和物理模型来执行第一原理仿真，以提供第一原理仿真结果；第一原理仿真结果被用来确定半导体处理工具所执行的处理中的故障。
使用第一原理仿真分析半导体处理工具执行系统方法

[发明专利]用基本原理仿真辅助半导体制造过程的系统和方法-CN200480014930.7有效
发明人：安德杰·S·米托维克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于辅助半导体处理工具所执行的处理的方法、系统和计算机可读介质。所述方法包括输入与半导体处理工具所执行的处理有关的数据以及输入与半导体处理工具有关的基本原理物理模型。然后使用输入数据和物理模型来执行基本原理仿真以提供基本原理仿真结果，并使用基本原理仿真结果来辅助半导体处理工具所执行的处理。
基本原理仿真辅助半导体制造过程系统方法

[发明专利]用于建立虚拟拴系的方法、装置及系统-CN201510673399.4有效
发明人：克里斯·托尔格里姆松;查德·威特曼;保罗·巴林蒂内;文森特·王;黄忠河;陈树华 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H04W12/02 文献下载
摘要：一种用于建立移动设备与半导体处理工具之间的虚拟拴系的方法，该方法包括：通过移动设备而获得与半导体处理工具相关联的唯一密钥；基于由移动设备获得的唯一密钥而建立移动设备与半导体处理工具之间的唯一配对；响应于成功地建立唯一配对，认证移动设备的用户，以便访问半导体处理工具；响应于成功地认证用户，在半导体处理工具上执行资源仲裁，资源仲裁包括基于授予用户的访问级别而保留与半导体处理工具相关联的一个或更多个资源；在一段时间内对移动设备的活动水平进行监测
用于建立虚拟方法装置系统

[发明专利]提供沟槽隔离的方法以及半导体器件-CN202011465464.1在审
发明人：陈重磊;陈钲欣;丁中捷;林哲毅;李承宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一个或多个半导体处理工具可在硅晶片内形成深沟槽。所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽内沉积第一绝缘材料。在硅晶片内形成深沟槽之后，所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽上方形成浅沟槽。所述一个或多个半导体处理工具可在浅沟槽内沉积第二绝缘材料。更提供一种具有深沟槽以及浅沟槽的半导体器件。
提供沟槽隔离方法以及半导体器件

[发明专利]用于监视工具性能的方法和设备-CN03812061.5无效
发明人：梅里特·方克;户泽昌纪 -专利权人：东京电子株式会社
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于监视半导体处理系统中的工具性能的方法和系统。所述半导体处理系统包括多个处理工具、多个处理模块、多个传感器、以及报警管理系统。执行工具健康控制策略，其中，采集处理工具的工具健康数据。执行工具健康分析策略，其中，分析工具健康数据。当报警发生时，干预管理器可以暂停处理工具。当报警不发生时，干预管理器制止暂停所述处理工具。
用于监视工具性能方法设备

[发明专利]传送和存储半导体晶片的容器的系统和传送机构-CN03820969.1无效
发明人：贝尔纳·波利;阿兰·库东;克里斯托夫·莱罗;弗洛朗·阿达 -专利权人：雷西夫公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种传送和存储半导体晶片的容器(1)的系统，该系统用在制造半导体晶片的一个机架(2)中，所述机架包括一个或多个半导体晶片的处理工具(3，4)，所述处理工具分别包括一个带有至少一个适用于与半导体晶片的容器(1)相连的半导体晶片的装/卸开口(7)的前表面(5，6)，所有装/卸开口基本都在一个垂直平面(8)内，利用处理工具上面的机架输送器(9)为所述机架供应容器，该输送器平行于所述垂直平面，所述系统包括：容器存储设备(10)，该存储设备在所述半导体晶片的处理工具上方的一个区域(11)中，并朝所述半导体晶片的装/卸开口后面收缩；至少一个容器的临时支撑设备(12)，所述支撑设备朝处理工具(3，4)的前表面(5，6)突出，所述处理工具垂直于机架的输送器，输送器适合于使半导体晶片的装/卸开口(7)上面的区域空闲；将容器从所述临时支撑设备传送到所述存储设备或从存储设备传送到临时支撑设备的第一传送设备(13)；将容器从所述存储设备传送到所述装
传送存储半导体晶片容器系统机构

[发明专利]半导体制造设备及方法-CN201910800985.9有效
发明人：康尉达;蔡闻庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体制造设备及方法，特别是一种用以判定晶圆字元的设备及方法。在一范例中，公开一种半导体制造设备。前述半导体制造设备包括：处理工具、装置以及控制器。前述处理工具是配置以处理半导体晶圆。前述装置是配置以在前述半导体晶圆位于前述设备处以制造晶圆时，读取设置于前述半导体晶圆上的光学字元。前述控制器是配置以根据在前述设备处实时读取的前述光学字元，判定前述光学字元是否匹配对应于前述半导体晶圆的预定字元。
半导体制造设备方法

[外观设计]半导体晶片处理装置-CN201930607750.9有效
发明人：埃勒·Y·尤科 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体晶片处理装置。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于加工半导体晶片。3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的形状。5.立体图、主视图、后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图显示了具有半导体晶片处理工具（即组件1）的半导体晶片处理装置；组件1主视图、后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图、立体图显示了组件1（即半导体晶片处理工具
半导体晶片处理装置

[发明专利]在半导体处理期间用于离子和颗粒过滤的双介质过滤器-CN201310198823.5无效
发明人： J·H·张;L·埃科诺米科斯;W-T·曾;A·蒂克纳 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体处理期间用于离子和颗粒过滤的双介质过滤器，具体地，涉及在半导体处理期间使用的流体过滤系统和方法。一个或多个实施例涉及用于在向诸如半导体晶片清洁工具之类的半导体晶片处理工具提供流体时从流体过滤离子和颗粒的流体过滤系统和方法。
半导体处理期间用于离子颗粒过滤介质过滤器

[发明专利]用于晶片处理模块的无主框架晶片传送平台-CN202180056505.8在审
发明人： S·斯如纳乌卡拉苏;K·巴拉克里希南;K·埃卢马莱;E·S·白 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在实施例中，提供了一种用于实施对基板的混合激光和等离子体切割的半导体处理工具。半导体处理工具包括传送模块，其中传送模块包括用于处理基板的轨道机器人，以及附接到传送模块的装载锁定。在实施例中，装载锁定包括用于处理基板的线性传送系统。在实施例中，处理工具进一步包括处理腔室，处理腔室附接到装载锁定，其中装载锁定的线性传送系统被配置为将基板插入处理腔室和从处理腔室移除基板。
用于晶片处理模块无主框架传送平台

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