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[发明专利]基于击穿波形甄别诊断真空击穿机制的试验回路及方法-CN202211340538.8在审
发明人：李世民;江希茜;徐勋晨;李镇廷;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：基于击穿波形甄别诊断真空击穿机制的试验回路及方法，脉冲电压源、真空灭弧室和电流测量装置相串联组成试验回路，电压测量装置与真空灭弧室两端相并联。测量真空击穿过程中施加电压波形和回路电流波形；获取位移电流波形和场致发射电流波形；根据击穿前是否存在场致发射电流对真空击穿机制进行初步诊断；如果击穿前不存在场致发射电流，再依据发生击穿前是否存在脉冲电流诊断真空击穿机制为脉冲电流诱发真空击穿或微粒诱发真空击穿；如果存在场致发射电流，再对场致发射电流波形进行分析，诊断真空击穿机制为场致发射诱发真空击穿或微粒诱发真空击穿。本方法对优化真空击穿试验研究，提升老炼技术以及提高真空断路器耐压水平有重要意义。
基于击穿波形甄别诊断真空机制试验回路方法

[实用新型]耐电压测试仪击穿电流检定设备-CN201420200589.5有效
发明人：贾红斌;周秉时;李岚 -专利权人：河南省计量科学研究院
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及耐电压测试仪击穿电流检定设备，有效解决调节繁琐，使用麻烦，不易匹配测量电流的问题，结构是，箱体前面板上自左至右装有击穿电流选择开关、击穿电流输入高端接线端子和击穿电流输入低端接线端子，检定电路由第一电阻至第二十三电阻串接在一起构成，第一电阻的一端同箱体上的击穿电流输入高端接线端子相连，每两相邻电阻的共端及第二十三电阻R23的最后端分别与击穿电流选择开关的滑动端相连，击穿电流选择开关的固定端同箱体上的击穿电流输入低端接线端子相连，构成23个击穿电流的档位结构，击穿电流选择开关周边的箱体上有与23个击穿电流的档位相对应的电流量刻度表，本实用新型结构简单，易生产，成本低，使用方便，测量准确。
电压测试仪击穿电流检定设备

[发明专利]基于深度学习的真空击穿类型甄别方法-CN202310569343.9在审
发明人：李世民;徐勋晨;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F18/2415 文献下载
摘要：本发明涉及真空击穿技术，具体公开基于深度学习的真空击穿类型甄别方法，属于计算、推算或计数的技术领域。该方法测量击穿电压数据与击穿电流数据，获取击穿电压‑电流数据；获取击穿电压‑电流数据后分类标记得到真空击穿样本；将真空击穿样本划分为训练集、验证集和测试集；构建包括击穿时刻定位模块、预击穿过程提取模块和图像处理模块、基于卷积神经网络的特征提取与识别模块的真空击穿类型甄别模型；训练并测试真空击穿类型甄别模型；输入击穿电压电流数据至真空击穿类型甄别模型进行真空击穿类型甄别。本发明仅需利用击穿电压电流数据即可完成真空击穿类型甄别，实现简易准确快速甄别真空击穿类型的目的。
基于深度学习真空击穿类型甄别方法

[实用新型]一种带绝缘击穿指示器的防雷绝缘子-CN201621248477.2有效
发明人：孙伟;许重浩;樊建惠;张旭阳;章启鸿;魏春晖;林泽科 -专利权人：国网浙江省电力公司绍兴供电公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01B17/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及电网绝缘领域，特指一种带绝缘击穿指示器的防雷绝缘子，包括壳体，所述壳体的上部固定有穿刺线夹，壳体内设置有氧化锌避雷片，壳体下设置有击穿指示器，所述击穿指示器包括电流互感器、过电流保护部分、控制驱动模块、指示部分，所述电流互感器来测量通过绝缘子的电流，所述过电流保护部分来保护击穿指示器不受雷电流破环，通过所述控制驱动模块，分析电流是正常雷击电流还是绝缘子被击穿后的泄漏电流，再通过所述指示部分，指示绝缘子被雷电流击穿。采用上述方案后，具有防雷和雷电流击穿指示的功能。
一种绝缘击穿指示器防雷绝缘子

[发明专利]用构造法测量真空灭弧室工频预击穿电流的方法-CN200810039450.6无效
发明人：王卫斌 -专利权人：上海恒睿信息技术有限公司;上海市电力公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用构造法测量真空灭弧室工频预击穿电流的方法，用于测量真空灭弧室的工频预击穿电流，包括以下步骤：首先，测量流过真空灭弧室的总电流I和施加电压U，该总电流I包括电容电流Ic和预击穿电流Ip，得到流过真空灭弧室的预击穿电流Ip与容性电流Ic的相位关系图；然后，根据得到的容性电流Ic的峰值来构造出容性电流Ic的波形；最后，用总电流I的波形减去所构造出的容性电流Ic的波形，即可得到所要求得预击穿电流本发明利用流过灭弧室的预击穿电流与施加电压以及容性电流的相位关系，根据总电流的波形来构造出其容性电流分量的波形，因而只需取一路电流信号即可获得预击穿电流，此方法简单省力。
构造测量真空灭弧室工频预击穿电流方法

[发明专利]一种真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法-CN200810039449.3无效
发明人：王卫斌 -专利权人：上海恒睿信息技术有限公司;上海市电力公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法，通过计算机来实现对真空灭弧室工频预击穿电流的模拟，它包括以下步骤：首先，建立流过真空灭弧室的预击穿电流Ip与施加电压U之间的函数关系；然后，根据得到的预击穿电流Ip与施加电压U之间的关系，通过计算机进行计算，得出一系列的预击穿电流Ip与施加电压U之间的对应数值；最后，根据得到的一系列的预击穿电流Ip与施加电压U之间的对应数值，通过计算机自动绘制预击穿电流Ip与施加电压U的关系曲线图，该关系曲线图即为预击穿电流Ip的波形图。
一种真空灭弧室工频预击穿电流模拟方法

[发明专利]一种测试结构和测试方法-CN202110298404.3在审
发明人：杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括：源测量单元和测试单元；其中，所述源测量单元包括电压产生单元和电流检测单元；所述电压产生单元用于向所述测试单元施加测试电压，所述电流检测单元用于测量所述测试单元的击穿电流；测量到所述击穿电流时，停止施加测试电压；未测量到所述击穿电流时，继续施加测试电压，以引起多次电介质软击穿；其中，所述测试电压小于电介质硬击穿电压。
一种测试结构方法

[发明专利]沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置-CN201110029707.1有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置，所述方法包括：确定本批次沟槽式MOS器件的软击穿点和硬击穿点的栅极电压和/或栅极漏电流；对本批次待监控的沟槽式MOS器件的栅极施加检测电压并检测其栅极漏电流，所述检测电压的电压值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极电压之间，或对各沟槽式MOS器件的栅极施加检测电流并检测其栅极电压，所述检测电流的电流值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极漏电流之间。
沟槽 mos 器件工艺监控方法装置

[发明专利]绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法-CN202310396199.3在审
发明人：张桐恺;高静;孟胤;雷奋星 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09J11/08 文献下载
摘要：其中，绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强。由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强，因此，绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当静电放电电流作用于该绝缘胶时，静电放电电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体，而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒，使得静电放电电流的击穿路径变长，击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加，从而提升了绝缘胶的绝缘性能
绝缘绝缘胶带制备方法

[发明专利]绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法-CN202111310407.0有效
发明人：张桐恺;高静;孟胤;雷奋星 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C09J11/08 文献下载
摘要：其中，绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强。由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强，因此，绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当静电放电电流作用于该绝缘胶时，静电放电电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体，而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒，使得静电放电电流的击穿路径变长，击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加，从而提升了绝缘胶的绝缘性能
绝缘绝缘胶带制备方法

[发明专利]一种基于ATP的架空线路初始击穿电流提取方法及系统-CN201510819837.3在审
发明人：罗汉武;李猛克;徐新尧;崔士刚;韩莹;闫凯;王婧 -专利权人：国网内蒙古东部电力有限公司检修分公司;国家电网公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于ATP的架空线路初始击穿电流提取方法及系统，包括设定一个起始的雷电流幅值；根据当前的雷电流幅值，运行生成的ATP程序，运行ATP程序之后将生成LIS文件，通过对LIS文件中击穿电流的判断得到是否发生击穿的结果；判断是否相邻的两次雷电流幅值之差小于精度值，若是则退出循环，输出结果，确定架空线路初始击穿电压；若否则进入迭代操作。本发明实施时只需给定各种电路参数，即可自动的循环生成ATP程序并运行，确定架空线路初始击穿电流，高效准确。
一种基于 atp 架空线路初始击穿电流提取方法系统

[发明专利]一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置-CN202010299448.3有效
发明人：孙文星;蔡玲珑;杨贤;马志钦;靳宇晖;饶章权;欧阳旭东;林春耀;周丹;江丹宇 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置，利用冲击电压击穿时的击穿电压、电流和击穿持续时间计算击穿能量损失，并以击穿起始时刻为横轴，击穿能量损失为纵轴绘制曲线，生成冲击电压下击穿能量分布曲线，通过分析击穿能量分布曲线得到绝缘介质击穿特性分析结果，同时考虑了击穿电压、击穿电流和击穿持续时间的因素，从而使得冲击电压下绝缘介质击穿特性的表征更为全面，解决了现有的冲击压下介质击穿特性分析方法不能全面地表征击穿特性的技术问题
一种冲击压下介质击穿特性分析方法相关装置

[发明专利]一种防雷击装置及其制作方法、防雷击天线-CN202010245690.2有效
发明人：王熙元;张东东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明提供的一种防雷击装置设置在天线上，用于防止所述天线被雷击电流损坏。该防雷击装置包括防击穿结构和引流结构。其中，防击穿结构包括相堆叠的多层绝缘层，其设置在所述天线上，用于防止所述天线被雷击电流击穿。引流结构设置在所述防击穿结构之上，用于将雷击电流引流至大地。由于将防击穿结构设置在天线上，因此能够防止天线被雷击电流击穿，又由于设置了引流结构，因此若天线受到雷击，引流结构能够将雷击电流引至大地，防止雷击电流损坏天线。
一种雷击装置及其制作方法天线

[发明专利]一种高频方波和正弦电压下磁件绝缘介质短时击穿测试方法-CN202010688361.5在审
发明人：王威望;王鑫;何杰峰;刘莹;郭志强;李欣原 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开一种高频方波和正弦电压下磁件绝缘介质短时击穿测试方法。高频变压器一般采用环氧树脂进行浇注，高频非正弦电压、电流和高温环境会导致绝缘击穿。本发明的主要内容如下：考虑高频变压器典型工况，搭建了高频电场下绝缘短时击穿测试平台；测试平台包括高压电源、测试单元、检测/采集单元和控制单元，可实现最高10kV的方波和正弦电压，频率高达10kHz，温度最高200℃；根据测试要求，提出了高频方波电压下绝缘介质的击穿电压和电流测试方法；采用高压差分探头、高频电流探头检测电压和电流，通过设置击穿触发条件利用示波器采集击穿瞬间电压和电流，提出击穿场强计算方法；通过软件界面控制频率和电压上升速率，实现短时击穿测试。
一种高频方波正弦压下绝缘介质击穿测试方法

[发明专利]一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置-CN202211282241.0在审
发明人：万莉莉;熊政伟;高志鹏;竹文坤 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置，包括：使用微秒脉冲高压发生装置对陶瓷样品进行脉冲电压加载，实时监控陶瓷样品在电压击穿过程中的电压和电流信号，通过测量陶瓷样品等效电阻的变化来表征击穿的产生和发展过程；分析陶瓷样品电流/电压‑时间曲线，获得击穿电压幅值、击穿电压变化率、电压平均上升斜率、击穿电压弛豫时间；分析陶瓷样品电流/电压随时间阶段变化的过程，揭示陶瓷材料结构因子对电击穿过程的影响规律。本发明可以对所有电子陶瓷进行高电压击穿实验，并给出电子陶瓷高电压击穿的结构判据，揭示电子陶瓷的电击穿机理，为电子陶瓷电击穿行为的评估提供了科学方法。
一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法装置

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