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[发明专利]基于多模型区回归算法的区域矿产资源量估算方法和系统-CN202210235796.3在审
发明人：孙莉;肖克炎;高阳;张鹏;兰君;徐洪岩 -专利权人：中国地质科学院矿产资源研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多模型区回归算法的区域矿产资源量估算方法和系统。该方法包括：获取每个矿产资源量模型区的模型区资源量、模型区矿石体重以及模型区面积；确定模型区含矿率；判断矿产资源量模型区的数量是否高于模型区数量阈值，若是，利用回归算法确定第一含矿关系，根据第一含矿关系确定预测区含矿率；若否，根据模型区含矿率以及模型区资源量确定预测区含矿率；计算矿产资源量模型区和矿产资源量预测区的相似度，并基于相似度，根据模型区矿石体重以及模型区面积确定预测区矿石体重以及预测区面积；根据预测区矿石体重、预测区面积以及预测区含矿率确定预测区资源量。
基于模型回归算法区域矿产资源估算方法系统

[实用新型]一种防漏料、粘料的再生滚筒-CN202220308017.3有效
发明人：刘骏璐;侯建强;蔡俊良;杨森;张夏雄;黄杉;奉万鑫 -专利权人：福建南方路面机械股份有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： E01C19/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及再生滚筒领域，特别涉及一种防漏料、粘料的再生滚筒，包括筒体，所述筒体沿骨料输送的前后方向依次分为导料区、含料区、扬料区，所述含料区内设有含料叶片、小导料板、大导料板，所述含料叶片朝向筒体内的一面上设有若干小导料板；所述含料区沿骨料输送的前后方向分为前排区和后排区，前排区中，若干含料叶片于筒体内壁环形阵列布置安装，两两含料叶片间具有一间隔位置，所述大导料板安装于筒体内壁且设于间隔位置处；后排区中，若干含料叶片于筒体内壁环形阵列布置安装，后排区中含料叶片数量大于前排区含料叶片的数量；所述大导料板及小导料板倾斜布置，用于在筒体旋转时将骨料朝向筒体后端输送。
一种防漏再生滚筒

[发明专利]集成电路结构-CN200910128887.1有效
发明人：蒋柏煜;蔡俊琳;姚智文;何大椿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基底；一阱区，位于半导体基底上方，具有一第一导电型；一含金属层，位于阱区上方，其中含金属层与阱区构成一肖特基势垒(Schottky barrier)；一隔离区，围绕含金属层；以及一深阱区，位于含金属层下方，具有相反于第一导电型的一第二导电型。深阱区至少有一部分与一部分的含金属层呈垂直重叠。深阱区经由阱区而与隔离区及含金属层呈垂直隔开。本发明可以改进击穿电压、降低漏电流，以及可调整击穿电压。
集成电路结构

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法和利用该装置的液晶投影器-CN98108600.4无效
发明人：井上俊辅;关根康弘;水野祐 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-03-09 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种液晶显示装置，包含：一形成包含显示区的第一区的第一含聚合物的液晶区，以及包含不同于第一区的第二区的第二含聚合物的液晶区，其特征在于，第一含聚合物的液晶区中的聚合物和第二含聚合物的液晶区中的聚合物分别具有彼此不同的网格结构
液晶显示装置及其制造方法利用装置投影

[发明专利]含氟金属聚合物及其制备方法和应用-CN202110555966.1有效
发明人：程振平;涂凯;张丽芬;成健楠;朱秀林 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含氟金属聚合物及其制备方法和应用，利用金属配合物与氟烷烃侧链修饰的有机配体分子反应，制备出含氟金属聚合物，本发明的含氟金属聚合物材料，结构规整，其包括上述含氟金属聚合物，含氟金属聚合物材料包括多个依次交替排列的导电区和绝缘区，所述导电区和绝缘区沿一特定方向延伸，所述导电区和绝缘区的延伸方向相互平行，导电区包括金属配位聚合物链，绝缘区包括氟烷烃链段。上述含氟金属聚合物材料可用于制备光电子器件。
金属聚合物及其制备方法应用

[发明专利]生产超低硫柴油的加氢裂化方法-CN200510116007.0有效
发明人： T·N·卡尔奈斯;V·P·塔卡尔;R·K·赫恩 -专利权人：环球油品公司
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： C10G47/22 文献下载
摘要：一种生产超低硫柴油的催化加氢裂化方法，其中含烃原料在升高的温度和压力下加氢裂化以转化为柴油沸程的烃。在压力保持基本上与加氢裂化区相同的汽提区氢汽提所获加氢裂化区流出物，生成第一含烃气流和第一含烃液流。将含柴油沸程烃的第一含烃气流引入脱硫区，然后部分冷凝，生成富氢气流和含柴油沸程烃的第二含烃液流。分离第一含烃液流，生成含柴油沸程烃的第三含烃液流，同样将其引入脱硫区。回收超低硫柴油产物流。
生产超低硫柴油加氢裂化方法

[发明专利]一种在智能手机中处理图形的方法-CN201310397657.1无效
发明人：黄家旺 -专利权人：张家港保税区润桐电子技术研发有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：一种智能手机，其包括图形处理单元，所述图形处理包括：像素更新域确定模块，最小含域获取模块，最小含域对应目标计算模块，以及图像数据处理模块，其中，像素更新域确定模块确定源图形区中像素更新域；最小含域获取模块获取源图形区中变化数据区的最小含域；最小含域对应目标计算模块计算所述最小含域在目标图形区中的对应位置及大小；图像数据处理模块将源图形区中最小含域内的像素数据处理成目标图形区中对应域内的图像数据。
一种智能手机处理图形方法

[发明专利]一种含锑金矿同步回收金和增值利用锑的方法-CN202110974325.X在审
发明人：杨佳;王薇;张君;侯堪文;彭英芝;党一闳;曹成松;杨海艳;刘国豪;徐宝强;李绍元;熊恒;蒋文龙;李一夫;田阳;王飞;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C22B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含锑金矿同步回收金和增值利用锑的方法，属于有色金属冶金技术领域。本发明将含锑金矿加入到碱性溶液中进行碱性浸出得到碱浸液和含金脱锑矿；含金脱锑矿回收金；将碱浸液经电积得到含金电积锑和含金阳极泥；含金阳极泥回收金；将固体硫源放置在双温区炉反应器的低温加热区，含金电积锑放置在双温区炉反应器的高温硫化反应区，采用惰性气体进行洗气以排尽杂质气体，然后加热至低温加热区的温度为200～400℃，高温硫化反应区温度为500～800℃，低温加热区的固体硫源释放气态硫与高温硫化反应区的含金电积锑反应生成气相硫化锑和含金残留物，气相硫化锑冷凝，含金残留物回收金。
一种金矿同步回收增值利用方法

[实用新型]湿法除尘过滤装置-CN201420033807.0有效
发明人：王世洪;聂涛 -专利权人：苏州德尔格环保设备有限公司
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： B01D47/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法除尘过滤装置，包括箱体，箱体的底部设有储存水的贮液槽，箱体上设有含尘空气入口和清洁空气出口，箱体内设有水幕发生装置，水幕发生装置将箱体分为含尘空气区和清洁空气区，含尘空气区与含尘空气入口连通，清洁空气区与清洁空气出口连通。其工作原理为，含尘空气从含尘空气区通过水幕发生装置传递到清洁空气区的过程当中，由于空气的挤压，水在通过水幕发生装置过程当中，含尘空气会通过水幕，并与水充分接触，从而实现除尘过滤的功能，充分的去除含尘空气当中的灰尘和其它的一些小颗粒物，含尘空气变为清洁空气，减少对人体的危害。
湿法除尘过滤装置

[实用新型]一种精确控制液面的含浸机-CN201920194373.5有效
发明人：姚玉建;陆晓春;冼顺福 -专利权人：湖北海成电子有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B05C3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于真空含浸机技术领域，具体涉及一种精确控制液面的含浸机。一种精确控制液面的含浸机，包括含浸槽，所述含浸槽通过两块溢流挡板分为补液区、含浸区和余液区。所述含浸槽的含浸区的底部还设带阀门的排液管。本实用新型解决现有技术不能精确控制液面高度的一致性，经常发生淹没产品或含浸不足的问题。精确控制产品含浸深度，防止液面变化淹没产品。
含浸含浸槽本实用新型含浸机控制液补液淹没真空含浸机控制液面溢流挡板防止液排液管阀门余液

[发明专利]含氟聚合物的解聚-CN200680044634.0有效
发明人： I·J·范德沃尔特;A·T·格鲁能伯格;J·T·内尔 -专利权人：南非原子能股份有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C08J11/00 文献下载
摘要：一种将含氟聚合物解聚的方法，包括将呈颗粒形式的固体含氟聚合物连续加入水平的圆柱形第一反应区中。所述含氟聚合物颗粒在一端进入第一反应区。在第一反应区中，从中突出至少一个桨的中轴连续旋转。所述旋转的桨起到在搅拌过程中将含氟聚合物颗粒沿反应区推进的作用。当含氟聚合物颗粒沿反应区移动时，它们经受高温，由此将含氟聚合物解聚成富含含氟化合物的气相。残留的固相在第一反应区的另一端排出，所述气相也是如此。任选地，所述气相通过也处于高温下的第二反应区。使所述气相骤冷，由此回收作为气态产物的含氟化合物。
聚合物解聚

[发明专利]提高含FC区多肽纯化效率的方法-CN201680069093.0有效
发明人：田中信幸;百濑瑠美子 -专利权人：中外制药株式会社
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07K16/00 文献下载
摘要：发现通过制备含Fc区多肽的Fc区(其中Fc区的第一多肽链与蛋白A树脂结合但Fc区的第二多肽链不结合树脂或显示与其弱结合)，每体积树脂结合的含Fc区多肽的量增加，并且可以更有效地纯化上述含Fc区的多肽。
提高 fc 多肽纯化效率方法

[发明专利]张应变锗MSM光电探测器及其制备方法-CN201611042854.1有效
发明人：周志文;李世国;沈晓霞 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种张应变锗MSM光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连接成一体，由所述含锗层中心区、含锗桥梁和含锗周围区围成若干通孔；所述含锗层中心区的正下方无所述牺牲层；所述应力源层贯穿所述通孔和所述牺牲层、并延伸至所述衬底层第一表面；所述金属层嵌入所述应力源层，并与所述含锗层的中心区接通；所述金属层构成光电探测器的正极和负极。本发明光电探测器含锗层中可控的引入大的张应变，张应变达到2.0％以上，从而有效的提高MSM光电探测器的响应度。
光电探测器含锗层中心区张应变衬底层金属层牺牲层应力源周围区第一表面通孔制备正极负极可控的图形化响应度桥梁嵌入接通引入贯穿延伸

[实用新型]张应变锗MSM光电探测器-CN201621269252.5有效
发明人：周志文;李世国;沈晓霞 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种张应变锗MSM光电探测器。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连接成一体，由所述含锗层中心区、含锗桥梁和含锗周围区围成若干通孔；所述含锗层中心区的正下方无所述牺牲层；所述应力源层贯穿所述通孔和所述牺牲层、并延伸至所述衬底层第一表面；所述金属层嵌入所述应力源层，并与所述含锗层的中心区接通；所述金属层构成光电探测器的正极和负极。本实用新型光电探测器含锗层中可控的引入大的张应变，张应变达到2.0％以上，从而有效的提高MSM光电探测器的响应度。
应变 msm 光电探测器

[发明专利]通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构-CN200480026380.0无效
发明人：斯蒂芬·W·比德尔;崔广洙;基思·F·福格尔;德文德拉·K·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过氧化形成于含锗层下面的多孔硅层(或区)形成绝缘体上SiGe的简单而且直接的方法。该方法包括以下步骤：提供一种包括含Si衬底以及该含Si衬底顶上的含Ge层的结构，其中该含Si衬底中形成有空穴富集区；将空穴富集区转化为多孔区；将包括所述多孔区的结构退火以提供基本弛豫的绝缘体上SiGe材料
通过氧化掩埋多孔形成绝缘体上硅锗结构

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