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[发明专利]太赫兹准光倍频器-CN201210382948.9有效
发明人：胡延安 -专利权人：胡延安
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H03B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹准光倍频器，包括第一隔直电容、滤波器、倍频天线和准光器件；所述倍频天线包括天线和非线性器件；输入信号经过第一隔直电容、滤波器后加载到倍频天线上，输入信号通过滤波器，输入信号的各次谐波分量被滤波器抑制；倍频天线的非线性器件对加载到倍频天线上的输入信号产生谐波分量；倍频天线的天线将所需的输出信号辐射出去；准光器件使输出信号具有更好的方向性。本发明的太赫兹准光倍频器体积小、重量轻、易于实现空间功率合成，可以实现高效奇次倍频器。
赫兹倍频器

[发明专利]适用于MMC的同时抑制二倍频与四倍频的环流抑制方法-CN201710138276.X在审
发明人：陈阿莲;纪华丽;刘琦;张承慧 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于MMC的同时抑制二倍频与四倍频的环流抑制方法，通过提取模块化多电平变换器各相上下桥臂的电流值，根据采集的电流值计算环流值；将计算的得到的环流值分别进行二倍频负序和四倍频正序旋转坐标变换，将二倍频和四倍频分量分别变换成直流量；分别将变换得到的环流的二倍频和四倍频分量的dq轴分量与相应的环流dq轴分量参考值进行比较后，进行线性调节控制；引入二倍频和四倍频分量对应的电压前馈量，消除dq轴耦合部分，进而得到环流抑制的dq轴参考值，将得到的dq轴参考值分别进行二倍频负序和四倍频正序逆变换，将得到对应的环流抑制参考值相加，加入调制波信号。通过对环流进行二倍频负序旋转坐标变换，得到的参考值能有效抑制环流中的二次谐波。
适用于 mmc 同时抑制倍频环流方法

[发明专利]一种SIW传输线二极管倍频器-CN201810677169.9在审
发明人：汪晓光;肖宇;刘水平;张丽君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及微波、倍频器技术、倍频器结构，具体涉及到一种SIW传输线二极管倍频器。该SIW传输线二极管倍频器，包括依次连接的传输线部分、匹配过渡结构、微带线和单二极管的倍频结构，其传输线采用SIW传输线。本发明在SIW结构传输线的基础上，使用微带线转接，与单二极管的倍频结构连接，SIW结构馈入基频信号和能量，单二极管的倍频结构实现倍频。在保证器件性能的前提下：实现了的传输线倍频器做到全功率、全频率的应用前提下，相对波导结构的倍频器体积小、重量轻、低成本、易于集成。
倍频器传输线倍频二极管单二极管微带线波导结构过渡结构基频信号结构连接结构实现器件性能依次连接应用前提转接低成本全功率全频率体积小重量轻馈入匹配微波保证

[发明专利]一种可定时的倍频晶体自动位移系统-CN202011067720.1在审
发明人：华明;熊唯清 -专利权人：罗根激光科技（武汉）有限公司
申请日： 2020-10-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种可定时的倍频晶体自动位移系统，包括激光器机体和设置在激光器机体上的三倍频晶体座，三倍频晶体座上设置有三倍频晶体，所述激光器机体上设置有驱动三倍频晶体座上下移动的舵机和驱动舵机动作的电源及逻辑控制器，所述电源及逻辑控制器连接有输入及显示控制器；本发明通过电源及逻辑控制器驱动舵机转动工作，舵机带动光学腔体里的三倍频晶体座和三倍频晶体上下移动，实现倍频晶体按设定位移，通过带动三倍频晶体座位移，改变光斑照射在三倍频表面位置
一种定时倍频晶体自动位移系统

[发明专利]一种深紫外激光器的和频发生器-CN202010045103.5在审
发明人：王家赞;江锐;朱光;丁金滨;沙鹏飞;刘广义;赵江山;陈彬彬 -专利权人：北京科益虹源光电技术有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种深紫外激光器的和频发生器，包括：电磁源，产生沿传播路径发射的基本场；倍频装置、第一和频装置、双波长波片和第二和频装置，沿所述传播路径依次布置，其中，所述倍频装置用于使经过的所述基本场产生二倍频场，所述第一和频装置用于使经过的所述基本场和所述二倍频场和频以产生三倍频场，所述第二和频装置用于使经过的所述二倍频场和所述三倍频场和频以产生五倍频场，所述倍频装置与所述第一和频装置由同一种晶体构成。本发明实施例的和频发生器系统保证了五倍频和频效果。
一种深紫激光器频发

[发明专利]激光接收组件-CN202210949663.2在审
发明人：黄铁胜 -专利权人：镭神技术（深圳）有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光接收组件，激光接收组件用于接收激光发射器发射的激光，所述激光接收组件包括：套筒；倍频片，设于所述套筒朝向激光的一端；相机，设于所述套筒相对所述倍频片的另一端，所述相机伸入所述套筒内并对着所述倍频片上述激光接收组件中，当激光发射器发生的激光照射在倍频片上发生倍频，从而在倍频片上形成光斑。由于相机对着倍频片，故倍频片上形成的光斑能够被相机所拍摄。如此，通过倍频片与相机的配合，能够使不可见的激光转换为被相机所拍摄的光斑，避免了初步调试中由于人眼不能观察到光斑而导致的调试困难。同时，将倍频片与相机同时设于套筒上能够使激光接收组件整体结构简单、紧凑。
激光接收组件

[发明专利]可编程数字倍频器-CN201010524222.5有效
发明人：张宪起;杨侃;王丽丽;鲁争艳;李金宝;李贵娇;董冀 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种可编程数字倍频器，其包括用于接收外部低频系统时钟信号并转换为倍频器内其他单元所需的高频采样时钟信号的时钟倍频单元；与时钟倍频单元高频采样时钟信号输出端相连接，用于接收待倍频输入信号并利用高频采样时钟信号对该输入信号进行同步周期计数以输出周期计数值的输入信号实时同步测量单元；接收待倍频系数并利用高频采样时钟信号对周期计数值与倍频系数进行除法运算的实时数据运算单元；接收待倍频系数并根据整数与余数关系选择适当的脉冲周期，以零误差输出N个倍频脉冲信号倍频输出单元，本发明采用低频时钟从外部输入
可编程数字倍频器

[发明专利]一种倍频显示的处理方法及装置、电子设备-CN201810041425.5有效
发明人：刘晓洁;王之奎 -专利权人：海信视像科技股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H04N21/4402 文献下载
摘要：本发明揭示了一种倍频显示的处理方法及装置、电子设备、计算机可读存储介质，包括：获取显示屏背光频率范围以及电源板倍频倍数；根据待播放片源的播放帧率，预估将播放帧率按照电源板倍频倍数进行倍频后输出的驱动频率；若驱动频率不在显示屏背光频率范围内，调整待播放片源的播放帧率，获得待播放片源的目标帧率，目标帧率按照电源板倍频倍数倍频后输出的驱动帧率在显示屏背光频率范围内；根据目标帧率生成相应时钟频率的背光信号，按照电源板倍频倍数对背光信号进行倍频，实现待播放片源的倍频显示。该方案提高了显示效果，解决了现有技术因倍频后的背光信号超出了显示屏对背光信号时钟频率的规格要求，导致显示屏出现水波纹等异常显示的问题。
一种倍频显示处理方法装置电子设备

[发明专利]一种超宽带低损耗全波导双平衡的太赫兹倍频器-CN202010050673.3有效
发明人：王沫;朱翔;贾定宏;邓建钦;张里奥;姜万顺;年夫顺;朱伟峰;程笑林;张胜洲;梁晓林 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹倍频技术领域,涉及一种太赫兹倍频器。一种超宽带低损耗全波导双平衡的太赫兹倍频器，包括输入波导，用于以TEM模式输入信号；倍频电路，用于对输入信号进行倍频处理，产生倍频信号；输出波导，用于以TE10模式输出信号；所述倍频电路连接在输入波导和输出波导之间本发明采用共面波导和脊波导，可以实现几个倍频程的工作带宽，有效解决传统太赫兹倍频器矩形波导限制倍频器工作带宽的问题；肖特基二极管对采用基于场对称分布的双平衡四管芯的结构形式，平衡性更好，谐波回收能力强，
一种宽带损耗波导平衡赫兹倍频器

[实用新型]激光器中的倍频晶体固定装置-CN201620467636.1有效
发明人：毛桂林 -专利权人：苏州紫光伟业激光科技有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光器中的倍频晶体固定装置，包括固定连接在激光器底板上的支架和固定安装在支架上的倍频晶体固定座，所述倍频晶体固定座与支架之间设置有一温度调节装置，所述温度调节装置包括一块电加热片和两块分别贴附在电加热片上下两面的绝缘板，两绝缘板分别与支架和倍频晶体固定座紧贴，所述倍频晶体固定座上设置有测量倍频晶体固定座温度的温度传感器，所述温度传感器与温度调节装置共同与温控系统电连接。通过在倍频晶体固定座与支架之间设置有一温度调节装置，来控制固定座的温度，通过固定座将温度传导至倍频晶体，从而间接控制倍频晶体的工作温度，实现对倍频晶体工作温度的控制。
激光器中的倍频晶体固定装置

[实用新型]一种谐振倍频激光器-CN202320127438.0有效
发明人：付小虎;赵儒臣;张磊 -专利权人：上海频准激光科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本实用新型提供一种谐振倍频激光器，该谐振倍频激光器通过设置前向耦合光路和后向耦合光路，将谐振倍频腔共振时透射输出的基频光入射到半导体种子源中形成注入锁定，可使得半导体种子源出射的种子光与谐振倍频腔始终处于共振状态，实现自动谐振倍频。相较于传统谐振倍频激光器，本实用新型的激光器无需额外的主动光学、电学控制链路即可实现种子光与谐振倍频腔自动谐振，实现持续高效率的透射激光输出，结构简单，且传统需要主动锁定的谐振倍频激光方案中，要求基频光为单频激光，本实用新型没有这一要求，谐振倍频腔透射输出的基频光在半导体种子源中注入锁定形成多个与谐振倍频腔共振的模式也可以运行。
一种谐振倍频激光器

[实用新型]具有偏振调制的倍频装置-CN200320101609.5无效
发明人：许祖彦;毕勇;李瑞宁;孙志培;林学春 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有偏振调制的倍频装置，包括：非线性光学倍频晶体、泵浦激光源；其特征是：还包括一偏振调制器；所述的偏振调制器设置在两块非线性光学倍频晶体之间的光路上，和在一块非线性倍频晶体前的输入光路上安置至少一块谐振腔镜，并在非线性倍频晶体与谐振腔镜之间的光路上设置一激光晶体；和在另一块非线性倍频晶体输出光路上安置至少一块谐振腔镜，泵浦激光源安置在谐振腔镜的前面组成腔内倍频。本实用新型的具有偏振调制的倍频装置，通过设计偏振调制器的参数，即能调节基频光和倍频光的电场矢量夹角，进而消除相干相消效应，提高倍频效率，至少提高一倍以上。
具有偏振调制倍频装置

[发明专利]一种时钟产生控制电路及控制系统-CN201810818397.3在审
发明人：钟新星 -专利权人：广州比逊电子科技有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟产生控制电路，包括倍频电路和占空比电路，倍频电路的输出端与占空比电路的输入端连接；倍频电路将接收的外部输入信号处理为倍频信号，并将倍频信号发送给占空比电路；占空比电路将倍频信号校准后输出时钟信号本发明通过相对独立的倍频电路和占空比电路来实现对时钟信号的扩频以及校准，进而输出连续的时钟信号；同时本发明电路设计简单、功耗更低。本发明还提供了一种时钟产生控制系统。
占空比电路倍频电路倍频信号时钟产生控制电路控制系统时钟信号校准输出时钟信号输入信号处理输入端连接电路设计相对独立输出端功耗扩频输出外部

[实用新型]鉴相倍频计数装置-CN201020600104.3无效
发明人：范玉进;李续;张鹏泉;曹晓冬;赵维兵;张波;李柬;刘欣;宋光伟;王文亮 -专利权人：天津光电通信技术有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H03K21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鉴相倍频及计数装置，包括现场可编程门阵列器件，现场可编程门阵列器件的内部电路连接为：鉴相电路和倍频与计数电路并联构成鉴相倍频计数电路，八个鉴相倍频计数电路一端相连接，每个鉴相倍频计数电路分别与地址译码器连接本实用新型的特点是：1、电路简单，无需外加时钟；2、鉴相、倍频、计数一次完成；3、可配置倍频数1、2、4；4、标准读写时序。
倍频计数装置

[发明专利]KDP类晶体长籽晶单锥生长方法-CN201910283598.2有效
发明人：王斌;齐红基;邵建达;陈端阳;王虎;王晓亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种KDP类晶体长籽晶单锥生长方法，本发明提供的生长方法中，长籽晶下端受到下托盘的限制，上端自由成锥生长，同时[100]和[010]两个方向的四个柱面能够生长，晶体生长过程中不存在生长应力问题，所有切割出来的光学元件都具有很高的光学质量由于生长过程是四个生长环境高度相似的柱面同时生长，且在晶体生长过程中通过叶状搅拌桨进行搅拌，所以切割出来的光学元件都具有很高的光学均匀性。由于KDP类晶体三倍频元件切割角度的独特性，用本发明长成的晶体切割三倍频元件时具有很高的切割效率，而且还可以通过长成的晶体水平尺寸的大小提前知晓能够切割出来的最大的三倍频元件的面积。
kdp 晶体籽晶生长方法