专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]刷新控制以及包括刷新控制的存储设备-CN201611233177.1有效
  • 吴钟旻;宋镐永 - 三星电子株式会社
  • 2016-12-28 - 2020-09-08 - G11C11/406
  • 一种存储设备的刷新控制可以包括定时控制刷新计数以及地址生成器。定时控制响应于接收从外部设备所提供的刷新命令来生成计数刷新信号,并且生成被周期性地激活的敲击刷新信号。刷新计数响应于计数刷新信号生成计数刷新地址信号,使得计数刷新地址信号表示行地址,刷新计数被配置为顺序地改变计数刷新地址信号。地址生成器响应于敲击刷新信号来生成敲击刷新地址信号,敲击刷新地址信号表示与对应于被密集地访问的敲击地址的存储设备的行物理上相邻的存储设备的行的地址。
  • 刷新控制器以及包括存储器设备
  • [实用新型]一种刷新时序信号发生-CN200320112984.X无效
  • 何昕;魏仲慧;王军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2003-12-19 - 2005-07-20 - G06F9/00
  • 一种刷新时序信号发生,属于图像数据处理技术领域中涉及的一种信号发生,要解决的技术问题是:提供一种刷新时序信号发生。解决的技术方案是:包括系统晶振、计数刷新控制逻辑;系统晶振的输出端与计数的输入端相连,同时也与刷新控制逻辑的输入端相连,计数的输出端与刷新控制逻辑的另一个输入端相连,刷新控制逻辑的两个输出端分别与外部的动态存储的两个输入端相连系统晶振输出的时钟信号送给计数计数对该信号进行计数,当计数计数到所需要的值后,发出刷新请求信号给刷新控制逻辑;同时系统晶振输出的时钟信号也输送到刷新控制逻辑,使其产生刷新时序信号,送给动态存储该信号发生结构简单,使用方便。
  • 一种刷新时序信号发生器
  • [发明专利]刷新计数电路、刷新计数方法及半导体存储-CN202110910368.1在审
  • 陈继兴 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-09 - 2023-04-04 - G11C11/406
  • 本申请实施例公开了一种刷新计数电路、刷新计数方法及半导体存储,所述刷新计数电路包括:第一信号生成器,被配置为根据接收的刷新命令产生的每一个刷新脉冲信号来生成第一进位信号;第二信号生成器,被配置为根据接收的刷新命令产生的最后一个刷新脉冲信号来生成第二进位信号;第一计数,被配置为根据所述第一进位信号进行信号翻转,并生成第一输出信号;第二计数,被配置为根据所述第二进位信号对所述刷新命令进行计数,并生成第二输出信号;其中,所述刷新命令至少产生两个所述刷新脉冲信号
  • 刷新计数器电路计数方法半导体存储
  • [发明专利]用于存储装置的交错刷新计数-CN202110289217.9有效
  • C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶 - 美光科技公司
  • 2021-03-18 - 2022-05-31 - G11C11/406
  • 本申请针对用于存储装置的交错刷新计数。存储装置可以包含一组存储管芯,其每个存储管芯与公共命令和地址CA总线耦合,并且每个存储管芯包含各自的刷新计数。响应于通过CA总线接收的刷新命令,每个存储管芯可以基于由存储管芯的各自的刷新计数输出的值来刷新一组存储单元。存储装置的至少两个存储管芯的刷新计数可以偏移,使得当通过CA总线接收刷新命令时,它们指示不同值,因此至少两个存储管芯可以刷新它们各自阵列的不同部分的存储单元。刷新计数之间的偏移可以基于与不同存储管芯相关联的不同熔丝设置。
  • 用于存储器装置交错刷新计数器
  • [发明专利]行锤遥测-CN202310201460.X在审
  • A·马宗达;A·纳根德拉库玛;M·E·哈尔甘;S·加纳;D·卡拉乔;D·巴卢智;张贾韦;A·拉尔 - 美光科技公司
  • 2023-03-03 - 2023-09-19 - G11C11/406
  • 一种设备可包含数个存储装置和耦合到所述数个存储装置中的一或多个的存储控制。所述存储控制可包含行锤检测。所述存储控制可经配置以在第一时间段内使第一数据结构中的行计数刷新计数递增。所述存储控制可经配置以在第二时间段内使第二数据结构中的行计数和所述刷新计数递增。所述存储控制可经配置以确定所述刷新计数的值超过刷新阈值,且响应于所述确定所述刷新计数的所述值超过所述刷新阈值,发出通知。
  • 遥测
  • [发明专利]动态随机访问存储刷新方法-CN201310541616.5有效
  • 王琪;王东辉;张铁军 - 中国科学院声学研究所
  • 2013-11-05 - 2017-03-08 - G06F12/02
  • 本发明提供了一种DRAM的刷新方法,包括以下步骤设置计数初始值;每隔一递减周期,计数递减计数;判断DRAM的行是否被访问;如果被访问,计数值置为初始值,进入到下一个刷新周期;如果没有被访问,则当计数值递减到最小计数值时,查找访存命令队列中是否有对将刷新行的访问操作,如果访存命令队列中有对将刷新行的访问,由调度优先调度执行,并将计数值置为初始值,进入到下一个刷新周期。本发明采用行命中优先、即将刷新行的访问命令优先和先到先服务三个优先级调度算法,进行DRAM控制操作,通过优先调度即将刷新行的访问,代替部分刷新操作,减少了刷新次数,降低了DRAM的功耗并提高了系统性能。
  • 动态随机访问存储器刷新方法
  • [发明专利]存储刷新方法和系统-CN201710785364.9在审
  • 张锦华 - 珠海市杰理科技股份有限公司
  • 2017-09-04 - 2017-12-29 - G11C11/406
  • 本发明涉及一种存储刷新方法和系统。上述存储刷新方法包括在识别到存储的数据刷新指令时,检测存储的总线的状态;若所述总线不空闲,则暂停发送所述数据刷新指令,利用预设的欠刷新计数进行计数;在检测到所述总线空闲时,根据所述欠刷新计数当前累加的计数值执行数据刷新操作,并对所述欠刷新计数进行清零;若所述总线不空闲,且所述欠刷新计数所累加的计数值达到欠刷新阈值,则关闭总线的数据传输操作,根据所述欠刷新阈值执行数据刷新操作;其使同步动态随机存取存储等存储在得到及时刷新的基础上,数据传输工作可以获得更高的总线带宽,具有更高的响应速度,提高了总线的数据传输效率以及存储的响应效率。
  • 存储器刷新方法系统
  • [实用新型]一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路-CN201420841070.5有效
  • 李寅寅;王秋实;金林;郭二辉 - 中国电子科技集团公司第三十八研究所
  • 2014-12-27 - 2015-06-24 - G11C11/413
  • 本实用新型涉及一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路,包括定时计数刷新控制刷新地址计数,定时计数的输出端与刷新控制的输入端相连,外接外部信号的刷新控制的输出端与刷新地址计数的输入端相连,刷新地址计数的输出端与SRAM存储阵列的A、CSN、WEN端相连,SRAM存储阵列的输出端Q端通过第三表决与SRAM存储阵列的D端相连。本实用新型对存储定时的进行读、纠错和回写,确保特定的时间间隔内累积的错误位数不超过纠错码的纠错能力,提高了SRAM的抗多位翻转能力;用户的读写优先级高于刷新的优先级,使用户对SRAM的读写操作不被刷新操作中断
  • 一种利用率辐射sram刷新电路
  • [发明专利]用于具有连续自刷新定时的存储装置的设备与方法-CN201780050958.3有效
  • D·M·摩根 - 美光科技公司
  • 2017-07-25 - 2023-05-02 - G11C11/406
  • 本发明提供用于利用连续自刷新定时的存储装置的系统及设备。一种实例性设备包含经配置以周期性地产生信号的自刷新定时。所述信号的周期可基于自刷新刷新时间间隔。所述间隔可取决于温度信息。所述设备可进一步包含存储库,其包括至少第一子阵列且与第一子阵列刷新电路通信,所述第一子阵列刷新电路可包含第一刷新状态计数。所述第一刷新状态计数可与所述自刷新定时通信,且经配置以从所述自刷新定时接收所述信号、每当接收所述信号时在第一方向上改变所述第一刷新状态计数计数值,且每当刷新所述第一子阵列时在第二方向上改变所述第一刷新状态计数的所述计数
  • 用于具有连续刷新定时器存储器装置设备方法

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