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[发明专利]一种纯溴基钙钛矿量子点及其制备方法-CN202310579715.6在审
发明人：仇明侠;李波波;崔向前;韩培刚;王宁;王萌;吴丹 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07C257/12 文献下载
摘要：本发明公开一种纯溴基钙钛矿量子点及其制备方法，纯溴基钙钛矿量子点的制备方法包括步骤：将甲脒源、铅源、溴源、有机配体及有机溶剂进行混合，得到混合溶液；将所述混合溶液在预设初始环境温度下进行超声破碎预设时间后，得到具有所需发光颜色的纯溴基钙钛矿量子点；所述纯溴基钙钛矿量子点的化学式为FAPbBr3。本发明利用量子限域效应对纯溴基钙钛矿量子点的尺寸进行精确调控，通过超声破碎减小纯溴基钙钛矿量子点的尺寸，提高纯溴基钙钛矿量子点的禁带宽度，从而实现纯溴基钙钛矿量子点从绿光向蓝光的转变，制备得到所需发光颜色的纯溴基钙钛矿量子点，避免了通过调节不同卤素比例制备得到的钙钛矿量子点发光过程中的相分离问题。
一种纯溴基钙钛矿量子及其制备方法

[发明专利]一种2-氨基-5-溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法-CN202310219861.8有效
发明人：张晓丹;王三龙;齐珊珊;王鹏阳;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括从下至上依次堆叠的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、电子传输层和电极。制备方法包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理本发明的2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。
一种氨基甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池制备方法

[发明专利]一种硅基高速钙钛矿光源及其制备方法-CN202210171171.5在审
发明人：巫江;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基高速钙钛矿光源，包括依次层叠的硅基层、金电极层、空穴传输层、甲基‑铯铅溴钙钛矿层、电子传输层、半透明银电极层；所述甲基‑铯铅溴钙钛矿层制备时加入甲基溴化铵。本发明的硅基高速钙钛矿光源能降低铯铅溴钙钛矿光源的发光淬灭以及在高电流密度下的外量子荧光效率抖降，提高器件可调制的电流密度区间和有效调制带宽范围。
一种高速钙钛矿光源及其制备方法

[发明专利]一种3-氨基-5-溴吡啶-2-甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法-CN202310220251.X在审
发明人：张晓丹;齐珊珊;王三龙;王鹏阳;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括钙钛矿吸光层以及钝化层。制备方法主要包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理，得到厚度为1nm‑10nm的钝化层。本发明的太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、促进其载流子输运、抑制非辐射复合，提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。
一种氨基吡啶甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池制备方法

[发明专利]一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法-CN202111435120.0在审
发明人：姚凯;李庆成;涂彬斌 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池由晶硅底电池、微晶硅隧穿复合层和钙钛矿顶电池三部分组成，钙钛矿顶电池的二维/三维钙钛矿体相异质结光吸收层是基于真空辅助两步法制备，第一步通过热蒸发真空沉积设备同时气相沉积碘化铅和溴化铯，形成一层碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜胍阳离子的引入可以抑制甲脒基三维钙钛矿薄膜中卤素离子的迁移，基于噻吩类有机铵的二维钙钛矿在晶界处原位的形成，从而实现了高性能全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备。
一种同时提高全绒面钙钛矿晶硅叠层太阳能电池开路电压稳定性方法

[发明专利]一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202010634604.7有效
发明人：李艳青;田宇;唐建新 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-07-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法，包括从下而上依次设置的阳极衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极，其特征在于：空穴传输层由聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸钠与空穴传输层修饰材料构成，空穴传输层修饰材料为咪唑；活性发光层的材质为钙钛矿，由钙钛矿前驱体制备，钙钛矿前驱体由基液A、基液B和调节剂构成，由下至上依次制备各层。
一种基于配比蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法-CN202110063510.3有效
发明人：付悦;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法，所述全光谱钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤：配制卤素基团为溴的钙钛矿前驱体溶液；利用钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿纳米线阵列；配制溶质分别含氯、含碘的两种离子交换溶液；将钙钛矿纳米线阵列的一端浸泡在其一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出一端形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干；将钙钛矿纳米线阵列的另一端浸泡在另一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出另一端也形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干。该制备方法可直接在宏观角度下简便地制造出具有全波段光谱的特性谱钙钛矿纳米线阵列。
一种光谱钙钛矿纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法-CN201910732718.2在审
发明人：韩晓东;马林;严铮洸 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，通过调控原料卤素的比例调控钙钛矿材料的禁带宽度。通过合成得到卤素混合的钙钛矿粉末并溶解到有机溶剂中，通过添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低温加热生长出禁带宽度可调的卤素混合钙钛矿单晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的铅基甲胺钙钛矿单晶大尺寸、形状规则、结晶性好。本发明可以任意调控铅基甲胺卤素钙钛矿单价，从1.51‑2.94eV禁带宽度任意调控。拓宽了钙钛矿单晶材料的种类。为在光电探测器和发光器件领域，寻找更优异性能的钙钛矿材料提供了新的材料基础。
钙钛矿禁带单晶钙钛矿材料宽度可调甲胺铅基调控合成发光器件领域任意比例混合钙钛矿粉末光电探测器比例调控材料基础单晶材料单晶结晶低温加热简单成本聚丙二醇聚丙烯酸聚乙二醇聚乙烯醇快速生长实验装置形状规则优异性能有机溶剂结晶性单价溶解生长

[发明专利]一种高质量溴基钙钛矿薄膜的制备方法-CN202310659715.7在审
发明人：李希友;刘承奔;刘昭斌;李智;张腾;韩嘉;邓雪翔 -专利权人：山东能源集团有限公司;中国石油大学（华东）
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量溴基钙钛矿薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明采用停留时间调节的两步法制备溴基钙钛矿薄膜，通过调节CsX′溶液的停留时间，调控了CsX′和PbX2的相互作用程度以及钙钛矿的形核结晶过程，从而调控了钙钛矿薄膜的缺陷和质量，减少了衍生相的产生，获得了高质量的钙钛矿薄膜；并且该方法制备工艺及设备简单、制备条件温和，能改善薄膜质量，优化薄膜相纯度，为利用简单的两步法制备CsPbBr3钙钛矿薄膜提供了新思路；再者将该方法制备的钙钛矿薄膜作为光吸收层组装成钙钛矿太阳能电池具有较高的效率，在高湿度、高温度的条件下具有优异的稳定性。
一种质量溴基钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111437361.9有效
发明人：任胜强;赵德威;郝霞;武莉莉;张静全 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明属于新型薄膜太阳能电池制备技术领域，具体公开了一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该方法通过在锡基钙钛矿前驱体溶液里加入苯乙胺溴，并采用一步旋涂制备得到锡基钙钛矿薄膜。相应的锡基钙钛矿太阳电池器件光电转换效率达到14.65％且在放置4800小时后仍保持初始值的90％以上。以上数据表明前驱液添加苯乙胺溴是一种有效提高锡基钙钛矿电池光电转换效率和稳定性的制备方法。
一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种尺寸可控的甲脒溴基钙钛矿量子点的制备方法-CN202110136804.4有效
发明人：曲瑞;丁聪;齐晓斐;刘成;赵武;闫军锋;张志勇 -专利权人：西北大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C07C257/12 文献下载
摘要：一种尺寸可控的甲脒溴基钙钛矿量子点的制备方法，1)将一定量的乙酸甲脒、溴化铅、溴化氢、油酸和油胺完全溶解在二甲基甲酰胺中以制备钙钛矿前体；2)将前体与不同量的溴化氢溶液注入甲苯中得到混合液；3)将混合液在离心管中进行离心去除杂质得到甲脒溴基钙钛矿量子点；4)将上述产物分散在甲苯中，即得到尺寸可控的甲脒溴基钙钛矿量子点。
一种尺寸可控甲脒溴基钙钛矿量子制备方法

[发明专利]一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品-CN202011440153.X有效
发明人：康臻菁;江琳沁;邱羽;熊浩;李平;严琼;林灵燕;范宝殿 -专利权人：福建江夏学院
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07C211/11 文献下载
摘要：本发明提供一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品，包括如下步骤：(1)将1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜在溴化氢水溶液中加热反应，反应完成后冷却至室温；(2)抽滤并洗涤沉淀、干燥，得到二氨基丙胺溴化铜产物即铜基钙钛矿材料；其中，1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜的摩尔比为1:1‑1:3。将步骤(2)合成的产物铜基钙钛矿材料溶解于二甲亚砜得到浓度为0.1‑1.2mmol/mL的溶液，通过旋涂和退火得到铜基钙钛矿薄膜。本发明可实现环保无铅的钙钛矿材料的制备，得到的产物光吸收边位置达到700nm左右，具有合适的带隙，该产物易溶于二甲亚砜中且可以旋涂制备均一、平整的钙钛矿薄膜，是一种极具应用潜力的钙钛矿太阳能电池光吸收层材料
一种氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料合成方法薄膜制品

[发明专利]一种基于离子液体添加剂的碳基全印刷钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110567109.3在审
发明人：张坚;王栋杰;佘斌 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子液体添加剂的碳基全印刷钙钛矿太阳能电池及其制备方法，通过在钙钛矿材料中加入优化设计的离子液体作为添加剂，同时精确调控离子液体的添加量得到新型的钙钛矿前驱体溶液，经过一步滴涂法滴涂在阳极层表面，充分渗透到电子传输层、绝缘间隔层和阳极层构成的三层介孔结构中，然后将渗透有该钙钛矿前驱体溶液的三层介孔器件经50‑120℃退火10min‑4h，制备得到碳基全印刷钙钛矿太阳能电池。此方法可显著提高碳基全印刷钙钛矿太阳能电池的性能，解决现有钙钛矿太阳能电池光电性能不佳及稳定性欠佳的技术问题。
一种基于离子液体添加剂碳基全印刷钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于改性铋基钙钛矿量子点材料制备方法及电致发光器件-CN202210168821.0在审
发明人：张伟;乔泊;宋丹丹;赵谡玲;徐征;胡易 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明提供一种基于改性铋基钙钛矿量子点材料制备方法及电致发光器件，属于电致发光器件技术领域，采用二甲基亚砜和辛胺的混合溶剂作为溶解溴化铯、溴化铋以及氯化铯的前驱体溶液，胺作为配体；采用油酸和乙醇的混合溶剂作为反溶剂；将所述前驱体溶液加入反溶剂后，加热并搅拌冷却到室温后，离心后取上清液，再用正己烷洗涤，最后分散到乙醇中得到所述基于改性铋基钙钛矿量子点材料。本发明通过向合成好的钙钛矿量子点的溶液中加入适量的氯化铯，得到被氯元素钝化的钙钛矿量子点，适量的氯离子的引入钝化了量子点表面缺陷，有效改善钙钛矿量子点的稳定性并且大幅提高了荧光产率；首次获得了基于铋基钙钛矿作为发光材料的深蓝光电致发光器件
基于改性铋基钙钛矿量子材料制备方法电致发光器件

[发明专利]一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法-CN202110455751.2有效
发明人：张翔晖;沈杰;胡永明;顾豪爽;吴子田 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将溴化铯、溴化铅和2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸溶于溶剂中，搅拌后得到钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂覆至基底上，加热，即得到钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备方法，通过加入2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸，其能够增加钙钛矿溶液中溴化铯的溶解度，从而为钙钛矿薄膜的形成提供了丰富的Cs+离子，且2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸能提供更多的成核点，从而导致大量的相对较小的晶体形成，从而完全覆盖整个基底，提高薄膜覆盖率，减小钙钛矿薄膜针孔以及钙钛矿的晶体尺寸。
一种钙钛矿薄膜 led 器件及其制备方法

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